DDR内存供电电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算机设备制造
，尤其是一种用于DDR内存的供电电路。
技术介绍
一般内存供电电路通常设计在内存插槽的附近，DDR内存需要两种不同的电压供应，现有计算机的DDR内存供电电路一般是采用开关电源供电方式，其方式和CPU供电电路的原理相似，这种供电方式现采用的比较多而且技术比较成熟。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种DDR内存供电电路，它可以成为现有技术的一种替代方案。为了解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是：这种DDR内存供电电路，包括第一电阻和双运算放大器模块，所述第一电阻、第二电阻和第三电阻串联连接，所述双运算放大器模块的同相输入端与所述第二电阻和第三电阻的连线连接，所述双运算放大器模块的反相输入端与第五电阻和第六电阻串联连接，所述双运算放大器模块的输出端通过第四电阻与场效应管的G极连接，所述场效应管的D极与电源端连接，所述场效应管的S极与所述第五电阻和第六电阻的连线连接。上述技术方案中，更为具体的方案还可以是：所述双运算放大器模块为LM358双运算放大器模块。由于采用了上述技术方案，本专利技术与现有技术相比，具有的有益效果是：本专利技术采用双运算放大器模块，双运算放大器模块适合电源电压范围很宽的单电源使用，也适合用于双电源工作模式，它能够分别独立地输出标准1.5伏～3.3伏电压。附图说明图1是本专利技术的原理示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详述：图1所示的DDR内存供电电路，包括第一电阻R1和LM358双运算放大器模块1，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3串联连接，LM358双运算放大器模块...
【技术保护点】
一种DDR内存供电电路，其特征在于：包括第一电阻（R1）和双运算放大器模块（1），所述第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3）串联连接，所述双运算放大器模块（1）的同相输入端与所述第二电阻（R2）和第三电阻（R3）的连线连接，所述双运算放大器模块（1）的反相输入端与第五电阻（R5）和第六电阻（R6）串联连接，所述双运算放大器模块（1）的输出端通过第四电阻（R4）与场效应管（Q）的G极连接，所述场效应管（Q）的D极与电源端连接，所述场效应管（Q）的S极与所述第五电阻（R5）和第六电阻（R6）的连线连接。
【技术特征摘要】
1.一种DDR内存供电电路，其特征在于：包括第一电阻（R1）和双运算放大器模块（1），所述第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3）串联连接，所述双运算放大器模块（1）的同相输入端与所述第二电阻（R2）和第三电阻（R3）的连线连接，所述双运算放大器模块（1）的反相输入端与第五电阻（R5）和第六电阻（R6）...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚湘潮，
申请(专利权)人：柳州鹏达科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广西;45
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