【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种内存供电电路,包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关。上述内存供电电路可根据需要调节输出至内存的电压值为第一输出电压或者第二输出电压。【专利说明】内存供电电路
本专利技术涉及一种内存供电电路。
技术介绍
在个人计算机中,内存的工作电压一般来讲都是固定的,如DDR2的工作电压范围是1.8V+/-0.1V。然而,由于市面上的内存质量不同,最佳工作电压亦相应不同,如A公司的内存工作在1.8V时能获得最佳性能,B公司的内存工作在1.88V时能获得最佳性能。现在的做法只能固定一个工作电压1.8V或1.88V,这样的话,在组装系统时内存的选择范围将大大减少,较为不便。
技术实现思路
鉴于上述状况,有必要提供一种能根据需要调节输出至内存的电压值的内存供电电路。一种内存供电电路,包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关,该PWM控制器的电源引脚与电压源相连,高门槛引脚与第一场效应管的栅极相连,低门槛引脚与第二场效应管的栅极相连,相位引脚与第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极相连,该第一场效应管的漏极通过第一电感与电压源相连,该第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极之间的节点还依序通过第二电感及第一电阻与PWM控制器的反相输入引脚相连,该PWM控制器的反相输入引脚还直接通过第二电阻接地以及通过第三电阻与电子开关的第一端相连,该电子开关的第二端接地,控制端与主板上的通用输入输出引脚相连,该第二电感与第一电阻之间的节点用于输出第一电压或第二电压至内存以为内存提供工作电压,其中 ...
【技术保护点】
一种内存供电电路,包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关,所述PWM控制器的电源引脚与电压源相连,高门槛引脚与第一场效应管的栅极相连,低门槛引脚与第二场效应管的栅极相连,相位引脚与第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极相连,所述第一场效应管的漏极通过第一电感与电压源相连,所述第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极之间的节点还依序通过第二电感及第一电阻与PWM控制器的反相输入引脚相连,所述PWM控制器的反相输入引脚还直接通过第二电阻接地以及通过第三电阻与电子开关的第一端相连,所述电子开关的第二端接地,控制端与主板上的通用输入输出引脚相连,所述第二电感与第一电阻之间的节点用于输出第一电压或第二电压至内存以为内存提供工作电压,其中所述第一至第三电阻的电阻值与第一及第二电压满足以下公式:Vout1=0.8*(1+r1/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(1+r1/r2),其中Vout1及Vout2分别表示第一及第二电压,r1表示第一电阻的电阻值,r2表示第二电阻的电阻值,r3表示第三电阻的电阻值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赖超荣,
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司,鸿海精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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