【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种激光驱动电路，并且更具体地，涉及一种窄脉冲半导体激光器驱动电路。
技术介绍
激光雷达传感器被广泛应用于交通、医疗、制造等行业，激光雷达传感器的测距性能和扫描精准度受半导体激光器驱动电路性能的制约。目前普遍应用的半导体激光器脉冲驱动电路存在以下不足：例如结构比较复杂，输入端口多，通用性低；驱动信号上升沿大，半导体激光器功率低，发光不稳定；需要外部提供高压电源，造成半导体激光器驱动模块体积较大，不利于多线扫描小型化集成等。
技术实现思路
根据本技术的一个方面，提供了一种窄脉冲半导体激光器驱动电路，包括：升压电路(101),包括：外接的第一电源(V1)、升压脉冲信号(TTLOUT1)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电容(C1)和第一开关管(Q1)，其中所述升压电路的输入端的一端与外接的第一电源(V1)相连接，另一端与升压脉冲信号(TTLOUT1)相连接，输出端与半导体激光器发光电路(102)相连接，用于产生激励激光管发光的高压；半导体激光器发光电路(102),包括：放电脉冲信号(TTLOUT2)、半导体激光器...
【技术保护点】
一种窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于,所述电路包括：升压电路(101)，包括：外接的第一电源(V1)、升压脉冲信号(TTLOUT1)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电容(C1)和第一开关管(Q1)，其中所述升压电路的输入端的一端与外接的第一电源(V1)相连接，另一端与升压脉冲信号(TTLOUT1)相连接，输出端与半导体激光器发光电路(102)相连接，用于产生激励激光管发光的高压；半导体激光器发光电路(102),包括：放电脉冲信号(TTLOUT2)、半导体激光器(LD)、第三二极管(D3)、第二开关管(Q2)、第二电容(...
【技术特征摘要】
1.一种窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于,所述电路包括：升压电路(101)，包括：外接的第一电源(V1)、升压脉冲信号(TTLOUT1)、第一电感(L1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电容(C1)和第一开关管(Q1)，其中所述升压电路的输入端的一端与外接的第一电源(V1)相连接，另一端与升压脉冲信号(TTLOUT1)相连接，输出端与半导体激光器发光电路(102)相连接，用于产生激励激光管发光的高压；半导体激光器发光电路(102),包括：放电脉冲信号(TTLOUT2)、半导体激光器(LD)、第三二极管(D3)、第二开关管(Q2)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第二电阻(R2)，用于控制激光管发光；以及开关管驱动电路(103),包括：外部升压驱动信号(TTLIN1)、外部放电驱动信号(TTLIN2)、外接的第二电源(V2)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、开关管驱动芯片(U1)、升压脉冲信号(TTLOUT1)和放电脉冲信号(TTLOUT2)，用于放大整形外部驱动信号。2.根据权利要求1所述的一种窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于,所述第一电源(V1)与第一电感(L1)一端相连接，所述第一电感(L1)另一端分别与第一二极管(D1)的正极和第一开光管(Q1)相连接，所述第一开关管(Q1)的信号输入端与升压脉冲信号(TTLOUT1)相连接，所述第一二极管(D1)的负极与第一电容(C1)一端相连接，所述第一电容(C1)为升压电路储能电容，另一端与第一开关管(Q1)相连并接地，所述第二二极管(D2)正极与第一二极管(D1)负极相连接，所述第二二极管(D2)作用为整流。3.根据权利要求1所述的一种窄脉冲半导体激光器驱动电路，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：马胜利，王泮义，王庆飞，
申请(专利权)人：北京万集科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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