有机发光二极管组件和灯具制造技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管组件，包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料层和空穴传输层，其中，所述有机发光二极管组件还包括磁场提供单元，所述磁场提供单元用于提供磁场，当所述磁场提供单元提供磁场时，所述有机发光二极管的至少一部分位于所述磁场内，所述有机发光二极管的电子传输层由电子迁移率随磁场变化而变化的材料制成，和/或所述有机发光二极管的空穴传输层由空穴迁移率随磁场变化而变化的材料制成。本发明专利技术还提供一种灯具。在所述发光二极管组件中，通过设置磁场提供单元所提供的磁场的强度可以确定有机发光二极管的发光颜色。从而提供了一种新型的有机发光二极管组件，丰富了市场，为用户提供了更多的选择。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及照明装置领域，具体地，涉及一种有机发光二极管组件和一种包括该有机发光二极管组件的灯具。
技术介绍
由于亮度高、耗电量低等优点，有机发光二极管已经在照明领域得到了广泛的应用。有机发光二极管包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和阴极。通过改变发光材料层的材料可以使得有机发光二极管发出不同颜色的光。但是，目前有机发光二极管结构单一，无法满足市场多元化的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机发光二极管组件和一种包括该有机发光二极管组件的灯具，从而为消费者提供一种新的选择，满足多元化的市场需求。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种有机发光二极管组件，所述有机发光二极管组件包括有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料层和空穴传输层，所述有机发光二极管组件还包括磁场提供单元，所述磁场提供单元用于提供磁场，当所述磁场提供单元提供磁场时，所述有机发光二极管的至少一部分位于所述磁场内，所述有机发光二极管的电子传输层由电子迁移率随磁场变化而变化的材料制成，和/或所述有机发光二极管的空穴传输层由空穴迁移率随磁场变化而变化的材料制成。优选地，所述磁场提供单元能够提供磁场强度可调的磁场。优选地，所述磁场提供单元提供的磁场能够在0mT至500mT之间调节。优选地，所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料和空穴传输层，其中，有机发光二极管包括电子传输层和所述空穴传输层满足以下关系中的任意一者：所述电子传输层的材料的电子迁移率不随磁场强度变化而变化，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度正相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率不随磁场强度变化而变化，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度反相关；所述空穴传输层的材料的空穴迁移率不随磁场强度变化而变化，所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度正相关；所述空穴传输层的材料的空穴迁移率不随磁场强度变化而变化，所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度反相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度正相关，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度反相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度反相关，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度正相关。优选地，所述有机发光二极管组件还包括基板，所述有机发光二极管和所述磁场生单元均设置在所述基板上。优选地，所述磁场提供单元包括射频磁场提供装置。优选地，所述磁场提供单元设置在所述有机发光二极管的一侧；或者所述射频磁场提供装置包括第一射频磁场提供装置和第二射频磁场提供装置，所述第一射频磁场提供装置和所述第二射频磁场提供装置分别设置在所述有机发光二极管的两侧。优选地，所述磁场提供单元包括第一电磁提供电极和第二电磁提供电极，所述有机发光二极管设置在所述第一电磁提供电极和所述第二电磁提供电极之间。优选地，所述有机发光二极管组件还包括基板，所述基板包括第一安装表面、与所述第一安装表面相对的第二安装表面、连接所述第一安装表面和所述第二安装表面的第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一电磁提供电极设置在所述第一安装表面上，所述有机发光二极管设置在所述第二安装表面上，所述第二电磁提供电极设置在所述有机发光二极管上，以使得所述第一电磁提供电极、所述基板、所述有机发光二极管和所述第二电磁提供电极依次层叠设置；或者，所述有机发光二极管设置在所述第二安装表面上，所述第一电磁提供电极与所述第一侧面连接，所述第二电磁提供电极与所述第二侧面连接。优选地，所述有机发光材料层的LUMO能级比所述电子传输层的LUMO能级高0.3eV至0.8eV，所述有机发光材料层的HOMO能级比所述电子传输层的HOMO能级高0.3eV至0.8eV。作为本专利技术的另一个方面，提供一种灯具，所述灯具包括有机发光二极管组件，其中，所述有机发光二极管组件为本专利技术所提供的上述有机发光二极管组件。优选地，所述磁场提供单元能够提供磁场强度可调的磁场，所述灯具还包括磁场调节模块，所述磁场调节模块用于调节所述磁场提供单元提供的磁场的强度。在所述发光二极管组件中，通过设置磁场提供单元所提供的磁场的强度可以确定有机发光二极管的发光颜色。从而提供了一种新型的有机发光二极管组件，丰富了市场，为用户提供了更多的选择。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术所提供的有机发光二极管组件的第一种实施方式的示意图；图2是本专利技术所提供的有机发光二极管组件的第二种实施方式的示意图；图3是本专利技术所提供的有机发光二极管组件的第三种实施方式的示意图；图4是本专利技术所提供的有机发光二极管组件的第四种实施方式的示意图；图5是本专利技术所提供的灯具的示意图；图6a表示磁场使电子积累，导致发光波长向短波方向移动；图6b表示磁场使空穴积累，导致发光波长向长波方向移动；图6c表示界面电子积累发蓝光的示意图；图6d表示界面空穴积累发红光的示意图；图6e表示界面电子、空穴成一定比例发白光的示意图。附图标记说明100：有机发光二极管200：基板300：磁场提供单元310：第一射频磁场提供装置320：第二射频磁场提供装置330：第一电磁提供电极340：第二电磁提供电极具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种有机发光二极管组件，所述有机发光二极管组件包括有机发光二极管100，有机发光二极管100具有层状结构，具体地，包括空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层，其中，所述有机发光二极管组件还包括磁场提供单元300，该磁场提供单元300用于提供磁场，当磁场提供单元300提供磁场时，有机发光二极管100的至少一部分位于所述磁场内，所述有机发光二极管的电子传输层由电子迁移率随磁场变化而变化的材料制成，和/或所述有机发光二极管的空穴传输层由空穴迁移率随磁场变化而变化的材料制成。本领域技术人员容易理解的是，有机发光二极管100还阳极和阴极。在有机发光二极管100发光时，有机发光二极管100中的电子和空穴不能达到绝对的平衡，因此，电子和空穴将在有机发光二极管100的有机发光材料层两侧的界面处积累。电子和空穴的积累会导致激子能量增加而向更高的能级跃迁。在相同的有机发光二极管中，不同的载流子积累模式会导致有机发光二极管发光光谱变化。图6a和图6b中所示的是波长与发光强度之间的关系图。具体地，图6a表示磁场使电子积累，导致发光波长向短波方向移动；图6b表示磁场使空穴积累，导致发光波长向长波方向移动。当有机发光材料层的界面处电子积累占据主导时，电子会有更高的能量而跃迁到界面处更高的LUMO能级，从而实现宽带系的发射得到短波长的光谱。如图6c中所示，界面电子累积，产生蓝光(aug)发射。当界面处空穴积累占据主导时，由于设计的器件结构能级差较大，空穴无法跃迁到更低的HOMO能级，有机发光二极管将实现长波长发射，如图中6d所示，界面空穴累积，产生红光(exc)发射。当合理调控电子与空穴的传输能力时，可以实现长波长(红)与短波长(蓝)的共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管组件，所述有机发光二极管组件包括有机发光二极管，其特征在于所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料层和空穴传输层，所述有机发光二极管组件还包括磁场提供单元，所述磁场提供单元用于提供磁场，当所述磁场提供单元提供磁场时，所述有机发光二极管的至少一部分位于所述磁场内，所述有机发光二极管的电子传输层由电子迁移率随磁场变化而变化的材料制成，和/或所述有机发光二极管的空穴传输层由空穴迁移率随磁场变化而变化的材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管组件，所述有机发光二极管组件包括有机发光二极管，其特征在于所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料层和空穴传输层，所述有机发光二极管组件还包括磁场提供单元，所述磁场提供单元用于提供磁场，当所述磁场提供单元提供磁场时，所述有机发光二极管的至少一部分位于所述磁场内，所述有机发光二极管的电子传输层由电子迁移率随磁场变化而变化的材料制成，和/或所述有机发光二极管的空穴传输层由空穴迁移率随磁场变化而变化的材料制成。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管组件，其特征在于，所述磁场提供单元能够提供磁场强度可调的磁场。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管组件，其特征在于，所述磁场提供单元提供的磁场能够在0mT至500mT之间调节。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管组件，其特征在于，所述有机发光二极管包括电子传输层、有机发光材料和空穴传输层，其中，有机发光二极管包括电子传输层和所述空穴传输层满足以下关系中的任意一者：所述电子传输层的材料的电子迁移率不随磁场强度变化而变化，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度正相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率不随磁场强度变化而变化，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度反相关；所述空穴传输层的材料的空穴迁移率不随磁场强度变化而变化，所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度正相关；所述空穴传输层的材料的空穴迁移率不随磁场强度变化而变化，所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度反相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度正相关，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度反相关；所述电子传输层的材料的电子迁移率与磁场强度反相关，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率与磁场强度正相关。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管组件，其特征在于，所述有机发光二极管组件还包括基板，所述有机发光二极管和所述磁场生单元均设置在所述基板上。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的有机发光二极管组...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈栋，梁逸南，孔超，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51