一种LCOS显示装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LCOS显示装置及制造方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。本发明专利技术的LCOS显示装置利用超晶格堆栈结构吸收了LCOS显示装置发出的紫外光，改善了现有LCOS显示装置由于被紫外光侵蚀而导致出现残像或永久性变暗的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种LCOS显示装置及制造方法。
技术介绍
LCOS(LiquidCrystalonSilicon，液晶附硅)显示装置是一种新型的反射式投影显示装置，其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面。与穿透式LCD(LiquidCrystalDisplay)和DLP(DigitalLightProcession)显示装置相比，LCOS显示装置具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点，其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。上述优点使得LCOS显示装置在今后的大屏幕显示应用领域具有很大的优势。图1示出了现有技术中的LCOS显示装置的结构示意图。由图1可见，所述LCOS显示装置包括硅片1和衬底5，所述硅片1和衬底5之间形成有液晶材料层3和框胶2，所述液晶材料层3由框胶2保护。具体的，该衬底5朝向硅片1的一侧形成有ITO电极层，背离硅片1的一侧形成有抗反射层6。在实际生产中发现，这种LCOS显示装置容易出现残像或永久性变暗等问题，降低了LCOS显示装置的使用寿命，也影响着用户体验。因此，如何解决这一问题，成为本领域技术人员攻坚的一方向。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种LCOS显示装置及制造方法，以解决现有技术中出现残像或永久性变暗的问题。本专利技术的另一目的在于提高LCOS显示装置的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术提供的LCOS显示装置的制造方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述超晶格堆栈结构通过如下步骤形成：在所述衬底的一面上形成初始堆栈结构，所述初始堆栈结构由SiO2层和SiOx层交替堆叠组成，其中，1<x<2；进行热退火工艺，使得SiOx层转变为纳米晶硅层，获得超晶格堆栈结构。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述初始堆栈结构中SiO2层和SiOx层交替堆叠组数为5组以上。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，在每组中，SiO2层的厚度相同或不同，SiOx层的厚度相同或不同。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，每一所述SiO2层的厚度为2-5nm，每一所述SiOx层的厚度为1-5nm。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，经热退火工艺后，转变成的纳米晶硅层中纳米晶硅的粒径为1-5nm。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述热退火工艺的温度为1000℃以上，持续时间1小时以上，在氮气或者氢气氛围中进行。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，在形成超晶格堆栈结构之后，在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层之前，还包括：在所述超晶格堆栈结构中形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底。可选的，对于所述的LCOS显示装置的制造方法，所述液晶硅片包括一框胶，所述通孔靠近所述框胶。相应的，本专利技术还提供一种LCOS显示装置，包括液晶硅片和衬底，所述衬底的一面上依次形成有超晶格堆栈结构和抗反射层，所述衬底的另一面上形成有电极层，所述衬底通过所述电极层与所述液晶硅片相贴合。在本专利技术提供的LCOS显示装置及制造方法中，在衬底的一面上形成超晶格堆栈结构，从而利用超晶格堆栈结构吸收了LCOS显示装置发出的紫外光，并且由此紫外光激发出红光或近红光，相比现有技术，不仅改善了现有LCOS显示装置由于被紫外光侵蚀而导致出现残像或永久性变暗的问题，同时还提高了显示效果。附图说明图1为现有技术中的LCOS显示装置的结构示意图；图2本专利技术中的LCOS显示装置制造方法的流程图；图3-图8为本专利技术中的LCOS显示装置在制造过程中的结构示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的LCOS显示装置及制造方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。专利技术人在长期研究工作中发现，现有技术中的LCOS显示装置之所以容易出现残像或永久性变暗等问题，是由于该LCOS显示装置的液晶会产生紫外光，在紫外光的照射下，LCOS显示装置出现残像或永久性变暗。基于此，专利技术人在LCOS显示装置的衬底上新增一层超晶格堆栈结构，通过该超晶格堆栈结构将紫外光吸收转化，从而解决上述技术问题。以下列举所述LCOS显示装置的制造方法的较优实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本专利技术的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本专利技术的思想范围之内。图2为本专利技术中的LCOS显示装置的制造方法的流程图。如图2所示，本实施例的LCOS显示装置的制造方法，包括如下步骤：步骤S101，提供衬底；步骤S102，在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；步骤S103，在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及步骤S104，将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。图3-图8为本专利技术中的LCOS显示装置在制造过程中的结构示意图。下面结合图3-图8更详细的描述本专利技术提供的LCOS显示装置及制造方法。首先，执行步骤S101，如图3所示，提供衬底32。在本专利技术的较佳选择中，所述衬底选择为石英衬底或者蓝宝石衬底，从而可以不必担心后续热退火时对衬底的损坏。当然，本专利技术并不限制衬底的类型，其他衬底也是可以的。接着，执行步骤S102，在所述衬底32的一面上形成超晶格堆栈结构33。具体的，本步骤包括，首先，如图4所示，在所述衬底32的一面上形成SiO2层331/SiOx层332的初始堆栈结构，x为正数。在本专利技术的优选实施例中，所述初始堆栈结构可以由磁控溅射、电子束蒸发或者热蒸方式形成。所述初始堆栈结构包括层叠的SiO2层331和SiOx层332，较佳的，SiO2层331和SiOx层332交替堆叠组数为5组以上，即以一层SiO2层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电极层；以及将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。

【技术特征摘要】
1.一种LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底；
在所述衬底的一面上形成超晶格堆栈结构；
在所述超晶格堆栈结构上形成抗反射层，并在所述衬底的另一面上形成电
极层；以及
将所述衬底通过所述电极层与一液晶硅片贴合。
2.根据权利要求1所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，所述
超晶格堆栈结构通过如下步骤形成：
在所述衬底的一面上形成初始堆栈结构，所述初始堆栈结构由SiO2层和
SiOx层交替堆叠组成，其中，1<x<2；
进行热退火工艺，使得SiOx层转变为纳米晶硅层，获得超晶格堆栈结构。
3.根据权利要求2所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，所述
初始堆栈结构中SiO2层和SiOx层交替堆叠组数为5组以上。
4.根据权利要求3所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，在每
组中，SiO2层的厚度相同或不同，SiOx层的厚度相同或不同。
5.根据权利要求4所述的LCOS显示装置的制造方法，其特征在于，每一
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜玙璠，李端鹏，
申请(专利权)人：豪威半导体上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：上海;31