具有高集成度的半导体器件制造技术

本公开可以提供一种具有稳定结构和低制造难度的半导体器件。该器件可以包括：交替地层叠的导电层和绝缘层；穿过导电层和绝缘层的多个柱体；以及多个沉积禁止图案，每个沉积禁止图案沿每个柱体的侧壁与每个导电层之间的界面的一部分以及沿每个绝缘层与每个导电层之间的界面的一部分形成。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年7月22日提交的申请号为10-2015-0103965的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开涉及一种半导体器件及制造其的方法，具体地，涉及一种三维半导体器件及制造其的方法。
技术介绍
非易失性存储器件可以在断电状态下维持已经储存的数据。由于具有硅衬底上的单层存储单元的二维存储器件已经在集成度方面达到最大限度，因此已经提出了具有形成在硅衬底上的垂直存储单元层叠的三维非易失性存储器件。三维非易失性存储器件具有垂直交替的导电层和绝缘层以实现存储单元层叠。例如，交替牺牲层和绝缘层，然后用导电层取代牺牲层。然而，难以恰当地执行取代工艺，且由于导电层中剩余的反应气体而可能出现对附近层的破坏。这可能降低产率，且存储器件的性能可能劣化。
技术实现思路
实施例针对一种具有稳定结构和低制造难度的半导体器件以及制造其的方法。在本公开的一个方面中，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一缝隙绝缘层和第二缝隙绝缘层，每个缝隙绝缘层沿第一方向延伸；层叠结构，包括交替地层叠的导电层和绝缘层，且被设置在第一缝隙绝缘层与第二缝隙绝缘层之间，其中，层叠结构包括第一区、第二区和第三区，其中，第一区接触第一缝隙绝缘层，其中，第二区接触第二缝隙绝缘层，其中，第三区被限定在第一区与第二区之间；沿第一方向布置的多个第一柱体，每个第一柱体穿过层叠结构的第一区；沿第一方向布置的多个第二柱体，每个第二柱体穿过层叠结构的第二区；以及多个第一沉积禁止图案，每个第一沉积禁止图案设置在第一区中的导电层中的每个与绝缘层中的每个之间，每个第一沉积禁止图案围绕第一柱体中的每个的侧壁的至少一部分。在本公开的一个方面中，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：交替地层叠的导电层和绝缘层；穿过导电层和绝缘层的多个柱体；以及多个沉积禁止图案，每个沉积禁止图案沿柱体中的每个的侧壁与导电层中的每个之间的界面的一部分以及沿绝缘层中的每个与导电层中的每个之间的界面的一部分形成。在本公开的一个方面中，提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：交替地形成牺牲层和绝缘层；形成多个柱体，每个柱体穿过牺牲层和绝缘层；形成缝隙，所述缝隙穿过牺牲层和绝缘层，所述缝隙沿第一方向延伸；通过经由缝隙去除牺牲层来形成开口；形成沉积禁止层，沉积禁止层至少部分地围绕柱体中的每个的侧壁和绝缘层中的每个，所述侧壁通过开口中的每个而暴露；以及分别在开口中形成导电层。根据本公开，可以使用围绕柱体的侧壁的至少一部分的沉积禁止图案来形成栅电极。这样，栅电极可以由于在其中未包含空隙而具有高的密实度。这可以使得半导体器件具有稳定结构和低制造难度。附图说明提供了对每个附图的简要描述以更充分地理解附图，该简要描述包含在本公开的详细描述中。图1A是根据本公开的一种实施方式的半导体器件的透视图。图1B至图1D图示图1A中的结构的细节。图1B是图1A的剖视图；图1C是沿图1B的III-III’线截取得到的平面图；以及图1D是沿图1B的IV-IV’线截取得到的平面图。图2A是根据本公开的一种实施方式的半导体器件的剖视图。图2B是沿图2A的III-III’线截取得到的平面图；图2C是沿图2A的IV-IV’线截取得到的平面图。图3A是根据本公开的一种实施方式的半导体器件的透视图。图3B至图3D图示图3A中的结构的细节。图3B是图3A的剖视图；图3C是沿图3B的III-III’线截取得到的平面图；以及图3D是沿图3B的IV-IV’线截取得到的平面图。图4A是根据本公开的一种实施方式的半导体器件的剖视图。图4B是沿图4A中的III-III’线截取得到的平面图；图4C是沿图4A中的IV-IV’线截取得到的平面图。图5A至图10A以及图5B至图10B图示根据本公开的一种实施方式的制造半导体器件的方法。图5A至图10A中的每个图示剖视图。图5B至图10B中的每个图示平面图。图11A、图11B、图12A和图12B图示根据本公开的一种实施方式的制造半导体器件的方法。图11A至图12A中的每个图示剖视图。图11B至图12B中的每个图示平面图。图13图示根据本公开的一种实施方式的存储系统的框图。图14图示根据本公开的一种实施方式的存储系统的框图。图15图示根据本公开的一种实施方式的计算系统的框图。图16图示根据本公开的一种实施方式的计算系统的框图。具体实施方式各种实施例的示例在附图中示出且在以下进一步描述。将理解的是，本文中的讨论并非意在将权利要求限制为所描述的特定实施例。相反地，其意在覆盖可能包括在由所附权利要求书所限定的本公开的精神和范围之内的替代、修改和等同物。将参照附图来更详细地描述示例性实施例。然而，本公开可以以各种不同的形式来实施，而不应当被解释为局限于仅本文中所阐述的实施例。相反地，这些实施例被提供作为示例使得本公开将彻底且完整，且这些实施例将把本公开的方面和特征充分传达给本领域技术人员。将理解的是，虽然在本文中可能使用了术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语被用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将以下所描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。将理解的是，当一个元件或层被称作在另一个元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接或耦接至另一个元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。此外，还将理解的是，当一个元件或层被称作在两个元件或层之间时，其可以为两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。本文中所使用的术语仅是用于描述特定示例性实施例的目的，而非意在限制本公开。如本文中所使用的，除非上下文清楚地另外指示，否则单数形式“一个”意在也包括复数形式。还将理解的是，术语“包括”和“包含”在本说明书中被使用时指定所阐述的特征、整体、操作、元件和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、操作、元件、组件和/或其组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关的列出项中的一种或更多种的任意组合和所有组合。在一列元件之前的诸如“…的至少一种”的表达可以修饰整列元件，而不能修饰列中的单独元件。除非另外限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术构思所属领域的技术人员通常所理解的意思相同的意思。还将理解的是，诸如在通用字典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的环境中的意思一致的意思，而将不以理想化的意义或过于正式的意义(除非在本文中被明确地如此定义)来解释。在下面的描述中，阐述了若干特定细节以提供对本公开的透彻理解。可以在无这些特定细节中的一些或全部的情况下实施本公开。在其它情况下，未详细描述众所周知的工艺结构和/或工艺，以便不会不必要地混淆本公开。在下文中，将参照附图来详细描述本公开的各种实施例。图1A是根据本公开的一种实施方式的半导体器件的透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一缝隙绝缘层和第二缝隙绝缘层，每个缝隙绝缘层沿第一方向延伸；层叠结构，层叠结构包括交替地层叠的导电层和绝缘层，且被设置在第一缝隙绝缘层与第二缝隙绝缘层之间，其中，层叠结构包括第一区、第二区和第三区，其中，第一区接触第一缝隙绝缘层，其中，第二区接触第二缝隙绝缘层，其中，第三区被限定在第一区与第二区之间；多个第一柱体，所述多个第一柱体沿第一方向布置，每个第一柱体穿过层叠结构的第一区；多个第二柱体，所述多个第二柱体沿第一方向布置，每个第二柱体穿过层叠结构的第二区；以及多个第一沉积禁止图案，每个第一沉积禁止图案设置在第一区中的导电层中的每个与绝缘层中的每个之间，每个第一沉积禁止图案围绕所述多个第一柱体中的每个的侧壁的至少一部分。

【技术特征摘要】
2015.07.22 KR 10-2015-01039651.一种半导体器件，包括：第一缝隙绝缘层和第二缝隙绝缘层，每个缝隙绝缘层沿第一方向延伸；层叠结构，层叠结构包括交替地层叠的导电层和绝缘层，且被设置在第一缝隙绝缘层与第二缝隙绝缘层之间，其中，层叠结构包括第一区、第二区和第三区，其中，第一区接触第一缝隙绝缘层，其中，第二区接触第二缝隙绝缘层，其中，第三区被限定在第一区与第二区之间；多个第一柱体，所述多个第一柱体沿第一方向布置，每个第一柱体穿过层叠结构的第一区；多个第二柱体，所述多个第二柱体沿第一方向布置，每个第二柱体穿过层叠结构的第二区；以及多个第一沉积禁止图案，每个第一沉积禁止图案设置在第一区中的导电层中的每个与绝缘层中的每个之间，每个第一沉积禁止图案围绕所述多个第一柱体中的每个的侧壁的至少一部分。2.如权利要求1所述的器件，其中，在第二方向上彼此相邻的第一柱体与第二柱体具有交错的布置，第二方向与第一方向交叉。3.如权利要求2所述的器件，还包括多个第二沉积禁止图案，每个第二沉积禁止图案设置在第二区中的导电层中的每个与绝缘层中的每个之间，每个第二沉积禁止图案围绕所述多个第二柱体中的每个的侧壁的至少一部分。4.如权利要求1所述的器件，还包括：多个第三柱体，所述多个第三柱体沿第一方向布置，每个第三柱体穿过第三区中的层叠结构；以及多个第四柱体，所述多个第四柱体沿第一方向布置，每个第四柱体穿过第三区中的层叠结构，其中，第一柱体与第三柱体在第二方向上彼此相邻且具有交错的布置，第二方向与第一方向交叉，以及其中，第二柱体与第四柱体在第二方向上彼此相邻且具有交错的布置。5.如权利要求1所述的器件，其中，第一柱体位于第一区中，以及其中，所述多个第一沉积禁止图案中的每个围绕所述多个第一柱体中的每个的整个侧壁。6.如权利要求1所述的器件，其中，第一柱体位于第一区与第三区之间的边界处，以及其中，所述多个第一沉积禁止图案中的每个仅围绕所述多个第一柱体中的每个的侧壁的一部分。7.如权利要求6所述的器件，其中，所述多个第一柱体中的每个的侧壁的所述部分面向第一缝隙绝缘层，所述部分被每个第一沉积禁止图案围绕。8.如权利要求1所述的器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣镇，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR