用于微型温室的温度控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于微型温室的温度控制电路，其与微控制器配合使用，所述温度控制电路包括制冷制热单元，所述制冷制热单元包括至少一个H桥式电路，所述H桥式电路包括半导体制冷片、第一至第四三极管、第一至第四场效应管，第一至第八电阻。与现有技术相比，本实用新型专利技术能够利用所述半导体制冷片制冷或制热，实时调节微型温室内的温度，并利用散热单元快速进行热量交换，提高制冷制热的效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于微型温室的温度控制电路。
技术介绍
在现代家庭生活中，通常会在室内设置一些微型温室用于种植观赏用植物。但是传统微型温室环境的监控都采用人工方式,这种传统数据采集方法耗时耗力，准确性不高,而且容易受到其他因素干扰,很难达到预期的效果。特别是在培育植物的过程中，环境中各种因素会对植物的生长造成一定的影响，其中温度因素对植物生产尤其重要。如果温度的昼夜变化比较大，将会对植物的生长造成不利影响。因此有必要设计一种温度控制电路来解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够自动调节微型温室内的温度的温度控制电路。为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案如下：一种用于微型温室的温度控制电路，其与微控制器配合使用，所述温度控制电路包括制冷制热单元，所述制冷制热单元包括至少一个H桥式电路，所述H桥式电路包括半导体制冷片、第一至第四三极管、第一至第四场效应管，第一至第八电阻，其中：所述第一电阻连接在微控制器的第一控制端和第一三极管的基极之间，所述第二电阻连接在微控制器的第一控制端和第二三极管的基极之间，所述第三电阻连接在第一三极管的集电极与电源之间，所述第四电阻连接在第二三极管的集电极与电源之间，所述第五电阻连接在微控制器的第二控制端和第三三极管的基极之间，所述第六电阻连接在微控制器的第二控制端和第四三极管的基极之间，所述第七电阻连接在第三三极管的集电极与电源之间，所述第八电阻连接在第四三极管的集电极与电源之间，所述第一至第四三极管的发射极均接地，所述第一场效应管的源极与电源连接，第一场效应管的栅极与第一三极管的集电极连接，第一场效应管的漏极与半导体制冷片的负极连接，所述第二场效应管的源极与电源连接，第二场效应管的栅极与第三三极管的集电极连接，第二场效应管的漏极与半导体制冷片的正极连接，所述第三场效应管的源极与第一场效应管的漏极连接，第三场效应管的栅极与第二三极管的集电极连接，第三场效应管的漏极接地，所述第四场效应管的源极与第二场效应管的漏极连接，第四场效应管的栅极与第四三极管的集电极连接，第四场效应管的漏极接地。优选的，所述温度控制电路还包括用于快速进行热量交换的散热单元、用于实时显示微型温室内温度的显示单元和用于提醒温度超过正常范围的报警单元。优选的，所述第一至第四三极管均为NPN型三极管，所述第一场效应管和第二场效应管均为P沟道增强型场效应管，所述第三场效应管和第四场效应管均为N沟道增强型场效应管。与现有技术相比，本技术用于微型温室的温度控制电路的有益效果在于：本技术能够利用所述半导体制冷片制冷或制热，实时调节微型温室内的温度，并利用散热单元快速进行热量交换，提高制冷制热的效率。附图说明图1为本技术所述制冷制热单元一实施例的电路结构原理图。图中各标记如下：Q1、第一三极管；Q2、第二三极管；Q3、第三三极管；Q4、第四三极管；Q5、第一场效应管；Q6、第二场效应管；Q7、第三场效应管；Q8、第四场效应管；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；R8、第八电阻；U、半导体制冷片；A、微控制器的第一控制端；B、微控制器的第二控制端。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术进一步进行描述。请参阅图1所示，本技术提供一种用于微型温室的温度控制电路，其与微控制器配合使用，所述温度控制电路包括制冷制热单元，所述制冷制热单元包括至少一个H桥式电路，所述H桥式电路包括半导体制冷片U、第一至第四三极管、第一至第四场效应管，第一至第八电阻，其中，所述第一至第四三极管均为NPN型三极管，所述第一场效应管Q5和第二场效应管Q6均为P沟道增强型场效应管，所述第三场效应管Q7和第四场效应管Q8均为N沟道增强型场效应管。所述H桥式电路中各元件的连接方式为：所述第一电阻R1连接在微控制器的第一控制端A和第一三极管Q1的基极之间，所述第二电阻R2连接在微控制器的第一控制端A和第二三极管Q2的基极之间，所述第三电阻R3连接在第一三极管Q1的集电极与电源之间，所述第四电阻R4连接在第二三极管Q2的集电极与电源之间，所述第五电阻R5连接在微控制器的第二控制端B和第三三极管Q3的基极之间，所述第六电阻R6连接在微控制器的第二控制端B和第四三极管Q4的基极之间，所述第七电阻R7连接在第三三极管Q3的集电极与电源之间，所述第八电阻R8连接在第四三极管Q4的集电极与电源之间，所述第一至第四三极管Q4的发射极均接地，所述第一场效应管Q5的源极与电源连接，第一场效应管Q5的栅极与第一三极管Q1的集电极连接，第一场效应管Q5的漏极与半导体制冷片U的负极连接，所述第二场效应管Q6的源极与电源连接，第二场效应管Q6的栅极与第三三极管Q3的集电极连接，第二场效应管Q6的漏极与半导体制冷片U的正极连接，所述第三场效应管Q7的源极与第一场效应管Q5的漏极连接，第三场效应管Q7的栅极与第二三极管Q2的集电极连接，第三场效应管Q7的漏极接地，所述第四场效应管Q8的源极与第二场效应管Q6的漏极连接，第四场效应管Q8的栅极与第四三极管Q4的集电极连接，第四场效应管Q8的漏极接地。在本技术中，所述温度控制电路还包括用于快速进行热量交换的散热单元、用于实时显示微型温室内温度的显示单元和用于提醒温度超过正常范围的报警单元，所述散热单元包括风扇。在本实施例中，外部电源给所述温度控制电路供电，所述电源的输出电压为12V。使用时，所述微控制器的第一控制端A和第二控制端B输出控制指令，使半导体制冷片U通电，并通过改变半导体制冷片U的电流方向，来控制半导体制冷片U制冷或者制热。所述散热单元能够启动风扇工作，加速空气流动，从而实现快速降温或升温。采用这种温度控制方式，不需要任何制冷剂，可连续工作，没有污染源，安装容易，使用寿命长。以上示意性的对本技术及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于微型温室的温度控制电路，其与微控制器配合使用，其特征在于，所述温度控制电路包括制冷制热单元，所述制冷制热单元包括至少一个H桥式电路，所述H桥式电路包括半导体制冷片、第一至第四三极管、第一至第四场效应管，第一至第八电阻，其中：所述第一电阻连接在微控制器的第一控制端和第一三极管的基极之间，所述第二电阻连接在微控制器的第一控制端和第二三极管的基极之间，所述第三电阻连接在第一三极管的集电极与电源之间，所述第四电阻连接在第二三极管的集电极与电源之间，所述第五电阻连接在微控制器的第二控制端和第三三极管的基极之间，所述第六电阻连接在微控制器的第二控制端和第四三极管的基极之间，所述第七电阻连接在第三三极管的集电极与电源之间，所述第八电阻连接在第四三极管的集电极与电源之间，所述第一至第四三极管的发射极均接地，所述第一场效应管的源极与电源连接，第一场效应管的栅极与第一三极管的集电极连接，第一场效应管的漏极与半导体制冷片的负极连接，所述第二场效应管的源极与电源连接，第二场效应管的栅极与第三三极管的集电极连接，第二场效应管的漏极与半导体制冷片的正极连接，所述第三场效应管的源极与第一场效应管的漏极连接，第三场效应管的栅极与第二三极管的集电极连接，第三场效应管的漏极接地，所述第四场效应管的源极与第二场效应管的漏极连接，第四场效应管的栅极与第四三极管的集电极连接，第四场效应管的漏极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种用于微型温室的温度控制电路，其与微控制器配合使用，其特征在于，所述温度控制电路包括制冷制热单元，所述制冷制热单元包括至少一个H桥式电路，所述H桥式电路包括半导体制冷片、第一至第四三极管、第一至第四场效应管，第一至第八电阻，其中：所述第一电阻连接在微控制器的第一控制端和第一三极管的基极之间，所述第二电阻连接在微控制器的第一控制端和第二三极管的基极之间，所述第三电阻连接在第一三极管的集电极与电源之间，所述第四电阻连接在第二三极管的集电极与电源之间，所述第五电阻连接在微控制器的第二控制端和第三三极管的基极之间，所述第六电阻连接在微控制器的第二控制端和第四三极管的基极之间，所述第七电阻连接在第三三极管的集电极与电源之间，所述第八电阻连接在第四三极管的集电极与电源之间，所述第一至第四三极管的发射极均接地，所述第一场效应管的源极与电源连接，第一场效应管的栅极与第一三极管的集电极连接，第一场...

【专利技术属性】
技术研发人员：王野，
申请(专利权)人：丽水学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33