【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种试片的制备方法,且特别是涉及一种穿透式电子显微镜(transmissionelectronmicroscope,TEM)试片的制备方法。
技术介绍
在半导体制作工艺中,当制作工艺材料与缺陷材料具有由不同元素组成的相同结晶结构时,在穿透式电子显微镜观察中有时难以区分其界面,而无法明显地判断缺陷的存在位置。因此,目前发展出一种在制备穿透式电子显微镜试片的过程中,加入化学处理的技术,可使不同材料在进行蚀刻之后呈现的试片厚度不同而易于穿透式电子显微镜中分辨出缺陷的存在位置。常见的穿透式电子显微镜试片的制备方法主要可归类为以下两种方式。使用研磨布的研磨方式是将试片直接研磨至供穿透式电子显微镜进行观察的厚度,再对此试片进行化学处理。然而,由于经研磨后的试片厚度甚薄,所以必须通过控制化学处理的温度来控制蚀刻率,以避免试片损坏。此外,使用研磨布的研磨方式无法提供定点微区缺陷分析。另一种电子显微镜试片的制备方法是利用聚焦离子束制备定点微区分r>析的穿透式电子显本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种穿透式电子显微镜试片的制备方法,包括:对一观察对象进行一第一薄化处理,而在该观察对象的一预定观察区中形成具有一耐化学处理的厚度的一穿透式电子显微镜试片;在室温下对该穿透式电子显微镜试片进行一化学处理;对经该化学处理的该穿透式电子显微镜试片进行一第二薄化处理,使该穿透式电子显微镜试片具有一供穿透式电子显微镜进行观察的厚度;以及从该观察对象中取出该穿透式电子显微镜试片。
【技术特征摘要】
2014.09.01 TW 1031301201.一种穿透式电子显微镜试片的制备方法,包括:
对一观察对象进行一第一薄化处理,而在该观察对象的一预定观察区中
形成具有一耐化学处理的厚度的一穿透式电子显微镜试片;
在室温下对该穿透式电子显微镜试片进行一化学处理;
对经该化学处理的该穿透式电子显微镜试片进行一第二薄化处理,使该
穿透式电子显微镜试片具有一供穿透式电子显微镜进行观察的厚度;以及
从该观察对象中取出该穿透式电子显微镜试片。
2.如权利要求1所述的穿透式电子显微镜试片的制备方法,其中该第一
薄化处理包括使用聚焦离子束来进行。
3.如权利要求1所述的穿透式电子显微镜试片的制备方法,其中该第一
薄化处理包括一单道制作工艺薄化处理或一多道制作工艺薄化处理。
4.如权利要求3所述的穿透式电子显微镜试片的制备方法,其中该多道
制作工艺薄化处理包括先对该观察对象进行粗薄化处理,再对该观察对象进
行细薄化处理。
5.如权利要求1所述的穿透式电子显微镜试片的制备方法,其中该化学
处理包括掺杂溶液浸渍...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文旭,田宜加,
申请(专利权)人:力晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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