快闪存储器晶片测试方法以及中测台技术

本发明专利技术提供一种快闪存储器晶片测试方法以及中测台。所述方法包括：对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对该等快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片；以及在施行上述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除该等快闪存储器芯片之前，更对该等快闪存储器芯片作回烤修复。通过本发明专利技术，可以加速不良芯片的筛除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于快闪存储器晶片测试技术。
技术介绍
快闪存储器为目前常见的非易失性存储器。快闪存储器晶片制作成型后，需作晶片测试(waferprobing)，以筛除良率不佳的芯片。
技术实现思路
本专利技术揭露一种快闪存储器晶片测试方法以及中测台，加速不良芯片的筛除。根据本专利技术一种实施方式所实现的快闪存储器晶片测试方法包括：对一快闪存储器晶片(wafer)上的多个快闪存储器芯片(chips)施行控制信号线耐受度模拟，是对该等快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片；以及在施行上述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除该等快闪存储器芯片之前，更对该等快闪存储器芯片作回烤修复。根据本专利技术一种实施方式所实现的一快闪存储器晶片中测台(probingmachine)，包括：一探针模块；以及一微型计算机。该微型计算机操作该探针模块对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，且更操作该探针模块以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片。上述控制信号线耐受度模拟施行之后、且上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对所述多个快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片；以及在施行所述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片之前，更对所述多个快闪存储器芯片作回烤修复。

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对所述多个快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；以N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片；以及在施行所述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片之前，更对所述多个快闪存储器芯片作回烤修复。2.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，在一第一环境温度对所述多个快闪存储器芯片施行所述控制信号线耐受度模拟，且在一第二环境温度以N次回圈反复程序化以及抹除对所述多个快闪存储器芯片，其中，所述第一环境温度高于所述第二环境温度。3.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：在所述多个快闪存储器芯片中的一快闪存储单元的一字线端以及一基板端供应一第一电压差，作字线的耐受度模拟，其中，所述第一电压差大于N次回圈中抹除所述多个快闪存储器芯片时施加于所述快闪存储单元的所述字线端以及所述基板端之间的一第二电压差。4.根据权利要求3所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于：所述第一电压差的供应时间长于所述第二电压差。5.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：在所述多个快闪存储器芯片中的一快闪存储单元的一位线端供应一第一程序化电位，作位线的耐受度模拟，其中，所述第一程序化电位大于N次回圈中程序化所述多个快闪存储器芯片时施加于所述快闪存储单元的所述位线端的一第二程序化电位。6.根据权利要求5所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于：所述第一程序化电位是以多个脉冲型式供应。7.一种快闪存储器晶片中测台，其特征在于，所述的快闪存储器晶片中测台包括：一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀庭，吴怡德，连世璋，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71