像素电路的驱动方法技术

技术编号:14403426 阅读:189 留言:0更新日期:2017-01-11 15:26
本发明专利技术公开了一种像素电路的驱动方法,包括:接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位;根据数据线控制信号向像素单元充电至目标电位;接收控制信号控制像素单元根据目标电位显示对应的灰阶。通过以上方式,本发明专利技术能够有效的防止电位错充而产生画面显示异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
,特别是涉及一种像素电路的驱动方法
技术介绍
有源矩阵有机发光二极体面板(Active-matrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。由于AMOLED面板是电流驱动,对电压的变化非常敏感,特别是阈值电压Vth漂移容易造成面板显示不均,因此AMOLED像素补偿电路显得尤为重要。AMOLED像素电路可以补偿阈值电压的漂移,提高OLED面板显示的均匀性。随着低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)半导体薄膜晶体管的发展,而且由于LTPS半导体本身超高载流子迁移率的特性,相应的面板周边集成电路也成为大家关注的焦点,并且很多人投入到系统面板(SystemonPanel,SOP)的相关技术研究,并逐步成为现实。。在面板设计中,为降低驱动芯片(IC)与覆晶薄膜(ChipOnFilm,COF)成本,通常采用的demux电路设计。在一般的OLED中,数据线Data通过demux电路进行信号输入的时序图设计中,在Data信号输入前不对AA区data信号进行复位,AA区data信号在demuxdata给电前保持floating电位,scan信号打开时,该floating电位容易错充入subpixel像素电路中,产生画面显示异常的风险。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种栅极驱动电路,能够有效的防止电位错充而产生画面显示异常。本专利技术提供一种像素电路的驱动方法,包括:接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位;根据数据线控制信号向像素单元充电至目标电位;接收控制信号控制像素单元根据目标电位显示对应的灰阶。其中,像素单元包括R、G、B三个子像素,对像素单元的数据线进行复位的步骤包括:根据接收的数据线控制信号同时对R、G、B三个子像素进行复位。其中,向像素单元充电至目标电位的步骤包括:依次分别向R、G、B三个子像素充电至对应的目标电位。其中,像素电路包括第一MOS管,第一MOS管的栅极接数据线选择信号,漏极接收驱动芯片输入的数据线控制信号,源极接数据线;接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位的步骤包括:数据线选择信号控制第一MOS管导通,驱动芯片输入的数据线控制信号通过第一MOS管输入至数据线,并对数据线进行复位。其中,像素电路包括R、G、B三个子像素电路,每个子像素电路还包括第二MOS管、第三MOS管以及第一MOS管单元,第二MOS管的栅极接第一扫描信号,漏极与第三MOS管的漏极连接,第三MOS管的栅极和源极与第一MOS管单元连接,第一MOS管单元还接第一扫描信号,其中第三MOS管的栅极的电位为子像素的电位;根据数据线控制信号向像素单元充电至目标电位的步骤包括:依次针对R、G、B子像素,第一扫描信号控制第二MOS管和第一MOS管单元导通,数据线选择信号控制第一MOS管导通;驱动芯片输入的数据线控制信号通过第一MOS管和第二MOS管对子像素进行充电至目标电位。其中,第一MOS管单元包括第四MOS管和第五MOS管,第四MOS管和第五MOS管的栅极接第一扫描信号,第四MOS管的漏极与第三MOS管的栅极连接,源极与第五MOS管的漏极连接,第五MOS管的源极与第三MOS管的源极连接;第一扫描信号控制第一MOS管单元导通的步骤包括:第一扫描信号控制第四MOS管和第五MOS管同时导通。其中,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管为PMOS管。其中,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管以及第五MOS管为NMOS管。其中,每个子像素电路还包括第六MOS管以及第七MOS管,第六MOS管和第七MOS管的栅极接控制信号,第六MOS管的漏极接第一参考电压,源极与第三MOS管的漏极连接,第七MOS管的漏极与第三MOS管的源极连接,源极与发光二极管的正极连接,发光二极管的负极接第二参考电压;接收控制信号控制像素单元根据目标电位显示对应的灰阶的步骤包括:控制信号控制第六MOS管和第七MOS管导通,发光二极管根据目标电位形成的电流发光,显示对应的灰阶。其中,每个子像素电路还包括第八MOS管以及第九MOS管,第八MOS管和第九MOS管的栅极接第二扫描信号,第八MOS管的漏极与第三MOS管的栅极连接,第八MOS的源极与第九MOS管的漏极连接,第九MOS管的源极接复位信号;接收驱动芯片输入的数据线控制信号的步骤之前,第二扫描信号控制第八MOS管和第九MOS管导通,复位信号传输至第三MOS管的栅极并进行复位。通过上述方案,本专利技术的有益效果是:本专利技术通过接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位;根据数据线控制信号向像素单元充电至目标电位;接收控制信号控制像素单元根据目标电位显示对应的灰阶,能够有效的防止电位错充而产生画面显示异常。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:图1是本专利技术实施例的像素电路驱动方法的流程示意图;图2是本专利技术实施例的像素电路的结构图;图3是本专利技术实施例的子像素电路的结构图;图4是本专利技术实施例的像素电路的时序图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。参见图1-3,图1是本专利技术实施例的像素电路驱动方法的流程示意图,图2是本专利技术实施例的像素电路的结构图,图3是本专利技术实施例的子像素电路的结构图。像素电路驱动方法包括:步骤S10:接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位。在本专利技术实施例中,像素单元包括R、G、B三个子像素。对应地,在步骤S10中,根据接收的数据线控制信号同时对R、G、B三个子像素进行复位。具体地,数据线在向像素单元充电之前,接收驱动芯片输入的数据线控制信号,使数据线复位,从而保证了在像素单元在下一时刻能够防止电位错充而产生画面显示异常。步骤S11:根据数据线控制信号向像素单元充电至目标电位。在步骤S11中,依次分别向R、G、B三个子像素充电至对应的目标电位。参见图2,在本专利技术实施例中,像素单元成矩阵排列,与扫描线和数据线连接。每个像素单元的像素电路包括R、G、B三个子像素电路,每个子像素电路共用一条扫描线,不同的子像素对应不同的数据线。像素电路包括第一MOS管T1,第一MOS管T1的栅极接数据线选择信号,漏极接收驱动芯片输入的数据线控制信号DatafromIC,源极接数据线。数据线选择信号控制第一MOS管T1导通时,驱动芯片输入的数据线控制信号DatafromIC通过第一MOS管T1输入至数据线,并对数据本文档来自技高网...
像素电路的驱动方法

【技术保护点】
一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据所述数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位;根据所述数据线控制信号向所述像素单元充电至目标电位;接收控制信号控制所述像素单元根据所述目标电位显示对应的灰阶。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据所述数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位;根据所述数据线控制信号向所述像素单元充电至目标电位;接收控制信号控制所述像素单元根据所述目标电位显示对应的灰阶。2.根据权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,所述像素单元包括R、G、B三个子像素,所述对像素单元的数据线进行复位的步骤包括:根据接收的所述数据线控制信号同时对所述R、G、B三个子像素进行复位。3.根据权利要求2所述的驱动方法,其特征在于,所述向所述像素单元充电至目标电位的步骤包括:依次分别向所述R、G、B三个子像素充电至对应的目标电位。4.根据权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括第一MOS管,所述第一MOS管的栅极接数据线选择信号,漏极接收所述驱动芯片输入的数据线控制信号,源极接所述数据线;所述接收驱动芯片输入的数据线控制信号,并根据所述数据线控制信号对像素单元的数据线进行复位的步骤包括:所述数据线选择信号控制所述第一MOS管导通,所述驱动芯片输入的数据线控制信号通过所述第一MOS管输入至所述数据线,并对所述数据线进行复位。5.根据权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括R、G、B三个子像素电路,每个所述子像素电路还包括第二MOS管、第三MOS管以及第一MOS管单元,所述第二MOS管的栅极接第一扫描信号,漏极与所述第三MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的栅极和源极与所述第一MOS管单元连接,所述第一MOS管单元还接所述第一扫描信号,其中所述第三MOS管的栅极的电位为所述子像素的电位;所述根据所述数据线控制信号向所述像素单元充电至目标电位的步骤包括:依次针对所述R、G、B子像素,所述第一扫描信号控制所述第二MOS管和所述第一MOS管单元导通,所述数据线选择信号控制所述第一MOS管导通;所述驱动芯片输入的数据线控制信号通过所述第一MOS管和所述第二MOS管对所述子像素进行充电至...

【专利技术属性】
技术研发人员:易士娟
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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