一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座，所述装置底座上部一侧设置有浸泡箱和清洗箱，所述浸泡箱和所述清洗箱通过连接板连接，所述浸泡箱和所述清洗箱均通过立柱与装置顶架连接，所述装置顶架上滑动设置有滑块，所述滑块上设置有多级油缸，所述多级油缸与托架连接，所述装置顶架上还设置有枪头座，所述枪头座上设置有一组清洗枪，所述装置顶架一端与设置在所述装置底座上的扩散炉连接，所述扩散炉设置有炉口。该提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置能起到比以往使用化学试剂清洗来去除有害杂质更好的效果，更能获得需要的大功率晶闸管关断时间或恢复电荷的数值，能有效延长大功率晶闸管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率开关器件处理设备领域，具体为一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置。
技术介绍
大功率晶闸管寿命的控制体现在两个方面：即在制造工艺中预防或去除少数载流子减少的缺陷以及有控制地降低少子寿命，以便获得需要的大功率晶闸管关断时间或恢复电荷的数值。然而用于大功率晶闸管的制造材料是硅，硅在高温制造工艺中对于有害杂质和其他缺陷的作用是特别敏感的，在这方面大功率晶闸管面临的问题要比其他半导体器件更严重些。原因有一，其一，由于大功率晶闸管结深要深，故要求扩散温度较高，时间较长；其二，它是一种在工作时整个硅晶片厚度内都要使用的器件，而许多信息器件只使用硅晶片的表面层，因而能有效地利用晶片的其余部分作为有害杂质的吸收区。一些不希望的杂质在高温制造工艺中，藉扩散从硅片的表面进入到体内，而且某些杂质比如铜、铁、金等的扩散速度比通常的p型或n型掺杂剂要高几个数量级。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座，所述装置底座上部一侧设置有浸泡箱和清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座（1），其特征在于：所述装置底座（1）上部一侧设置有浸泡箱（2）和清洗箱（3），所述浸泡箱（2）和所述清洗箱（3）通过连接板（4）连接，所述浸泡箱（2）和所述清洗箱（3）均通过立柱（5）与装置顶架（6）连接，所述装置顶架（6）上滑动设置有滑块（7），所述滑块（7）上设置有多级油缸（8），所述多级油缸（8）与托架（9）连接，所述装置顶架（6）上还设置有枪头座（10），所述枪头座（10）上设置有一组清洗枪（11），所述装置顶架（6）一侧还设置有夹手座（12）和一组蛇形管（13），所述蛇形管（13）端部设置有夹手（14），所述装置顶架（6）一端与设...

【技术特征摘要】
1.一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座（1），其特征在于：所述装置底座（1）上部一侧设置有浸泡箱（2）和清洗箱（3），所述浸泡箱（2）和所述清洗箱（3）通过连接板（4）连接，所述浸泡箱（2）和所述清洗箱（3）均通过立柱（5）与装置顶架（6）连接，所述装置顶架（6）上滑动设置有滑块（7），所述滑块（7）上设置有多级油缸（8），所述多级油缸（8）与托架（9）连接，所述装置顶架（6）上还设置有枪头座（10），所述枪头座（10）上设置有一组清洗枪（11），所述装置顶架（6）一侧还设置有夹手座（12）和一组蛇形管（13），所述蛇形管（13）端部设置有夹手（14），所述装置顶架（6）一端与设置在所述装置底座（1）上的扩散炉（15）连接，所述扩散炉（15）设置有炉口（16），所述炉口（16）配备有推拉架（17）。2.根据权利要求1所述的一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，其特征在于：所述浸泡箱（2）和所述清洗箱（3）下部均设置有放液阀（18），所述浸泡箱（2）上部还设置有进液阀（19），所述连接板（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连彬，
申请(专利权)人：广州市晶泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44