一种触摸屏及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种触摸屏及显示装置，涉及显示技术领域，用以解决对触摸屏进行化学强化时HF溶液腐蚀触摸屏边缘膜层的问题，提高触摸屏的良率。其中所述触摸屏包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的黑矩阵层，还包括设置于所述黑矩阵层上的绝缘层，所述黑矩阵层的边缘超出所述绝缘层的边缘，且所述绝缘层的边缘与所述黑矩阵层的边缘形成台阶状结构。所述触摸屏用于使显示装置具备触控功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种触摸屏及显示装置。
技术介绍
触摸屏可实现简单、方便、自然的人机交互，广泛应用于人们生活的方方面面。触摸屏一般包括：衬底基板，及依次层叠于衬底基板上的黑矩阵层、桥点层、绝缘层、电极层、保护层，其中，电极层包括多条横向延伸的驱动电极线和多条纵向延伸的感应电极线，驱动电极线在与感应电极线的交叉处断开；桥点层包括多个桥点电极，桥点电极用于将驱动电极的断开处电连接；绝缘层用于使驱动电极线与感应电极线保持电性绝缘。触摸屏在制作时，通常是在一块面积较大的衬底基板(以下称为母版)上同时制备多个触摸屏所需要各膜层，然后再将母版进行切割，得到多个单个的触摸屏。在切割母版时，由于切割的作用，最终得到的触摸屏边缘会出现不平整、裂纹、颗粒等缺陷，这些缺陷会导致触摸屏的强度下降，因此需要对触摸屏的强度进行强化。目前，常用的对触摸屏强度进行强化的方式主要有两种：化学强化和物理强化，其中，化学强化是指使用HF(氢氟酸)溶液腐蚀触摸屏的边缘，以将触摸屏边缘的不平整、裂纹、颗粒等缺陷去除，从而消除这些缺陷给触摸屏强度带来的隐患。在进行化学强化的过程中，需要将触摸屏浸泡在HF溶液中，为了防止HF溶液对触摸屏中各膜层的腐蚀，通常会在触摸屏的正面和背面贴附抗酸膜。但是，在实际生产过程中发现，这种贴附抗酸膜来保护触摸屏的方式的效果往往并不理想。本专利技术的专利技术人经研究发现，产生上述问题的原因在于：如图1所示，由于绝缘层3的边缘与衬底基板1的边缘之间的距离d较小，加之黑矩阵层2、绝缘层3和保护层4本身的厚度较厚，因此触摸屏边缘的坡度较大，抗酸膜5无法紧密地贴附在触摸屏的边缘，抗酸膜5与触摸屏之间具有缝隙，从而HF溶液容易从缝隙入侵，腐蚀触摸屏边缘的膜层，引起触摸屏漏光等问题，导致触摸屏的良率下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种触摸屏及显示装置，以解决对触摸屏进行化学强化时HF溶液腐蚀触摸屏边缘膜层的问题，提高触摸屏的良率。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术的第一方面提供了一种触摸屏，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的黑矩阵层，所述触摸屏还包括设置于所述黑矩阵层上的绝缘层，所述黑矩阵层的边缘超出所述绝缘层的边缘，且所述绝缘层的边缘与所述黑矩阵层的边缘形成台阶状结构。本专利技术所提供的触摸屏中，黑矩阵层的边缘超出绝缘层的边缘，且绝缘层的边缘与黑矩阵层的边缘形成台阶状结构，与现有技术中绝缘层的边缘覆盖黑矩阵的边缘的结构相比，本专利技术中绝缘层的边缘内缩，从而衬底基板上各膜层边缘到衬底基板边缘的最短距离由现有的绝缘层边缘到衬底基板边缘的距离变为黑矩阵边缘到衬底基板边缘的距离，因此在黑矩阵的尺寸不变的情况下，采用本专利技术所提供的结构能够使衬底基板上各膜层边缘到衬底基板边缘的最短距离变大，从而降低了触摸屏边缘的坡度，使得抗酸膜能够较紧密的贴附在触摸屏的边缘，也就避免了HF溶液对触摸屏边缘膜层的腐蚀，从而提高了触摸屏的良率。本专利技术的第二方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括如本专利技术的第一方面所述的触摸屏。本专利技术所提供的显示装置的有益效果与本专利技术的所提供的触摸屏的有益效果相同，此处不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有技术中触摸屏边缘的侧视结构图；图2为本专利技术实施例所提供的触摸屏边缘的侧视结构图一；图3为本专利技术实施例所提供的触摸屏边缘的侧视结构图二；图4为本专利技术实施例所提供的触摸屏显示区域的侧视结构图。附图标记说明：1-衬底基板； 2-黑矩阵层；3-绝缘层； 4-保护层；5-抗酸膜； 6-消隐层；7-平坦层； 8-桥点层；9-电极层； 10-外围引线层。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本专利技术保护的范围。本实施例提供了一种触摸屏，如图2所示，该触摸屏包括：衬底基板1，设置于衬底基板1上的黑矩阵层2，及设置于黑矩阵层2上的绝缘层3，其中，黑矩阵层2的边缘超出绝缘层3的边缘，且绝缘层3的边缘与黑矩阵层2的边缘形成台阶状结构。需要说明的是，绝缘层3是用于防止触摸屏的驱动线和感应线之间电连接的膜层。不同于现有技术中绝缘层3的边缘超出并覆盖黑矩阵2的边缘，本实施例中所提供的触摸屏，其绝缘层3的边缘位于黑矩阵层2的上方，即黑矩阵层2的边缘超出绝缘层3的边缘，且绝缘层3的边缘与黑矩阵层2的边缘形成台阶状结构，因此在黑矩阵层2的尺寸不变的前提下，本实施例中绝缘层3的边缘相对于现有技术内缩，从而距离衬底基板1的边缘最近的膜层的边缘由现有技术的绝缘层的边缘变为黑矩阵层2的边缘，黑矩阵层2的边缘与衬底基板1的边缘之间的距离d′大于现有技术中绝缘层的边缘与衬底基板的边缘之间的距离d，这就使得触摸屏边缘的坡度降低，进而在将抗酸膜5贴附在触摸屏上以对触摸屏进行化学强化时，抗酸膜5能够紧密的贴附在触摸屏的边缘，避免了HF溶液对触摸屏边缘膜层的腐蚀，从而提高了触摸屏的良率。需要说明的是，本专利技术中所提及的“触摸屏边缘的坡度”是指：将在触摸屏的衬底基板上的各膜层所构成的层叠结构视为一整体，该层叠结构边缘的各外沿顶角及衬底基板边缘的外沿顶角的连线相对于衬底基板平面的倾斜程度。举例来说，如图1所示，对于现有技术中的触摸屏，触摸屏边缘的坡度为图1中倾斜的虚线相对于衬底基板1平面的倾斜程度，坡度角为α；如图2所示，对于本专利技术实施例中的触摸屏，触摸屏边缘的坡度为图2中倾斜的虚线相对于衬底基板1平面的倾斜程度，坡度角为α′；显然，由于绝缘层3的边缘内缩，α′﹤α，触摸屏边缘的坡度变缓。本实施例中，绝缘层3的边缘与黑矩阵层2的边缘之间的距离L1优选为20μm～50μm，这样既能够有效地减缓触摸屏边缘的坡度，又不至于过多的暴露黑矩阵层2的边缘。绝缘层3的厚度优选为1.3μm～1.7μm，更优选为1.5μm，由于本实施例中通过使绝缘层3内缩至黑矩阵层2的上方来降低触摸屏边缘的坡度，因此也就无需通过降低绝缘层3的厚度来降低触摸屏边缘的坡度，保证了绝缘层3良好的电绝缘性能。请再次参见图2，本实施例中的触摸屏还可包括设置于绝缘层3上的保护层4，该保护层4覆盖于触摸屏的电极层之上，用于保护触摸屏的电极层。本实施例中，绝缘层3的边缘超出保护层4的边缘，且保护层4的边缘与绝缘层3的边缘形成台阶状结构。由于绝缘层3的边缘相对于现有技术内缩，而绝缘层3的边缘超出保护层4的边缘，因此本实施例中保护层4的边缘也相对于现有技术内缩，使得在触摸屏的边缘由上至下保护层4的边缘、绝缘层3的边缘和黑矩阵层2的边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的黑矩阵层，其特征在于，所述触摸屏还包括设置于所述黑矩阵层上的绝缘层，所述黑矩阵层的边缘超出所述绝缘层的边缘，且所述绝缘层的边缘与所述黑矩阵层的边缘形成台阶状结构。

【技术特征摘要】
1.一种触摸屏，包括衬底基板，及设置于所述衬底基板上的黑矩阵层，其特征在于，所述触摸屏还包括设置于所述黑矩阵层上的绝缘层，所述黑矩阵层的边缘超出所述绝缘层的边缘，且所述绝缘层的边缘与所述黑矩阵层的边缘形成台阶状结构。2.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述绝缘层的边缘与所述黑矩阵层的边缘之间的距离为20μm～50μm。3.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1.3μm～1.7μm。4.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括设置于所述绝缘层上的保护层，所述绝缘层的边缘超出所述保护层的边缘，且所述保护层的边缘与所述绝缘层的边缘形成台阶状结构。5.根据权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述保护层的边缘与所述绝缘层的边缘之间的距离为20μm～60μm。6.根据权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述保护层的厚度为1.3μm～1.7μm。7.根据权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括设置于所述绝缘层与所述保护层之间的消隐层，所述消隐层的边缘覆盖所述黑矩阵层的边缘。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晓冬，胡明，张明，王庆浦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11