FPC孔金属化工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种FPC孔金属化工艺，其包括如下步骤，PI调整、水洗、DMSE工艺。本发明专利技术提供的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子导电物质，降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路板
，尤其涉及一种FPC孔金属化工艺。
技术介绍
现有的FPC，其结构包括基材介质层及设置在基材介质层两面的导体铜层，传统FPC孔金属化工艺，主要是使介质层孔处均匀涂布一层导电物质，再通过镀铜工艺的电化学反应，使介质层沉积一层金属铜，将上下两层导体铜层连接导通，形成良好的电气导体。目前业内的高分子导电膜孔金属工艺(DMSE工艺)，其流程如下：调整——水洗——氧化——水洗——催化——水洗烘干，其目的在介质层孔处吸附涂布一层高分子导电物质，为纳米级涂层，但是，其涂层极薄，电阻相对较大，尤其一些挠性电路板基材的介质层处经钻孔后微观下极为光滑，吸附导电物质困难，造成两层导体铜层之间电阻过大，甚至开路不导通。因电阻过大或开路情况下，介质层处无电流导通或电流过小，在镀铜工艺时无法产生电化学反应或电化学反应不良，而引起孔铜导通不良问题，为此无法广泛应用所有FPC基材。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种FPC孔金属化工艺，可以广泛应用于各类FPC基材。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：提供一种FPC金属化工艺，其包括如下步骤，S1、PI调整，使温度在45-55℃之间，处理时间为2-6min，PI调整剂浓度为400-600ml/L，KOH浓度为40-60g/L；S2、水洗；S3、DMSE工艺。本专利技术的有益效果在于：本专利技术的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子导电物质，降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。附图说明图1为本专利技术实施例的FPC孔金属化工艺的流程框图。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。本专利技术最关键的构思在于:本专利技术的工艺，可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子导电物质。请参阅图1，本专利技术FPC孔金属化工艺，其包括如下步骤，S1、PI调整，使温度在50-60℃之间，处理时间为2-6min，PI调整剂浓度为400-600ml/L，KOH浓度为40-60g/L；S2、水洗；S3、DMSE工艺。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子导电物质，降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。进一步的，所述PI调整剂是KOH12.5％-15％、联氨7.0％-10％的混合溶液。进一步的，所述步骤S2为二级溢流水洗。实施例一请参照图1，本专利技术的实施例一为：本实施例的FPC孔金属化工艺，包括如下步骤，S1、PI调整，使温度在50-60℃之间，处理时间为2-6min，PI调整剂浓度为400-600ml/L，KOH浓度为40-60g/L；S2、水洗；S3、DMSE工艺。所述PI调整剂是KOH12.5％-15％、联氨7.0％-10％的混合溶液。进一步的，所述步骤S2为二级溢流水洗。综上所述，本专利技术提供的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子导电物质，降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障，能够适用于各种FPC基材。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FPC孔金属化工艺，其特征在于，其包括如下步骤，S1、PI调整，使温度在45‑55℃之间，处理时间为2‑6min，PI调整剂浓度为400‑600ml/L，KOH浓度为40‑60g/L；S2、水洗；S3、DMSE工艺。

【技术特征摘要】
1.一种FPC孔金属化工艺，其特征在于，其包括如下步骤，S1、PI调整，使温度在45-55℃之间，处理时间为2-6min，PI调整剂浓度为400-600ml/L，KOH浓度为40-60g/L；S2、水洗；S3、DMSE...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃海浪，
申请(专利权)人：台山市精诚达电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44