硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫化锑纳－微米线及其阵列的制备方法。其步骤和条件为：按摩尔比１０∶１１∶１～６０分别称取酒石酸锑钾、二水合柠檬酸三钠、硫代苹果酸，搅拌下依次溶解于二次蒸馏水中，并将这个混合溶液装入不锈钢高压釜的聚四氟乙烯衬里内；再把这个装有溶液的聚四氟乙烯衬里密封在不锈钢高压釜内，并于１４０～２４０℃下反应３～２４ｈ，即得到硫化锑纳－微米线。若在将上述混合溶液装入聚四氟乙烯衬里的同时放入ＩＴＯ玻璃、钨丝或ＳｉＮ微米纤维等材料作为生长基底，即在这些生长基底的表面上长成束状硫化锑纳－微米线阵列。硫化锑纳－微米线及其阵列具有很好的单晶结构。这种纳－微米线阵列在热电器件方面具有应用价值。

【技术实现步骤摘要】
硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法
本专利技术涉及一种硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法。
技术介绍
一维纳-微米材料由于其独特的光、电、热性质，得到了广泛研究，而且显示出在纳米器件潜在的应用前景。一维纳-微米材料的合成方法较多，水热法和溶剂热法是其中非常有效的合成方法。水热法和溶剂热法一般在高压釜内反应，水热法和溶剂热法的区别仅仅在于前者用水作溶剂，而后者使用非水的有机化合物作为反应介质。反应液需要盛于不锈钢高压釜的聚四氟乙烯衬里内，然后把此不锈钢高压釜密封后放置在烘箱内于100℃以上的温度下完成反应。在半导体材料中，硫化锑等V-VI族化合物由于良好的光生伏特(photovoltaic)效应和热电(thermoelectric)效应，在光电器件及热电冷却器件中有很大的应用价值。目前，已有一些水热法(参见：Xie等，《晶体生长和设计》，2004年第4卷513页(G.Xie，et al，Crystal Growth & Design，2004，Vol.4，513))、溶剂热法(参见：Yang等，《材料化学》，2000年第12卷2924页(J.Yang，et al，Chem.M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫化锑纳－微米线的制备方法，其特征在于，步骤和条件为：按摩尔比１０∶１１∶１～６０分别称取酒石酸锑钾、二水合柠檬酸三钠、硫代苹果酸，搅拌下依次溶解于二次蒸馏水中，并将这个混合溶液装入不锈钢高压釜的聚四氟乙烯衬里内；再把这个装有溶液的聚四氟乙烯衬里密封在不锈钢高压釜内，并于１４０～２４０℃下反应３～２４ｈ，即得到硫化锑纳－微米线。

【技术特征摘要】
1.一种硫化锑纳-微米线的制备方法，其特征在于，步骤和条件为：按摩尔比10∶11∶1～60分别称取酒石酸锑钾、二水合柠檬酸三钠、硫代苹果酸，搅拌下依次溶解于二次蒸馏水中，并将这个混合溶液装入不锈钢高压釜的聚四氟乙烯衬里内；再把这个装有溶液的聚四氟乙烯衬里密封在不锈钢高压釜内，并于140～240℃下反应3～24h，即得到硫化锑纳-微米线。2.一种硫化锑纳-微米线阵列的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：董绍俊，包海峰，黄利坚，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]