【技术实现步骤摘要】
一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法
本专利技术涉及一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法。
技术介绍
过渡金属硫化物因在半导体、发光装置及超导等方面具有潜在的应用价值而引起关注。特别是其纳米材料由于其较大的比表面以及量子尺寸效应等在光吸收、发射、热电及光电等方面表现出与常规体相材料不同的特殊性能。硫化铜作为一种重要的半导体材料，被广泛地应用于热电偶、光记录、滤光器和太阳能电池等方面。然而，硫化铜纳米颗粒由于其本身固有的易团聚特性而难于广泛应用。目前，已有众多学者进行了单分散硫化铜纳米颗粒的制备技术的研究，发展了多种制备方法，如：化学沉积法、声化学法、水热合成法和微波辐射法等。这些方法一般需要较长的反应时间、较高的温度和压力以及特殊的反应装置，致使生产成本较高。此外所得产物易团聚难于广泛应用。因此，发展工艺简单、反应条件温和、易于操作、成本低、可规模化生产的粒径可控的硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法具有重要的理论意义和实用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种简便、高产率、低成本单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法。-->本专利技术可通过如下措施来实现：一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法，其特征在于该方法依次包括如下步骤：A、将铜盐水溶液或者含有十六烷基三甲基溴化铵的铜盐水溶液，在搅拌下加入含硫无机化合物水溶液，常温反应10-30分钟；其中铜盐选自硝酸铜、硫酸铜中的一种；含硫无机化合物选自硫化钠；B、加入N，N-二烷基二硫代甲酸盐的乙醇溶液，继续常温搅拌反应4-8小时；N，N-二烷基二硫代甲酸盐选自N，N-二烷基二硫代甲酸钾、N，N-二...
【技术保护点】
一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法，其特征在于该方法依次包括如下步骤：Ａ、将铜盐水溶液或者含有十六烷基三甲基溴化铵的铜盐水溶液，在搅拌下加入含硫无机化合物水溶液，常温反应１０－３０分钟；其中铜盐选自硝酸铜、硫酸铜中的一种；含硫 无机化合物选自硫化钠；Ｂ、加入Ｎ，Ｎ－二烷基二硫代甲酸盐的乙醇溶液，继续常温搅拌反应４－８小时；Ｎ，Ｎ－二烷基二硫代甲酸盐选自Ｎ，Ｎ－二烷基二硫代甲酸钾、Ｎ，Ｎ－二烷基二硫代甲酸钠中的一种；将反应后的产物通过分离，得到的固形物用乙醇 的水溶液漂洗，然后真空烘干，所得黑色固体即为硫化铜半导体纳米颗粒。
【技术特征摘要】
1、一种单分散硫化铜半导体纳米颗粒的制备方法，其特征在于该方法依次包括如下步骤：A、将铜盐水溶液或者含有十六烷基三甲基溴化铵的铜盐水溶液，在搅拌下加入含硫无机化合物水溶液，常温反应10-30分钟；其中铜盐选自硝酸铜、硫酸铜中的一种；含硫无机化合物选自硫化钠；B、加入N，N-二烷基二硫代甲酸盐的乙醇溶液，继续常温搅拌反应4-8小时；N，N-二烷基二硫代甲酸盐选自N，N-二烷基二硫代甲酸钾、N，N-二烷基二硫代甲酸钠中的一种；将反应后的产...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建敏，陈磊，周惠娣，万宏启，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]
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