本申请公开了一种共阳二极管封装器件，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极。本申请提供的上述共阳二极管封装器件，能够在不改变常见芯片结构及封装工艺的基础上，实现产品的共阳封装，从而有效降低产品的成本，提高产品的稳定性和一致性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及工业控制的整流桥
，更具体地说，涉及一种共阳二极管封装器件。
技术介绍
受限于FRD产品的结构，目前市场上常见的FRD双封产品为共阴封装产品。为实现共阳封装，只能特殊设计FRD芯片结构，并采用倒装工艺进行封装，但是这种工艺成本高，封装工艺复杂。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种共阳二极管封装器件，能够在不改变常见芯片结构及封装工艺的基础上，实现产品的共阳封装，从而有效降低产品的成本，提高产品的稳定性和一致性。本技术提供的一种共阳二极管封装器件，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一基板与所述第一芯片之间通过焊锡相连接，所述第二基板与所述第二芯片之间通过焊锡相连接。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一芯片和所述第二芯片均利用铝线连接至所述阳极。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一基板和所述第二基板均为铜基板。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一阴极、所述第二阴极和所述阳极均为铜管脚。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一芯片和所述第二芯片均为FRD芯片。优选的，在上述共阳二极管封装器件中，所述第一基板和所述第二基板的外周部覆盖有塑封部件。从上述技术方案可以看出，本技术所提供的上述共阳二极管封装器件，由于包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极，因此能够在不改变常见芯片结构及封装工艺的基础上，实现产品的共阳封装，从而有效降低产品的成本，提高产品的稳定性和一致性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种共阳二极管封装器件的示意图；图2为本申请实施例提供的第二种共阳二极管封装器件的主视图。具体实施方式本技术的核心思想在于提供一种共阳二极管封装器件，能够在不改变常见芯片结构及封装工艺的基础上，实现产品的共阳封装，从而有效降低产品的成本，提高产品的稳定性和一致性。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种共阳二极管封装器件如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种共阳二极管封装器件的示意图。该共阳二极管封装器件包括第一基板1和第二基板2，所述第一基板1具有凸出的第一阴极3，所述第二基板2具有凸出的第二阴极4，从图中可以看出第一阴极3位于左侧，第二阴极4位于右侧，所述第一基板1表面设置有第一芯片5，所述第二基板2的表面设置有第二芯片6，所述第一芯片5和所述第二芯片6连接至同一个阳极7，从图中可以看出，该阳极7位于第一阴极3和第二阴极4之间的位置，方便了第一芯片5和第二芯片6连接至阳极7。可见，本实施例通过修改基板的设计外形及内部布线方式，将原有的基板一分为二，将中间的阳极管脚外接，即可实现芯片的共阳封装，这就与共阴封装产品可采用同款芯片，给工作带来方便。从上述技术方案可以看出，本申请实施例所提供的上述共阳二极管封装器件，由于包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极，因此能够在不改变常见芯片结构及封装工艺的基础上，实现产品的共阳封装，从而有效降低产品的成本，提高产品的稳定性和一致性。本申请实施例提供的第二种共阳二极管封装器件，是在上述第一种共阳二极管封装器件的基础上，还包括如下技术特征：参考图2，图2为本申请实施例提供的第二种共阳二极管封装器件的主视图，以第二基板为例进行说明，可见所述第二基板2与所述第二芯片6之间通过焊锡8相连接，而所述第一基板与所述第一芯片之间通过焊锡相连接，此处不再赘述。当然此处的焊锡连接只是一个优选方式，还可以采取其他方式。本申请实施例提供的第三种共阳二极管封装器件，是在上述第一种共阳二极管封装器件的基础上，还包括如下技术特征：继续参考图1，所述第一芯片5和所述第二芯片6均利用铝线10连接至所述阳极7。这种铝线具有较强的导电能力，能够有效保证器件的正常工作。本申请实施例提供的第四种共阳二极管封装器件，是在上述第一种共阳二极管封装器件的基础上，还包括如下技术特征：所述第一基板和所述第二基板均为铜基板。这种铜基板是一种常用的基板，易于获得，且成本低，操作方便，性能较好。本申请实施例提供的第五种共阳二极管封装器件，是在上述第一种共阳二极管封装器件的基础上，还包括如下技术特征：所述第一阴极、所述第二阴极和所述阳极均为铜管脚。这种铜管脚也是一种常见的管脚类型，成本较低，且易于组装。本申请实施例提供的第六种共阳二极管封装器件，是在上述第一种共阳二极管封装器件的基础上，还包括如下技术特征：所述第一芯片和所述第二芯片均为FRD芯片。这种FRD芯片常用于整流桥领域，采用上述共阳设计，可有效提高FRD产品的稳定性和一致性。本申请实施例提供的第七种共阳二极管封装器件，是在上述第一种至第六种共阳二极管封装器件中任一种的基础上，还包括如下技术特征：继续参考图2，所述第一基板1和所述第二基板2的外周部覆盖有塑封部件9，采用塑封料材质，保证器件与外界隔离绝缘，保证使用时的安全性。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种共阳二极管封装器件，其特征在于，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极。
【技术特征摘要】
1.一种共阳二极管封装器件，其特征在于，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有凸出的第一阴极，所述第二基板具有凸出的第二阴极，所述第一基板表面设置有第一芯片，所述第二基板的表面设置有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片连接至同一个阳极。2.根据权利要求1所述的共阳二极管封装器件，其特征在于，所述第一基板与所述第一芯片之间通过焊锡相连接，所述第二基板与所述第二芯片之间通过焊锡相连接。3.根据权利要求1所述的共阳二极管封装器件，其特征在于，所述第一芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘传利，李向坤，刘星义，徐金金，王杰，
申请(专利权)人：科达半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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