控制线盘加热减少EMI干扰的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其包括用于检测电压零点且向单片机电路输出零点信号的过零检测电路，单片机电路接于由单片机电路控制且用于驱动线盘工作的可控硅驱动电路；过零检测电路包括接于交流火线L的电阻R1、三极管Q1，三极管Q1的集电极接于电阻R2，电阻R2另一端接于5V电源，三极管Q1的集电极与电阻R2之间接有用于连接单片机的ZERO连接点，三极管Q1的基极与零线N之间接有二极管D1，且零线接有接于ZERO连接点的电容C1，三极管Q1的发射极接地。本实用新型专利技术能够简单有效的驱动线盘，使用单片机电路控制驱动线盘加热，从而减少EMI干扰，使用范围广，效果良好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及加热盘领域，尤其是涉及一种控制线盘加热减少EMI干扰的结构。
技术介绍
现有的截波驱动可控硅加热线盘的方法：现有的截波方法是截取波形在某一标准下的部分波形，然后检测波形控制功率，虽然能够实现功率控制，但是在波峰附近截波会产生很严重的EMI干扰。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其在简单有效的驱动加热盘的同时能够减少EMI干扰。为解决上述技术问题，本技术的实施方式提供了一种控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其包括用于检测电压零点且向单片机电路输出零点信号的过零检测电路，单片机电路接于由单片机电路控制且用于驱动线盘工作的可控硅驱动电路；过零检测电路包括接于交流火线L的电阻R1、三极管Q1，三极管Q1的集电极接于电阻R2，电阻R2另一端接于5V电源，三极管Q1的集电极与电阻R2之间接有用于连接单片机的ZERO连接点，三极管Q1的基极与零线N之间接有二极管D1，且零线接有接于ZERO连接点的电容C1，三极管Q1的发射极接地。与现有技术相比，本技术提供的实施方式能够简单有效的驱动线盘，使用单片机电路控制驱动线盘加热，从而减少EMI干扰，使用范围广，效果良好。进一步，该控制线盘加热减少EMI干扰的结构还包括：用于检测电压和温度异常、及时发出异常信号使单片机电路停功率保护加热系统的电压及温度检测电路，其接于单片机电路。进一步，可控硅驱动电路包括：接于单片机电路的电阻R5，该电阻R5的另一端接于与5V电源相连的电容C1、一端接于三极管Q2发射极的电阻R4以及三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极接于电阻R3，该电阻R3接于可控硅triac，电阻R3接有一端接于交流火线L的电阻R2，当导通即可实现加热盘开始加热的可控硅T1接于交流火线L。附图说明图1为控制线盘加热减少EMI干扰的结构中原理图；图2为控制线盘加热减少EMI干扰的结构中过零检测电路原理图；图3为控制线盘加热减少EMI干扰的结构中可控硅驱动电路原理图。图4为控制线盘加热减少EMI干扰的结构中全功率波形图；图5为控制线盘加热减少EMI干扰的结构中半功率波形图；具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本技术。如图1所示，一种控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其包括用于检测电压零点且向单片机电路2输出零点信号的过零检测电路1，单片机电路接于由单片机电路控制且用于驱动线盘工作的可控硅驱动电路3。参见图2，过零检测电路1包括接于交流火线L的电阻R1、三极管Q1，三极管Q1的集电极接于电阻R2，电阻R2另一端接于5V电源，三极管Q1的集电极与电阻R2之间接有用于连接单片机的ZERO连接点，三极管Q1的基极与零线N之间接有二极管D1，且零线接有接于ZERO连接点的电容C1，三极管Q1的发射极接地。从上述内容不难发现，单片机电路2检测零点信号，在电压过零时，选择性导通可控硅控制线盘功率，能够有效减小EMI干扰。参见图3，可控硅驱动电路包括：接于单片机电路的电阻R5，该电阻R5的另一端接于与5V电源相连的电容C1、一端接于三极管Q2发射极的电阻R4以及三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极接于电阻R3，该电阻R3接于可控硅triac，电阻R3接有一端接于交流火线L的电阻R2，当导通即可实现加热盘开始加热的可控硅T1接于交流火线L。在图2-3中，交流火线L端电压高于零线N端电压时，三极管Q1导通，单片机在ZERO点检测到低电平；L端电压低于N端电压时，三极管截止，单片机在ZERO点检测到高电平。当在ZERO点检测到低电平时，置驱动电路On/Off点为低电平，三极管Q2导通，可控硅T1导通，加热盘开始加热；反之，置On/Off点为高电平，加热盘不工作。作为对本实施例的进一步改进在于，该控制线盘加热减少EMI干扰的结构还包括：用于检测电压和温度异常、及时发出异常信号使单片机电路停功率保护加热系统的电压及温度检测电路4，其接于单片机电路2。根据功率档数制定过零计数周期，在电压过零时，记录零点数，并在特定零点处可控硅导通1ms实现功率控制，到达零点计数周期后，清除零点数。单片机电路2通过过零检测电路1检测电压零点，并通过可控硅驱动电路3加热线盘，通过电压和温度检测电路4，检测电压和温度异常，及时停功率保护加热系统。图4-5分别示意出了控制线盘加热减少EMI干扰的结构中全功率波形图以及半功率波形图，本方案从零点开始截取一半的波形，在特定零点处通过过零检测电路1检测电压零点，单片机电路2发出可控硅控制信号驱动可控硅驱动电路3，从而控制线盘的工作，温度及电压检测电路4将检测到的电压及异常温度值反馈回单片机电路，及时停功率保护加热系统，控制线盘的功率，达到减少EMI干扰的目的。本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本技术的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本技术的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其特征在于，其包括用于检测电压零点且向单片机电路输出零点信号的过零检测电路，所述单片机电路接于由单片机电路控制且用于驱动线盘工作的可控硅驱动电路；所述过零检测电路包括接于交流火线L的电阻R1、三极管Q1，三极管Q1的集电极接于电阻R2，电阻R2另一端接于5V电源，三极管Q1的集电极与电阻R2之间接有用于连接单片机的ZERO连接点，三极管Q1的基极与零线N之间接有二极管D1，且零线接有接于ZERO连接点的电容C1，三极管Q1的发射极接地。

【技术特征摘要】
1.控制线盘加热减少EMI干扰的结构，其特征在于，其包括用于检测电压零点且向单片机电路输出零点信号的过零检测电路，所述单片机电路接于由单片机电路控制且用于驱动线盘工作的可控硅驱动电路；所述过零检测电路包括接于交流火线L的电阻R1、三极管Q1，三极管Q1的集电极接于电阻R2，电阻R2另一端接于5V电源，三极管Q1的集电极与电阻R2之间接有用于连接单片机的ZERO连接点，三极管Q1的基极与零线N之间接有二极管D1，且零线接有接于ZERO连接点的电容C1，三极管Q1的发射极接地。2.根据权利要求1所述的控制线盘加热减少EMI干扰...

【专利技术属性】
技术研发人员：高新忠，甘嵩，冯祥远，徐庆荣，薛敬振，
申请(专利权)人：杭州信多达电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33