高压电场辅助的适低温微藻繁育方法技术

本发明专利技术公开一种高压电场辅助的适低温微藻繁育方法，包括对微藻的预处理步骤，所述的预处理是将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min。经本发明专利技术的方法以高压电场预处理的海洋微藻，在本发明专利技术所述及的选育及培养条件下，其在低温环境下繁殖生长的速率显著高于未经高压电场预处理的微藻的繁殖生长速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属水产养殖领域，尤其涉及海洋微藻的繁育方法。
技术介绍
海珍品育苗
，海洋微藻是一类重要的生物饵料。相当数量品种的海珍品如虾夷扇贝、牡蛎等在深秋、冬季和春季育苗。现有育苗饵料微藻在低温环境下繁殖、生长缓慢，存在饵料微藻供给不足和培养成本过高的问题。因此，需要通过寻找新的藻种或改进培养方法等手段来解决低温等非常规条件下微藻选育、培养过程所面临的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于低温等条件下大量生产微藻的繁育方法，本专利技术所述的高压电场辅助的适低温微藻繁育方法包括对微藻的预处理步骤，其中所述的预处理是将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min。经本专利技术的方法以高压电场预处理的海洋微藻，在本专利技术所述及的选育及培养条件下，能够满足低温环境下的生长要求，其在低温环境7～15℃下繁殖生长的速率显著高于未经高压电场预处理的微藻的繁殖生长速率。附图说明本专利技术附图4幅，图1是高压电场辅助选育的叉鞭金藻生长速率测试实验结果。图2是高压电场辅助选育的青岛大扁藻生长实验结果。图3是高压电场辅助选育的叉鞭金藻经继代培养后的生长实验结果。图4是高压电场辅助选育的青岛大扁藻经继代培养后的生长实验结果。具体实施方式如无特殊描述，本专利技术中所述及的光照周期12h:12h是指光/暗交替培养，交替周期是光培养12小时，暗培养12小时，如此交替循环。本专利技术中使用光源强度范围为0～12000LX的光源设备。以百分比表示的光照度强度X％可据此进行换算。光照强度66％的条件表示约8000LX的光照强度。本专利技术所使用的高压电场发生设备是由大连市电源技术有限公司(1995-09-01)生产的ZGF-1型直流高压发生器。仪器参数包括：额定电功率600W，额定电流2mA，量程0～30kV和0～60kV，板电极直径20cm。本专利技术所述的f/2液体培养基和f/2琼脂培养基分别按照下述方法制备：1.培养基贮备液(1)大量元素i：NaNO3按照74.8g/1000mL溶于过滤海水，灭菌；(2)大量元素ii：NaH2PO4按照4.4g/1000mL溶于过滤海水，灭菌；(3)微量元素：将ZnSO4.4H2O 23mg，MnCl2.4H2O 178mg，Na2MOO4.2H2O7.3mg，COCl2.6H2O 12mg，CuSO4.5H2O 10mg，Na2EDTA 4.35g和FeC6H5O7.5H2O 3.9g(或FeCl3.6H2O 3.2g)溶解于纯水(淡水)1000ml，灭菌。(4)维生素溶液：将VB1 100mg,VB12 1mg和VH(生物素)1mg溶于纯水(淡水)1000ml，灭菌。2.f/2液体培养基取大量元素i 1mL，大量元素ii 1mL，微量元素1mL及维生素溶液1mL，以过滤海水定容至1000mL，灭菌。3.f/2琼脂培养基：在步骤2所制备的f/2液体培养基中按照3.5g～4.0g/100mL的比例加入琼脂粉，一起灭菌后倒入玻璃培养皿中，形成f/2琼脂培养基。本专利技术公开一种高压电场辅助的适低温微藻繁育方法，所述方法包括对微藻的预处理步骤，该所述的预处理是将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min。具体实施方式之一，上述高压电场辅助的适低温微藻繁育方法中所述及的预处理是将微藻暴露于18KV的高压电场中2～4min。具体实施方式之二，上述高压电场辅助的适低温微藻繁育方法中所述及的预处理是将微藻暴露于16KV的高压电场中4～6min。进一步的实施方式中，上述上述高压电场辅助的适低温微藻繁育方法中，除预处理步骤外，还包括对预处理后的微藻的选育，包括相继在f/2液体培养基中的选育I期、f/2琼脂培养基上的选育II期(纯化期)和在f/2液体培养基中的选育III期。更为具体的实施方式中，所述的选育各期采用下述选育条件：选育I期和II期的培养条件包括：13℃～15℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)；所述的选育II期的培养条件优选包括：20℃～25℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)。进一步的具体实施方式中，本专利技术高压电场辅助的适低温微藻繁育方法包括如下步骤：(1)微藻的预处理：将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min；(2)将经步骤(1)预处理后的微藻以1～4×104个/mL的密度接种于f/2液体培养基中，在13℃～15℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)条件下培养至30～40×104个/mL；然后接种至f/2琼脂培养基上，在20℃～25℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)条件下培养至生长出单藻落；挑取单藻落接种于f/2液体培养基中，在13℃～15℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)条件下培养获得藻种；(3)步骤(2)所获得的藻种以10～15×104个/mL的密度接种于f/2液体培养基中，在13℃～15℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX(0～12000LX，66％)条件下培养至目标密度。上述本专利技术的本专利技术高压电场辅助的适低温微藻繁育方法尤其优选用于叉鞭金藻(Dirateria inornate)和青岛大扁藻(Platymonas helgolandica Kylin var.tsingtaoensis)的适低温藻种的繁育。以下结合非限制性实施例对本专利技术做进一步的说明。在本说明书中，所述及的预处理藻种即是按照本专利技术的方法以高压电场进行预处理后的相应藻种。实施例1高压电场辅助的叉鞭金藻(Dirateria inornate)繁育方法把密度为30～50×104个/mL的叉鞭金藻藻液50mL放在一个直径15cm的玻璃培养皿中，培养皿不盖盖。装有叉鞭金藻的培养皿放在高压电场中进行预处理，处理条件包括：①18KV，3min；②18KV，5min；③18KV，10min；④16KV，3min；⑤16KV，5min；⑥16KV，10min；⑦14KV，3min；⑧14KV，10min；⑨22KV，3min；⑩22KV，10min。预处理后，用移液枪从培养皿中取预处理后藻液2.0mL，接种至装有23.0mL f/2液体培养基的50mL规格玻璃三角瓶中，完成20个装有25.0mL处理微藻藻液的三角瓶。将上述20个装有预处理微藻藻液的三角瓶放在光照培养箱(上海一恒科技有限公司，MGC-100智能光照培养箱)中，于在13℃～15℃、光照时间(12h:12h)、光照强度66％培养微藻，每天检测三角瓶中微藻密度。经过一段时间培养，选择微藻长势优良的样品(菌密度30～40×104个/mL)，从中取出微藻接种至f/2营养盐琼脂培养基上，在光照培养箱中，于20℃～25℃、光照时间(12h:12h)、光照强度66％培养微藻。待f/2琼脂培养基中生长出微藻的单藻落，则挑出微藻单藻落于装有f/2液体营养盐的30mL灭菌海水中在光照培养箱中，于13℃～15℃、光照时间(12h:12h)、光照强度66％培养。经过一本文档来自技高网...

【技术保护点】
高压电场辅助的适低温微藻繁育方法，包括对微藻的预处理步骤，其特征在于，所述的预处理是将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min。

【技术特征摘要】
1.高压电场辅助的适低温微藻繁育方法，包括对微藻的预处理步骤，其特征在于，所述的预处理是将微藻暴露于16～18KV的高压电场中2～6min。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的预处理是将微藻暴露于18KV的高压电场中2～4min或16KV的高压电场中4～6min。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的预处理是将微藻暴露于18KV的高压电场中2～4min。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的方法还包括预处理后微藻的选育，包括相继在f/2液体培养基中的选育I期、f/2琼脂培养基上的选育II期和在f/2液体培养基中的选育III期。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的选育I期和II期的培养条件包括：13℃～15℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX；所述的选育II期的培养条件包括：20℃～25℃、光照周期12h:12h、光照度7500～8500LX。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉才，付晚涛，张世杰，王玄，刘玉莹，
申请(专利权)人：大连海洋大学，胡玉才，
类型：发明
国别省市：辽宁;21