脑深部刺激电极及刺激系统技术方案

本实用新型专利技术揭示了一种脑深部刺激电极及刺激系统，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。本实用新型专利技术的相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米，如此的间距设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极插入核团的位置的偏差，从而可以大大提高位于核团内的电极触点有效刺激面积，如此，提高了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及植入式医疗器械
，尤其涉及一种脑深部刺激电极及刺激系统。
技术介绍
神经电刺激在神经功能失调治疗和神经损伤康复中具有重要的作用。植入式神经电刺激系统通过在人体内诸如运动神经、感觉神经的特定神经处植入电极，来释放高频电刺激，以对于特定神经进行刺激，从而使人体机能恢复到正常运作的状态。目前，植入式神经电刺激系统主要包括植入式脑深部电刺激(DBS)，植入式脑皮层刺激(CNS)，植入式脊髓电刺激系统(SCS)，植入式骶神经电刺激系统(SNS)，植入式迷走神经电刺激系统(VNS)等等。植入式脑深部电刺激(DBS)以及其他涉及向脑部植入电极和导管的有关手术越来越多地用来治疗像帕金森症、肌张力障碍、特发性震颤、癫痫、肥胖、抑郁、运动控制障碍及其他使人衰弱的疾病。在这些手术中，策略地把电极或其他医疗器件放置在脑部的目标部位。将电极定位在脑深部刺激的“最佳”或最优部位可能是辛苦的过程。现有技术中，植入式脑深部电刺激系统中的电极植入患者脑部核团时，在医生手术误差等于零的情况下，因为存在磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等产生误差的情况，所以往往电极不会维持在医生希望的核团最佳位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，其特征在于所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。

【技术特征摘要】
1.一种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，其特征在于所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。2.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，相邻两个电极触点之间的间距为1.0毫米。3.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，每一所述电极触点沿所述长度方向的宽度为1.5毫米。4.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，当所述电极本体处于展开平铺状态时，所述若干电极触点沿所述宽度方向呈四排排布，且相邻两排之间的间距保持为1.0毫米。5.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，所述电极本体沿所述宽度方向的截面为圆形。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：豆美娟，朱为然，
申请(专利权)人：苏州景昱医疗器械有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32