一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源技术方案

本发明专利技术公开了一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，二极管D1，极性电容C1，极性电容C4，二极管D4，极性电容C5，电压检测电路，基极恒流驱动电路，三极管稳压电路，串接在场效应管MOS1的漏极与基极恒流驱动电路之间的过流保护电路以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成。本发明专利技术能有效的降低输入电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输入电流的异常波动，使输入电流保持稳定，从而提高了本发明专利技术的输出电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度。

Power supply for overcurrent protection face detection system with multiple circuit processing

The invention discloses a multi circuit overcurrent protection type face detection system with power supply, characterized by the main control chip U2, diode rectifier U1, FET MOS1, triode VT1, diode D1, C1 capacitor polarity, polarity capacitor C4, diode D4, polar capacitor C5 the base voltage detection circuit, constant current drive circuit, a triode voltage regulator circuit, drain and base on the constant current drive circuit between the overcurrent protection circuit and connected in series with positive polarity base capacitance C5 constant current drive circuit between the corrugated peak suppression circuit connected to the field-effect transistor MOS1. The invention can effectively reduce the leakage current and loss current of input current, and can inhibit the abnormal fluctuation of the input current and the input current is stable, so as to improve the stability of output voltage and current of the invention, effectively improve the detection accuracy of face detection system.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体的说，是一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源。
技术介绍
随着高科技的蓬勃发展，人脸检测系统作为一种人体识别密码被人们广泛使用。目前越来越多的企业为适应信息的时代需要将这种智能识别系统应用于门禁管理。但因目前的人脸检测系统用电源在外界电磁波的干扰下易出现波动，导致输出电压和电流不稳定，严重的影响了人脸检测系统的检测精度，致使非工作人员进入到室内，影响了使用者的正常工作，并且给使用者带来了极大的安全隐患。因此，提供一种能输出稳定的电压和电流的人脸检测系统用电源便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的人脸检测系统用电源存在输出电压和电流不稳定的缺陷，提供的一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD-管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，与控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，串接在场效应管MOS1的漏极与基极恒流驱动电路之间的过流保护电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成；所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地。所述过流保护电路由三极管VT10，三极管VT11，三极管VT12，正极经电阻R40后与三极管VT10的集电极相连接、负极与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C19，N极与三极管VT11的集电极相连接、P极经电阻R36后与极性电容C19的负极相连接的二极管D15，正极经电阻R39后与三极管VT11的基极相连接相连接、负极经电阻R37后与二极管D15的P极相连接的极性电容C22，负极经电阻R42后与三极管VT12的基极相连接、正极经电阻R38后与极性电容C22的负极相连接的极性电容C21，一端与三极管VT12的集电极相连接、另一端接地的电阻R44，正极与三极管VT10的基极相连接、负极与三极管VT11的发射极相连接的极性电容C20，一端与三极管VT10的发射极相连接、另一端与三极管VT12的基极相连接的可调电阻R41，P极电阻R43后与三极管VT12的基极相连接、N极经继电器K后与三极管VT12的发射极相连接的二极管D16，以及P极与二极管D16的N极相连接、N极与三极管VT12的发射极相连接的二极管D17组成；所述极性电容C22的负极接地；所述二极管D16的P极还与三极管VT10的发射极相连接；所述二极管D16的N极经继电器K的常开触点K-1后与基极恒流驱动电路相连接。进一步的，所述三极管稳压电路由三极管VT9，三极管VT7，三极管VT8，正极电阻R27后与三极管VT9的集电极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C15，负极经电阻R29后与三极管VT9的基极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C16，P极与极性电容C16的正极相连接、N极经电阻R32后与三极管VT8的基极相连接的二极管D12，正极经电阻R31后与二极管D12的P极相连接、负极接地的极性电容C17，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极经电阻R34后与极性电容C17的负极相连的二极管D14，一端与二极管D14的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的可调电阻R35，P极与三极管VT9的发射极相连接、N极经电阻R33后与三极管VT8的发射极相连接的二极管D13，正极与二极管D13的N极相连接、负极与三极管VT8的集电极相连接后接地的极性电容C18，以及一端与二极管D13的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的电感L3组成；所述三极管VT9的基极还与三极管VT8的发射极相连接；所述极性电容C15的负极还与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述极性电容C18的负极与电压检测电路相连接。所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，三极管VT6，场效应管MOS3，P极经电阻R20后与场效应管MOS3的源极相连接、P极与极性电容C5的正极相连接的二极管D9，正极经电阻R19后与二极管D9的N极相连接、负极接地的极性电容C10，P极与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与极性电容C10的负极相连接后接地的二极管D10，一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接的可调电阻R22，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与二极管D10的N极相连接的极性电容C11，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与二极管D10的N极相连接的电阻R21，P极与三极管VT6的实际基极相连接、N极经电阻R23后与放大器P的输出端相连接的二极管D11，一端与放大器P的输出端相连接、另一端与极性电容C11的负极相连接后接地的可调电阻R25，负极经电阻R26后与放大器P的输出端相连接、正极与可调电阻R25的可调端相连接的极性电容C14，正极经电阻R24后与放大器P的输出端相连接、负极与放大器P的负极相连接后接地的极性电容C13，负极经电阻R18后与放大器P的正极相连接、正极经电阻R17后与二极管D9的P极相连接的极性电容C12，以及N极经电感L2后与放大器P的正电极相连接、P极经电阻R16后与二极管D9的P极相连接的二极管D8组成；所述二极管D9的P极与极性电容C11的负极相连接；所述所述极性电容C14的负极与基极恒流驱动电路相连接。更进一步的，所述电压检测电路由三极管VT2，P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，一端与二极管D2的P极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R2，负极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，正极经电阻R5后与三极管VT2的基极相连接、负极接地的极性电容C3，一端与极性电容C3的正极相连接、另一端与极性电容C2的负极相连接的可调电阻R6，以及N极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、P极经电阻R7后与极性电容C3的负极相连接的稳压二极管D3组成；所述三极管VT2的基极还与极性电容C18的负极相连接后接地。所述基极恒流驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R8后与控制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C6，正极经电阻R9后与三极管VT3的发射极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD‑管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，与控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，串接在场效应管MOS1的漏极与基极恒流驱动电路之间的过流保护电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成；所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地。...

【技术特征摘要】
1.一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD-管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，与控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，串接在场效应管MOS1的漏极与基极恒流驱动电路之间的过流保护电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成；所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地。2.根据权利要求1所述的一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述过流保护电路由三极管VT10，三极管VT11，三极管VT12，正极经电阻R40后与三极管VT10的集电极相连接、负极与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C19，N极与三极管VT11的集电极相连接、P极经电阻R36后与极性电容C19的负极相连接的二极管D15，正极经电阻R39后与三极管VT11的基极相连接相连接、负极经电阻R37后与二极管D15的P极相连接的极性电容C22，负极经电阻R42后与三极管VT12的基极相连接、正极经电阻R38后与极性电容C22的负极相连接的极性电容C21，一端与三极管VT12的集电极相连接、另一端接地的电阻R44，正极与三极管VT10的基极相连接、负极与三极管VT11的发射极相连接的极性电容C20，一端与三极管VT10的发射极相连接、另一端与三极管VT12的基极相连接的可调电阻R41，P极电阻R43后与三极管VT12的基极相连接、N极经继电器K后与三极管VT12的发射极相连接的二极管D16，以及P极与二极管D16的N极相连接、N极与三极管VT12的发射极相连接的二极管D17组成；所述极性电容C22的负极接地；所述二极管D16的P极还与三极管VT10的发射极相连接；所述二极管D16的N极经继电器K的常开触点K-1后与基极恒流驱动电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种多电路处理的过流保护型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述三极管稳压电路由三极管VT9，三极管VT7，三极管VT8，正极电阻R27后与三极管VT9的集电极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C15，负极经电阻R29后与三极管VT9的基极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C16，P极与极性电容C16的正极相连接、N极经电阻R32后与三极管VT8的基极相连接的二极管D12，正极经电阻R31后与二极管D12的P极相连接、负极接地的极性电容C17，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极经电阻R34后与极性电容C17的负极相连的二极管D14，一端与二极管D14的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的可调电阻R35，P极与三极管VT9的发射极相连接、N极经电阻R33后与三极管VT8的发射极相连接的二极管D13，正极与二极管D13的N极相连接、负极与三极管VT8的集电极相连接后接地的极性电容C18，以及一端与二极管D13的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的电感L3组成；所述三极管VT9的基极还与三极管VT8的发射极相连接；所述极性电容C15的负极还与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述极性电容C18的负极与电压检测电路相连接。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都翰道科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51