一种具有MRI模式的植入式医疗器械及其工作方法技术

本发明专利技术涉及一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，其包括以下步骤：步骤S10，判断是否接收到外设控制器的切换为MRI模式指令，如果是，进入步骤S11，如果否，继续重复步骤S10；步骤S11，切换为MRI模式，并进入步骤S12；步骤S12，判断是否接收到外设控制器的切换为正常模式指令，如果是，进入步骤S15，如果否，进入步骤S13；步骤S13，判断是否超过时间阈值，如果是，进入步骤S14，如果否，返回步骤S12；步骤S14，切换为正常模式，记录超时切换事件，并进入步骤S15；以及步骤S15，结束。本发明专利技术还涉及一种植入式医疗器械。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及医疗器械相关
，尤其，涉及一种植入式医疗器械(Implantable Medical Device,IMD)。
技术介绍
植入式医疗器械种类很多，如心脏起搏器和除颤器、植入式神经刺激器、植入式肌肉刺激器等。植入式医疗器械一般包含体内植入装置和体外控制装置，两者之间通过双向无线通讯交换信息。在现有的技术中，植入式医疗器械一般利用电池供电，通过脉冲发生电路发出特定频率的刺激脉冲，对特定的靶点进行刺激，从而改善患者的症状。所述脉冲发生电路通常包括一DC-DC电压变换电路。然而，在强磁场环境下，例如磁共振成像(MRI)环境下，该DC-DC电压变化电路中的磁芯电感由于磁芯饱和而导致电感量下降，这会影响脉冲发生电路发出的刺激脉冲，从而影响对患者的治疗效果以及带来安全隐患。
技术实现思路
本专利技术提供一种可以自动检测强磁场环境的植入式医疗器械的工作方法以及采用该方法的植入式医疗器械。一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，该植入式医疗器械包括一体内植入装置，且该体内植入装置包括一对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其中，该控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，该植入式医疗器械包括体内植入装置和外设控制器，且该体内植入装置包括对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其特征在于，该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤：步骤S10，判断是否接收到外设控制器的切换为MRI模式指令，如果是，进入步骤S11，如果否，继续重复步骤S10；步骤S11，切换为MRI模式，并进入步骤S12；步骤S12，判断是否接收到外设控制器的切换为正常模式指令，如果是，进入步骤S14，如果否，进入步骤S13；步骤S13，判断是否超过时间阈值，如果是，进入步骤S14，如果否，返回步骤S12；步骤...

【技术特征摘要】
1.一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，该植入式医疗器械包括体内植入装置和外设控制器，且该体内植入装置包括对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其特征在于，该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤：步骤S10，判断是否接收到外设控制器的切换为MRI模式指令，如果是，进入步骤S11，如果否，继续重复步骤S10；步骤S11，切换为MRI模式，并进入步骤S12；步骤S12，判断是否接收到外设控制器的切换为正常模式指令，如果是，进入步骤S14，如果否，进入步骤S13；步骤S13，判断是否超过时间阈值，如果是，进入步骤S14，如果否，返回步骤S12；步骤S14，切换为正常模式，记录超时切换事件，并进入步骤S17；以及步骤S17，结束。2.根据权利要求1的具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，其特征在于，所述控制体内植入装置的方法进一步包括以下步骤S15和S16，且所述步骤S14之后进入步骤S15：步骤S15，判断是否收到外设控制器的询问指令，如果是，进入步骤S16，如果否，进入步骤S17；以及步骤S16，向外设控制器发送超时切换事件信息，进入步骤S17。3.一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，其特征在于，该植入式医疗器械包括体内植入装置和外设控制器，且该体内植入装置包括对外部强磁场敏感的电路元件；该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法；其特征在于，该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤：步骤S10，判断是否接收到外设控制器的切换为MRI模式指令，如果是，进入步骤S11，如果否，继续重复步骤S10；步骤S11，切换为MRI模式，并进入步骤S12；步骤S12，开始检测外部强磁场并判断是否检测到外部强磁场的存在，如果是，进入步骤S13，如果否，继续重复步骤S12；步骤S13，记录检测到外部强磁场的时间和脉冲发生器的状态，标记处于强磁场环境，并进入步骤S14；步骤S14，判断外部强磁场是否消失，如果是，则进入步骤S15，如果否，则重复步骤S14；步骤S15，记录外部强磁场消失的时间和脉冲发生器的状态，标记离开强磁场环境，并进入步骤S16；步骤S16，判断是否接收到外设控制器的切换为正常模式指令，如果是，进入步骤S18，如果否，进入步骤S17；步骤S17，判断是否超过时间阈值，如果是，进入步骤S18，如果否，返回步骤S16；步骤S18，停止检测外部强磁场，切换为正常模式，记录超时切换事件，并进入步骤S21；以及步骤S21，结束。4.根据权利要求3的具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法，其特征在于，所述控制体内植入装置的方法进一步包括以下步骤S1...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜长青，白冰，马伯志，李青峰，李路明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11