一种前置光源及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种前置光源及制备方法、显示装置，用以提高反射式显示屏的前置光源的透过率，本申请提供的一种前置光源，分为透光区和发光区，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示
，特别是涉及一种前置光源及制备方法、显示装置。
技术介绍
反射式显示相比透射式显示，光线更柔和、省电、且可以在户外有更好的显示效果，因此备受青睐。传统的反射式显示前置光源通常采用发光二极管条(Light-Emitting Diode Bar，LED Bar)等线光源，因此无法均匀地照亮整个屏幕，会出现中间亮，周边暗的现象，造成这种反射式显示屏的对比度低，显示效果差。有机电致发光器件(Organic Electroluminesence Display，OLED)具有轻薄、发光均匀等特点，采用透明衬底基板的OLED发光器件可用于作为反射式显示屏的前置光源。OLED前置光源一般分为透光区01和发光区02；其包括：设置在透光区01用于限定发光区02的像素限定层(图1中未示出)，如图1所示，图1为现有技术中OLED前置光源的局部俯视图，图1中透光区与像素限定层重叠。而传统的OLED前置光源中的像素限定层(Pixel Definition Layer,PDL)通常采用有机树脂制作而成，但有机树脂会降低OLED前置光源的透过率，若采用这种OLED前置光源作为反射式显示屏的前置光源，则会造成反射式显示屏的透过率低。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种前置光源及制备方法、显示装置，用以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。本申请实施例提供的一种前置光源，分为透光区和发光区，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料。本申请实施例提供的前置光源，分为透光区和发光区，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料，由于透光区的像素限定层的材料采用透明的无机材料，而透明的无机材料的透过率高，因此，可以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。较佳地，所述像素限定层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅其中之一或组合。较佳地，所述像素限定层包括至少一层子像素限定层。较佳地，所述像素限定层包括第一子像素限定层和位于所述第一子像素限定层上的第二子像素限定层。较佳地，所述第一子像素限定层和所述第二子像素限定层的材料相同，且所述第一子像素限定层的密度小于所述第二子像素限定层的密度。该前置光源中，第一子像素限定层和第二子像素限定层的材料相同，第一子像素限定层的密度小于第二子像素限定层的密度，由此可知在前置光源的制作过程中，在沉积形成第一子像素限定层的第一子像素限定层薄膜时所使用的硅烷(SiH4)流量低于在沉积形成第二子像素限定层的第二子像素限定层薄膜时所使用的SiH4流量，这样可以减少因SiH4与反射电极层发生还原反应而引发薄膜表面出现雾化现象。较佳地，所述第一子像素限定层的材料为氮化硅，所述第二子像素限定层的材料为氮氧化硅或氧化硅。较佳地，所述第二子像素限定层的厚度大于所述第一子像素限定层的厚度。该前置光源中，第二子像素限定层的厚度大于第一子像素限定层的厚度，由于在沉积形成厚的第二子像素限定层的第二子像素限定层薄膜时使用较高的SiH4流量而使得沉积的速度快，因此可以增加产能。本申请实施例还提供了一种显示装置，包括本申请实施例提供的上述前置光源和显示面板。由于本申请实施例提供的显示装置采用了上述的前置光源，而上述的前置光源，分为透光区和发光区，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料，由于透光区的像素限定层的材料采用透明的无机材料，而透明的无机材料的透过率高，因此，可以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。本申请实施例还提供了一种前置光源的制备方法，该方法包括：采用透明的无机材料在透光区形成用于限定发光区的像素限定层。采用该方法制备的前置光源，分为透光区和发光区，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料，由于透光区的像素限定层的材料采用透明的无机材料，而透明的无机材料的透过率高，因此，可以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。较佳地，采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅其中之一或组合在透光区形成所述像素限定层。较佳地，所述在透光区形成像素限定层，包括：在透光区形成至少一层子像素限定层。较佳地，所述在透光区形成像素限定层，包括：在透光区沉积第一子像素限定层薄膜；在所述第一子像素限定层薄膜上沉积第二子像素限定层薄膜；针对所述第二子像素限定层薄膜通过构图工艺和干法刻蚀工艺形成第二子像素限定层；通过干法刻蚀工艺去除暴露出的第一子像素限定层薄膜，形成第一子像素限定层；其中，所述第一子像素限定层和所述第二子像素限定层作为所述像素限定层。较佳地，采用包括硅烷SiH4的气体沉积第一子像素限定层薄膜；其中，SiH4的流量为60～100标准毫升/分钟。由于沉积第一子像素限定层薄膜时采用的SiH4的流量为60～100标准毫升/分钟，这样可以防止因SiH4与反射电极层发生还原反应而引发薄膜表面出现雾化现象。较佳地，采用包括SiH4的气体沉积第二子像素限定层薄膜；其中，SiH4的流量为160～240标准毫升/分钟。由于沉积第二子像素限定层薄膜时采用的SiH4的流量为160～240标准毫升/分钟，这样，一方面可以提高第二子像素限定层薄膜沉积的速度，从而增加产能，另一方面不会由于SiH4的含量太高而造成反应不充分，从而造成气体原料浪费。较佳地，采用包括氧气O2的气体通过干法刻蚀工艺形成第一子像素限定层；其中，O2的流量逐渐降低。由于形成第一子像素限定层时采用流量逐渐降低的O2，这样可以防止氧气等离子对反射电极层的轰击而造成功函提高，从而防止开启电压升高、器件的漏电流增大。附图说明图1为现有技术中OLED前置光源的局部俯视图；图2为本申请实施例提供一种前置光源的结构示意图；图3(a)～3(h)为本申请实施例提供的前置光源的制备工艺流程示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种前置光源及制备方法、显示装置，用以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明的是，本申请附图中各层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。本申请实施例提供的一种前置光源，如图2所示，分为透光区1和发光区2，该前置光源包括：设置在透光区1用于限定发光区2的像素限定层3；其中，像素限定层3的材料为透明的无机材料。由于透光区1的像素限定层3的材料采用透明的无机材料，而透明的无机材料的透过率高，因此，可以提高反射式显示屏的前置光源的透过率。较佳地，如图2所示，该前置光源的发光区2可以设置层叠的透明衬底基板4、反射电极层5、多个有机发光单元6和阴极层7。其中，反射电极层5一方面作为发光电极的阳极，另一方面用于反射有机发光单元6发出的光，该反射电极层5可以包括层叠的氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和ITO，或者反射电极层5包括钼(Mo)、铝钕合金(AlNd)和ITO，本申请实施例并不对其进行限定；像素限定层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种前置光源，分为透光区和发光区，其特征在于，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料。

【技术特征摘要】
1.一种前置光源，分为透光区和发光区，其特征在于，包括：设置在所述透光区用于限定所述发光区的像素限定层；其中，所述像素限定层的材料为透明的无机材料。2.根据权利要求1所述的前置光源，其特征在于，所述像素限定层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅其中之一或组合。3.根据权利要求2所述的前置光源，其特征在于，所述像素限定层包括至少一层子像素限定层。4.根据权利要求3所述的前置光源，其特征在于，所述像素限定层包括第一子像素限定层和位于所述第一子像素限定层上的第二子像素限定层。5.根据权利要求4所述的前置光源，其特征在于，所述第一子像素限定层和所述第二子像素限定层的材料相同，且所述第一子像素限定层的密度小于所述第二子像素限定层的密度。6.根据权利要求4所述的前置光源，其特征在于，所述第一子像素限定层的材料为氮化硅，所述第二子像素限定层的材料为氮氧化硅或氧化硅。7.根据权利要求4～6任一权项所述的前置光源，其特征在于，所述第二子像素限定层的厚度大于所述第一子像素限定层的厚度。8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一权项所述的前置光源和显示面板。9.一种前置光源的制备方法，其特征在于，该方法包括：采用透明的无机材料在透光区形成用于限定发光区的像...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晓龙，姚继开，祝明，关峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11