有机发光二极管显示面板及装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管显示面板及装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括：A、形成有机发光二极管显示面板；B、将有机发光二极管显示面板与扫描驱动电路和数据驱动电路连接；步骤A包括：a1、在玻璃基板上设置缓冲层；a2、在缓冲层上设置绝缘层；a3、在绝缘层上设置开关器件层；a4、在开关器件层上设置平坦化层；a5、在平坦化层上设置显示器件层；a6、在显示器件层上设置盖板；步骤a3包括：a31、在缓冲层上设置多晶硅层；a32、在绝缘层上设置栅极；a33、将源极的两第一接触面与多晶硅层接触；a34、将漏极的两第二接触面与多晶硅层接触。本发明专利技术可以在避免增加输入至TFT中的电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置制造领域，特别涉及一种有机发光二极管显示面板及装置的制造方法。
技术介绍
传统的有机发光二极管显示面板一般采用TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）来作为开关器件。目前，上述传统的有机发光二极管显示面板中的TFT存在漏电流较大的问题，这会导致上述传统的有机发光二极管显示面板中的TFT的输出电流下降。为了使得有机发光二极管显示面板达到预期的显示效果，需要增大输入至TFT中的电流值，因此，传统的有机发光二极管显示面板需要耗费较多的电能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机发光二极管显示面板及装置的制造方法，其能使得所述有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至TFT中的电流的情况下取得预期的显示效果。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：一种有机发光二极管显示装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：A、形成有机发光二极管显示面板；B、将所述有机发光二极管显示面板与扫描驱动电路和数据驱动电路连接；其中，所述步骤A包括：a1、在玻璃基板上设置缓冲层；a2、在所述缓冲层上设置绝缘层；a3、在所述绝缘层上设置开关器件层，其中，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括多晶硅层、栅极、源极、漏极；a4、在所述开关器件层上设置平坦化层；a5、在所述平坦化层上设置显示器件层，其中，所述显示器件层包括阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，阴极层；a6、在所述显示器件层上设置盖板；其中，所述步骤a3包括：a31、在所述缓冲层上设置所述多晶硅层，其中，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；a32、在所述绝缘层上设置所述栅极，其中，所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；a33、将所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；a34、将所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。在上述有机发光二极管显示装置的制造方法中，所述步骤A还包括：a7、在所述玻璃基板的边缘部处设置密封胶构件，其中，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。在上述有机发光二极管显示装置的制造方法中，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度；所述结构巩固颗粒为金属颗粒。在上述有机发光二极管显示装置的制造方法中，在所述步骤a31之后，所述步骤a3还包括：a35、在所述多晶硅层中掺杂P离子。在上述有机发光二极管显示装置的制造方法中，所述步骤a5包括：a51、在所述阳极层上设置所述空穴注入层；a52、在所述空穴注入层上设置所述空穴传输层；a53、在所述空穴传输层上设置所述发光材料层；a54、在所述发光材料层上设置所述电子传输层；a55、在所述电子传输层上设置所述电子注入层；a56、在所述电子注入层上设置所述阴极层。一种有机发光二极管显示面板的制造方法，所述方法包括以下步骤：C、在玻璃基板上设置缓冲层；D、在所述缓冲层上设置绝缘层；E、在所述绝缘层上设置开关器件层，其中，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括多晶硅层、栅极、源极、漏极；F、在所述开关器件层上设置平坦化层；G、在所述平坦化层上设置显示器件层，其中，所述显示器件层包括阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，阴极层；H、在所述显示器件层上设置盖板；其中，所述步骤E包括：e1、在所述缓冲层上设置所述多晶硅层，其中，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；e2、在所述绝缘层上设置所述栅极，其中，所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；e3、将所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；e4、将所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。在上述有机发光二极管显示面板的制造方法中，所述方法还包括以下步骤：I、在所述玻璃基板的边缘部处设置密封胶构件，其中，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。在上述有机发光二极管显示面板的制造方法中，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度；所述结构巩固颗粒为金属颗粒。在上述有机发光二极管显示面板的制造方法中，在所述步骤e1之后，所述步骤E还包括：e5、在所述多晶硅层中掺杂P离子。在上述有机发光二极管显示面板的制造方法中，所述步骤G包括：g1、在所述阳极层上设置所述空穴注入层；g2、在所述空穴注入层上设置所述空穴传输层；g3、在所述空穴传输层上设置所述发光材料层；g4、在所述发光材料层上设置所述电子传输层；g5、在所述电子传输层上设置所述电子注入层；g6、在所述电子注入层上设置所述阴极层。相对现有技术，本专利技术可以有效降低所述有机发光二极管显示面板中的TFT的漏电流，从而可以使得所述有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至TFT中的电流的情况下取得预期的显示效果。附图说明图1为本专利技术的有机发光二极管显示装置的制造方法的流程图。图2为图1中的形成有机发光二极管显示面板的步骤的流程图。图3为图2中的在绝缘层上设置开关器件层的步骤的流程图。图4为图2中的在平坦化层上设置显示器件层的步骤的流程图。具体实施方式参考图1、图2、图3和图4，图1为本专利技术的有机发光二极管显示装置的制造方法的流程图，图2为图1中的形成有机发光二极管显示面板的步骤的流程图，图3为图2中的在绝缘层上设置开关器件层的步骤的流程图，图4为图2中的在平坦化层上设置显示器件层的步骤的流程图。本专利技术的有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤：A（步骤101）、形成有机发光二极管显示面板。B（步骤102）、将所述有机发光二极管显示面板与扫描驱动电路和数据驱动电路连接。其中，所述步骤A包括：a1（步骤1011）、在玻璃基板上设置缓冲层。a2（步骤1012）、在所述缓冲层上设置绝缘层。a3（步骤1013）、在所述绝缘层上设置开关器件层，其中，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括多晶硅层、栅极、源极、漏极；a4（步骤1014）、在所述开关器件层上设置平坦化层。a5（步骤1015）、在所述平坦化层上设置显示器件层，其中，所述显示器件层包括阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，阴极层；a6（步骤1017）、在所述显示器件层上设置盖板。其中，所述步骤a3包括：a31（步骤10131）、在所述缓冲层上设置所述多晶硅层，其中，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层。a32（步骤10133）、在所述绝缘层上设置所述栅极，其中，所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接。a33（步骤10134）、将所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接。a34（步骤10135）、将所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。在上述方法中，所述步骤A还包括：a7（步骤1016）、在所述玻璃基板的边缘部处设置密封胶构件，其中，所述密封胶构件在所述边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、形成有机发光二极管显示面板；B、将所述有机发光二极管显示面板与扫描驱动电路和数据驱动电路连接；其中，所述步骤A包括：a1、在玻璃基板上设置缓冲层；a2、在所述缓冲层上设置绝缘层；a3、在所述绝缘层上设置开关器件层，其中，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括多晶硅层、栅极、源极、漏极；a4、在所述开关器件层上设置平坦化层；a5、在所述平坦化层上设置显示器件层，其中，所述显示器件层包括阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，阴极层；a6、在所述显示器件层上设置盖板；其中，所述步骤a3包括：a31、在所述缓冲层上设置所述多晶硅层，其中，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；a32、在所述绝缘层上设置所述栅极，其中，所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；a33、将所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；a34、将所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、形成有机发光二极管显示面板；B、将所述有机发光二极管显示面板与扫描驱动电路和数据驱动电路连接；其中，所述步骤A包括：a1、在玻璃基板上设置缓冲层；a2、在所述缓冲层上设置绝缘层；a3、在所述绝缘层上设置开关器件层，其中，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括多晶硅层、栅极、源极、漏极；a4、在所述开关器件层上设置平坦化层；a5、在所述平坦化层上设置显示器件层，其中，所述显示器件层包括阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，阴极层；a6、在所述显示器件层上设置盖板；其中，所述步骤a3包括：a31、在所述缓冲层上设置所述多晶硅层，其中，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；a32、在所述绝缘层上设置所述栅极，其中，所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；a33、将所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；a34、将所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤A还包括：a7、在所述玻璃基板的边缘部处设置密封胶构件，其中，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度；所述结构巩固颗粒为金属颗粒。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，在所述步骤a31之后，所述步骤a3还包括：a35、在所述多晶硅层中掺杂P离子。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤a5包括：a51、在所述阳极层上设置所述空穴注入层；a52、在所述空穴注入层上设置所述空穴传输层；a53、在所述空穴传输层上设置所述发光材料层；a54、在所述发光材料层上设置所述电子传输层；a55、在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦龙，苏俊武，丁杰，李涛，
申请(专利权)人：深圳爱易瑞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44