防止装置制造方法及图纸

电流在作为开关发挥功能的FET(21、22)各自的漏极之间流动。第一恒流电路(25)使恒定的电流从电阻(R1)的FET(21)侧朝另一侧流动。第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位高的情况下向控制部(23)输出高电平的电压。而且，第一比较器(26)在FET(22)的漏极的电位比电阻(R1)的靠第一恒流电路(25)侧的一端的电位低的情况下向控制部(23)输出低电平的电压。在第一比较器(26)输出了低电平的电压的情况下，控制部(23)使FET(21、22)分别断开。而且，控制部(23)变更第一恒流电路(25)中向电阻(R1)流动的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及防止过电流在电流路径中流动的防止装置。
技术介绍
在车辆中搭载有从电源向电气设备进行供电的电源系统。在该电源系统中，在由于短路而过电流在连接电源及电气设备的导线中流动的情况下，导线有可能着火。因此，在电源系统中搭载有防止过电流在从电源向电气设备的电流路径中流动的防止装置(例如，参见专利文献1)。在专利文献1记载的防止装置中，经由FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)而从电源向负载供电。并且，在预定电流以上的电流在从电源向负载的电流路径中流动的情况下，FET切断在电流路径中流动的电流。专利文献1：专利第3589392号公报
技术实现思路
作为以往的防止装置，存在在从电源向负载的电流路径中设有开关并将开关的靠负载侧的一端的电位与阈值电位进行比较的防止装置。例如，在开关为半导体开关的情况下，在较大的电流在电流路径中流动时，利用开关的接通电阻使电压降低，由此开关的靠负载侧的一端的电位较大地降低。在上述的防止装置中，在开关的靠负载侧的一端的电位比阈值电位低的情况下，使开关断开。由此，防止过电流在电流路径中流动。但是，在负载为电感式负载的情况下，在负载刚进行工作之后突入电流在电流路径中流动。在上述的防止装置中，有可能在突入电流在电流路径中流动的情况下错误地使开关断开。另外，电源系统内的温度根据车辆行驶的环境或负载的工作状况等而发生变化。容许向开关流动的电流的值根据开关周边的温度而不同。在开关周边的温度较高的情况下，即使在向开关流动的电流的值比较小时，开关也有可能发生故障。因此，在上述的防止装置中，在阈值电位设定为恒定的值的情况下，有可能产生超过容许向开关流动的电流的值的过电流在电流路径中流动的情况。而且，在大量地制造上述的防止装置的情况下，开关的接通电阻值的偏差较大。因此，对于所有的防止装置，在阈值电位相同的情况下，在开关的接通电阻值较小的防止装置中，即使开关的靠负载侧的一端的电位比阈值电位高时，也有可能产生过电流在电流路径中流动的情况。本专利技术是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供能够可靠地防止过电流在电流路径中流动的防止装置。本专利技术的防止装置具备设于电流路径的开关，通过使该开关断开来防止过电流在上述电流路径中流动，上述防止装置的特征在于，具备：电阻，上述电阻的一端与上述开关的一端连接，恒流电路，使恒定的电流从该电阻的一端侧朝另一端侧流动；变更单元，变更该恒流电路中流动的电流的值；及比较部，对上述开关及电阻各自的另一端的电位进行比较，上述防止装置构成为，在该比较部进行的比较的结果表示上述开关的另一端的电位比上述电阻的另一端的电位低的情况下，使上述开关断开。在本专利技术中，例如，在开关的一端连接有电源，在开关的另一端连接有负载，电流在从电源向负载的电流路径中流动。在开关的一端连接有电阻的一端，恒流电路使恒定的电流从电阻的一端侧朝另一端侧流动。并且，对开关及电阻各自的另一端的电位进行比较。在开关为接通的情况下，开关的另一端的电位为从电源的输出电压减去开关的两端之间的电压而得到的值，电阻的另一端的电位为从电源的输出电压减去电阻的两端之间的电压而得到的值。通过恒流电路而使恒定的电流向电阻流动，因此电阻的两端之间的电压为恒定。并且，在预定值以上的电流在电流路径中流动而开关的两端之间的电压成为预定电压以上的情况下，开关的另一端的电位比电阻的另一端的电位低。此时，由于开关设为断开，因此防止过电流在电流路径中流动。另外，变更恒流电路中流动的电流的值。由此，能够变更电阻的两端之间的电压，因此能够变更与开关的另一端的电位进行比较的阈值电位。因此，例如在开关的另一端连接有电感式负载的情况下，能够仅在负载刚进行工作之后预定期间的期间将阈值电位变更成低电位。另外，也能够根据开关周边的温度来变更阈值电位，也能够对应每个装置而变更阈值电位。通过适当地设定阈值电位，可靠地防止过电流在电流路径中流动。本专利技术的防止装置的特征在于，还具备检测上述开关周边的温度的温度检测部，上述变更单元构成为，根据上述温度检测部检测到的温度的高/低而将上述恒流电路中流动的电流的值变更为小/大的值。在本专利技术中，检测开关周边的温度。并且，在检测到的温度较高的情况下、即开关容易发生故障的情况下，将恒流电路中流动的电流的值变更成较小的值，使与开关的另一端的电位进行比较的阈值电位变高。另外，在检测到的温度较低的情况下、即开关难以发生故障的情况下，将恒流电路中流动的电流的值变更成较大的值，使与开关的另一端的电位进行比较的阈值电位降低。由此，能够可靠地防止开关的故障，并且使电流高效地在电流路径中流动。本专利技术的防止装置的特征在于，在上述开关的另一端连接有负载，上述防止装置具备判定该负载是否进行工作的判定单元，上述变更单元构成为，在由该判定单元判定为上述负载进行工作的情况下，使上述恒流电路中流动的电流的值上升。在本专利技术中，在开关的另一端连接有负载。并且，在判定为负载进行工作的情况下，使恒流电路中流动的电流的值上升，使与开关的另一端的电位进行比较的阈值电位降低。由此，在负载刚进行工作之后产生了突入电流的情况下错误地使开关断开的概率低。本专利技术的防止装置的特征在于，上述变更单元构成为，在由上述判定单元判定为上述负载进行工作之后经过了预定时间的情况下，使上述恒流电路中流动的电流的值返回到上升之前的电流值。在本专利技术中，在判定为负载进行工作而使恒流电路中流动的电流的值上升之后经过了预定时间的情况下，使恒流电路中流动的电流的值返回到上升之前的电流值。由此，能够仅在负载进行工作而突入电流在电流路径中流动的期间，使与开关的另一端的电位进行比较的阈值电位降低。本专利技术的防止装置的特征在于，上述恒流电路具备两个晶体管，该两个晶体管分别具有第一端、第二端及第三端，在上述两个晶体管的各晶体管中，与第一端和第二端之间的电压对应的值的电流向第二端和第三端之间流动，上述两个晶体管中的一个晶体管中的第一端及第三端分别连接于另一晶体管的第一端，上述两个晶体管的各晶体管中的第二端的电位大致相同，在上述另一晶体管的第三端连接有上述电阻的另一端，上述变更单元构成为，通过变更在上述一个晶体管的第二端和第三端之间流动的电流的值来变更上述恒流电路中流动的电流的值。在本专利技术中，恒流电路具备两个晶体管，两个晶体管分别具有第一端、第二端及第三端。在两个晶体管的各晶体管中，与第一端和第二端之间的电压对应的值的电流在第二端和第三端之间流动。两个晶体管中的一个晶体管中的第一端及第三端连接于另一晶体管的第一端，两个晶体管各自中的第二端的电位大致相同。并且，在另一晶体管的第三端连接有电阻的另一端。在如上连接有两个晶体管的情况下，两个晶体管各自中的第一端及第二端之间的电压大致一致。因此，关于两个晶体管，在相对于第一端与第二端之间的电压而在第二端与第三端之间流动的电流的值同样地发生变化的情况下，将在一个晶体管的第二端与第三端之间流动的电流的值设为预定的几倍而得到的值的电流在另一晶体管的第二端与第三端之间流动。并且，通过变更在一个晶体管的第二端与第三端之间流动的电流的值，容易地变更恒流电路中流动的电流、即在另一晶体管中的第二端与第三端之间流动的电流的值。在两个晶体管分别为NPN型的双极型晶体管的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止装置，具备设于电流路径的开关，通过使该开关断开来防止过电流在所述电流路径中流动，所述防止装置的特征在于，具备：电阻，所述电阻的一端与所述开关的一端连接；恒流电路，使恒定的电流从该电阻的一端侧朝另一端侧流动；变更单元，变更该恒流电路中流动的电流的值；及比较部，对所述开关及电阻各自的另一端的电位进行比较，所述防止装置构成为，在该比较部进行的比较的结果表示所述开关的另一端的电位比所述电阻的另一端的电位低的情况下，使所述开关断开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.05 JP 2014-0430381.一种防止装置，具备设于电流路径的开关，通过使该开关断开来防止过电流在所述电流路径中流动，所述防止装置的特征在于，具备：电阻，所述电阻的一端与所述开关的一端连接；恒流电路，使恒定的电流从该电阻的一端侧朝另一端侧流动；变更单元，变更该恒流电路中流动的电流的值；及比较部，对所述开关及电阻各自的另一端的电位进行比较，所述防止装置构成为，在该比较部进行的比较的结果表示所述开关的另一端的电位比所述电阻的另一端的电位低的情况下，使所述开关断开。2.根据权利要求1所述的防止装置，其特征在于，还具备检测所述开关周边的温度的温度检测部，所述变更单元构成为，根据所述温度检测部检测到的温度的高/低而将所述恒流电路中流动的电流的值变更为小/大的值。3.根据权利要求1或2所述的防止装置，其特征在于，在所述开关的另一端连接有负载，所述防止装置具备...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野佑典，塚本克马，
申请(专利权)人：株式会社自动网络技术研究所，住友电装株式会社，住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP