液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供一种能够抑制开口率的下降的液晶显示装置。具备：薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管；液晶层，设在薄膜晶体管基板上；对置基板，设在薄膜晶体管基板上；薄膜晶体管基板具有第1透光性电极、滤色器(26)、设在滤色器(26)上并与第1透光性电极电连接的金属布线(68)、设在金属布线(68)上的光吸收层(78)和设在光吸收层(78)上的光干扰层(77)；光干扰层(77)包括第1透光性电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示图像的液晶显示装置。
技术介绍
以下的专利文献1中，记载有在具备薄膜晶体管的薄膜晶体管基板侧配置有滤色器、像素电极及共通电极的所谓COA(Color Filter On Array)构造的液晶显示装置。此外，以下的专利文献2中，作为液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)的驱动方式，记载有由像素电极和共通电极将包括与基板面内方向平行的方向的电场在内的电场向液晶层施加的、IPS(In Plane Switching)或FFS(Fringe Field Switching)等方式。专利文献1：特开2014－41268号公报专利文献2：特开2012－185232号公报专利文献3：特开2010－134249号公报已知有这样的结构：为了保持夹着液晶层的薄膜晶体管基板与对置基板的间隔，在薄膜晶体管基板和对置基板的两者上设置间隔件(spacer)，并使薄膜晶体管基板侧的间隔件与对置基板侧的间隔件抵接(参照专利文献3)。在此情况下，在对置基板侧的间隔件附近，容易发生液晶层的向错(disclination)。因此，在与对置基板侧的间隔件重叠的位置设置遮光层，抑制观察者辨识到显示图像的紊乱。此外，在配置像素电极及共通电极的薄膜晶体管基板侧设置包括铝等金属材料的金属布线的情况下，在对置基板侧设置遮光层，抑制辨识到来自金属布线的反射光。遮光层的面积需要考虑薄膜晶体管基板和对置基板的贴合精度而大到间隔件的面积及金属布线的面积以上。因此，开口率(aperture ratio)下降，有可能难以应对显示图像的高精细化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够抑制开口率的下降的液晶显示装置。本专利技术的一技术方案的液晶显示装置具备：薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管；液晶层，设在上述薄膜晶体管基板上；对置基板，设在上述薄膜晶体管基板上。上述薄膜晶体管基板具有：第1透光性电极；滤色器；金属布线，设在上述滤色器上，与上述第1透光性电极电连接；光吸收层，设在上述金属布线上；光干扰层，设在上述光吸收层上。上述光干扰层包括上述第1透光性电极。附图说明图1是表示第1实施方式的液晶显示装置的概略截面构造的剖视图。图2是本实施方式的像素电极的平面图。图3是沿着图2的III－III′线切断并从箭头方向观察时的液晶显示装置的示意剖视图。图4是表示第1实施方式的液晶显示装置的变形例的示意剖视图。图5是第2实施方式的液晶显示装置的像素电极的平面图。图6是沿着图5的VI－VI′线切断并从箭头方向观察时的液晶显示装置的示意剖视图。图7是第3实施方式的液晶显示装置的像素电极的平面图。图8是沿着图7的VIII－VIII′线切断并从箭头方向观察时的液晶显示装置的示意剖视图。图9是第4实施方式的液晶显示装置的像素电极的平面图。图10是沿着图9的IX－IX′线切断并从箭头方向观察时的液晶显示装置的示意剖视图。图11是将第4实施方式的金属布线及防反射构造体放大表示的部分放大剖视图。图12是第5实施方式的液晶显示装置的像素电极的平面图。图13是沿着图12的XIII－XIII′线从箭头方向观察时的液晶显示装置的示意剖视图。图14是表示第1实施例的来自设有防反射构造体的金属布线的反射光的亮度Y与绝缘层膜厚的关系的曲线图。图15是表示防反射构造体的最优膜厚的一例的表。图16是表示使绝缘层的厚度变化时的色度分布的曲线图。图17是表示改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的亮度Y的值的表。图18是表示改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的色度(x，y)的值的表。图19是第6实施方式的液晶显示装置的示意剖视图。图20是将第6实施方式的金属布线及防反射构造体放大表示的部分放大剖视图。图21是表示第2实施例的改变了共通电极膜厚及光吸收层膜厚时的亮度Y的值的表。图22是表示第2实施例的改变了共通电极膜厚及光吸收层膜厚时的色度(x，y)的值的表。图23是第7实施方式的液晶显示装置的示意剖视图。图24是将第7实施方式的金属布线及防反射构造体放大表示的部分放大剖视图。图25是第8实施方式的液晶显示装置的将金属布线及防反射构造体放大表示的部分放大剖视图。图26是表示第3实施例的来自设有防反射构造体的金属布线的反射光的亮度Y与绝缘层膜厚的关系的曲线图。图27是表示使绝缘层的厚度变化时的色度分布的曲线图。图28是表示亮度Y的第1极小值的附近的、改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的亮度Y的值的表。图29是表示亮度Y的第1极小值的附近的、改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的色度(x，y)的值的表。图30是表示亮度Y的第2极小值的附近的、改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的亮度Y的值的表。图31是表示亮度Y的第2极小值的附近的、改变了绝缘层膜厚及光吸收层膜厚时的色度(x，y)的值的表。标号说明1～8 液晶显示装置20 薄膜晶体管基板22 像素电极22a、22b 电极分支22c 连结部22d、22e 弯曲部23 共通电极23a 重叠部分24 绝缘层24a 重叠部分24b 加高层25 外覆层26、26R、26G、26B 滤色器28 第1取向膜30 对置基板31 第2基板35 偏振片37 平坦化层38 第2取向膜40 液晶层41 密封部45、46 间隔件45a 上端47 接触孔48 遮蔽层50 第1基板52 源极电极53 漏极电极55 薄膜晶体管57a、57b、58a、58b 绝缘层61 副像素65 扫描线66 信号线68 金属布线71、72、73 防反射构造体77 光干扰层78、79 光吸收层具体实施方式参照附图对用来实施本专利技术的形态(实施方式)详细地说明。本专利技术并不被以下的实施方式中记载的内容限定。此外，在以下所记载的构成要素中，包括本领域技术人员能够容易想到的要素、实质上相同的要素。另外，公开只不过是一例，关于本领域技术人员能够容易地想到的不脱离专利技术主旨的适当变更，当然包含在本专利技术的范围中。此外，附图为了使说明更明确而存在与实际的形态相比对各部的宽度、厚度、形状等示意地表示的情况，但不过是一例，并不限定本专利技术的解释。此外，在本说明书和各图中，存在对与围绕已有的图描述过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，其特征在于，具备：薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管；液晶层，设在上述薄膜晶体管基板上；以及对置基板，设在上述薄膜晶体管基板上；上述薄膜晶体管基板具有：第1透光性电极；滤色器；金属布线，设在上述滤色器上，与上述第1透光性电极电连接；光吸收层，设在上述金属布线上；以及光干扰层，设在上述光吸收层上；上述光干扰层包括上述第1透光性电极。

【技术特征摘要】
2015.03.31 JP 2015-0731761.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管；液晶层，设在上述薄膜晶体管基板上；以及对置基板，设在上述薄膜晶体管基板上；上述薄膜晶体管基板具有：第1透光性电极；滤色器；金属布线，设在上述滤色器上，与上述第1透光性电极电连接；光吸收层，设在上述金属布线上；以及光干扰层，设在上述光吸收层上；上述光干扰层包括上述第1透光性电极。2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述薄膜晶体管基板具备：第2透光性电极；以及绝缘层，设在上述第1透光性电极与上述第2透光性电极之间；上述光干扰层包括上述绝缘层。3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，上述绝缘层是氮化硅，厚度是40nm以上250nm以下。4.如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：小菅将洋，石垣利昌，伊东理，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP