封装玻璃上的对位标记及其制造方法、OLED及其生产方法技术

本发明专利技术涉及OLED封装技术领域，提供了一种封装玻璃上的对位标记及其制造方法、OLED及其生产方法。其中，封装玻璃上对位标记的制造方法，包括以下步骤：S1、在封装玻璃上镀金属钼，并使得钼层覆盖封装玻璃；S2、在钼层上涂覆一层光刻胶；S3、对光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离过渡对位标记，得到对位标记。采用金属钼代替金属钛，其中钼是灰色的过渡金属，不存在反光，从而便于后续对位安装；此外，采用钼元素制造得到的对位标记，其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并不易在封装基板上产生残留，避免残留导致的暗点不良的情况的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及OLED封装
，尤其涉及一种封装玻璃上的对位标记及其制造方法、OLED及其生产方法。
技术介绍
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物，与电力的正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光，因此可视度和亮度均高。其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等特点。OLED技术主要包括EV和EN两大技术关键。其中，EV即进行蒸镀工艺，EN即封装工艺。在封装工艺过程中，为了将干燥剂置于盖板及顺利将盖板与基板黏合，需在真空环境或将腔体充入不活泼气体下进行，例如氮气。值得注意的是，如何让盖板与基板这两部分工艺衔接更有效率、减少封装工艺成本以及减少封装时间以达最佳量产速率，已俨然成为封装工艺及设备技术发展的三大主要目标。当前封装工艺过程中，需要在封装玻璃上做钛元素的对位标记。具体地，现在封装玻璃上镀钛，一般钛层的厚度为1000*10-10m；然后采用干法刻蚀工艺仅留下对位标记区域的钛，其他区域钛需要被全部刻蚀掉。上述对位标记存在的问题是：首先，对上述OLED产品进行E/T
(探索测试)检测发现有一种发生率很高的暗点不良，主要原因是封装玻璃在做钛元素的对位标记时，采用干法刻蚀在大面积刻蚀区域容易有钛残留，进而产生暗点不良，导致良率不易提升，请参见图1。其中，采用自动光学检测仪设备可以检出来封装玻璃上的残留钛，请参见图2，图2中体现了残留钛的各种形状。其次，钛外观似钢，具有银灰光译，会有反光，从而影响高倍显微镜的对位；最后，为了对位，钛层的厚度需要设计较高，但是与此同时会导致刻蚀工艺难度提高。并且，当前OLED产品存在很大的不良急需解决，比如线、点、混色等等，而点不良占很大一部分，几乎达30％以上。其中点不良很大一部分原因和上述对位标记的生产有关。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题就是提供一种封装玻璃上的对位标记制造方法和OLED生产方法，其不仅可以减少封装玻璃上存在的暗点不良的情况，而且还可以避免钛元素自身特点带来的不易对位和刻蚀的问题。此外，还提供一种根据上述方法得到的装玻璃上的对位标记以及OLED。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种封装玻璃上对位标记的制造方法，包括以下步骤：S1、在封装玻璃上镀上一层金属钼，并使得钼层覆盖所述封装玻璃；S2、在所述钼层上涂覆一层光刻胶；S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记。优选地，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记上覆盖一层保护层。优选地，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记，以及位于所述对位标记之间的封装玻璃上覆盖一层保护层。优选地，所述S5中，采用湿法刻蚀工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀。优选地，所述S2中，所述光刻胶为正性胶；所述S3中，对位于所述过渡对位标记之间的光刻胶进行曝光。优选地，所述S3中，采用掩膜对光刻胶进行选择性曝光。优选地，所述S1中，所述钼层的厚度为500×10﹣10m。优选地，所述保护层为SiO2保护层。优选地，所述SiO2保护层的厚度为500×10﹣10m。本专利技术还提供一种封装玻璃上的对位标记，所述对位标记通过上述方法得到。本专利技术还提供一种OLED生产方法，包括：S1、采用上述的方法在封装玻璃上设定位置制造出对位标记；S2、在安装玻璃上安装LED驱动集成电路和发光层；S3、在所述LED驱动集成电路和所述发光层上设置RGB颜色通道；S4、对所述封装玻璃和所述安装玻璃进行对位；S5、在所述对位标记与所述封装玻璃，以及所述对位标记与所述安装玻璃之间均注入封框胶。本专利技术还提供一种OLED，通过上述OLED生产方法生产得到。(三)有益效果本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的一种封装玻璃上对位标记的制造方法，采用金属钼代替金属钛，其中钼是灰色的过渡金属，
不存在反光，从而便于后续对位安装；此外，采用钼元素制造得到的对位标记，其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并不易在封装基板上产生残留，避免残留导致的暗点不良的情况的发生。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中残留钛导致暗点不良发生的机理示意图；图2是现有技术中残留钛的结构示意图；图3是本申请的封装玻璃上对位标记的制造方法的流程示意图；图4是本申请的封装玻璃上透光率测试取样点的分布示意图；图5是本申请的没有SiO2保护层白玻璃和镀有SiO2保护层的封装玻璃的对比参照示意图；图中：1、封装玻璃；2、安装玻璃；3、LED驱动集成电路和发光层；4、RGB颜色通道；5、残留钛；6、对位标记；7、钼层；8、蚀刻液；9、SiO2保护层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、
“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本实施例的封装玻璃1上对位标记6的制造方法，包括以下步骤：S1、在封装玻璃1上镀上一层金属钼，并使得钼层7覆盖所述封装玻璃1；S2、在所述钼层7上涂覆一层光刻胶；S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记6。本实施例的封装玻璃1上对位标记6的制造方法，采用金属钼代替金属钛，其中钼是灰色的过渡金属，不存在反光，从而便于后续对位安装；此外，采用钼元素制造得到的对位标记6，其厚度没有特殊要求，从而便于后续的刻蚀并不易在封装基板上产生残留，避免残留导致的暗点不良的情况的发生。其中通过S6得到的对位标记本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装玻璃上对位标记的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在封装玻璃上镀上一层金属钼，并使得钼层覆盖所述封装玻璃；S2、在所述钼层上涂覆一层光刻胶；S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记。

【技术特征摘要】
1.一种封装玻璃上对位标记的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在封装玻璃上镀上一层金属钼，并使得钼层覆盖所述封装玻璃；S2、在所述钼层上涂覆一层光刻胶；S3、对所述光刻胶层进行选择性曝光；S4、采用显影液对光刻胶进行显影，得到过渡对位标记；S5、采用蚀刻工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀；S6、剥离所述过渡对位标记，得到对位标记。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记上覆盖一层保护层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括S7、在S6中得到的所述对位标记，以及位于所述对位标记之间的封装玻璃上覆盖一层保护层。4.根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S5中，采用湿法刻蚀工艺对所述过渡对位标记之间的钼进行刻蚀。5.根据权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述S2中，所述光刻胶为正性胶；所述S3中，对位于所述过渡对位标记之间的光刻胶进行曝光。6.根据权利要求1至3任意一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞，王彦青，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11