【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子
,具体为一种IGBT并联静态均流电路。
技术介绍
绝缘栅双极性晶体管(IGBT)由于结合了电力场效应管(MOSFET)和电力晶体管的优势,具有输入阻抗高,驱动功率小,开关特性好等优点,是一种理想的全控型器件,在电力电子设备中得到了广泛的应用。但是,对于高压大功率的电力电子设备,单只IGBT的电流等级无法满足设备的要求,这使得将多只IGBT并联起来作为一个基本单元成为一个有效的选择。IGBT并联应用中,各IGBT自身参数的不一致,可能造成各并联IGBT分支的等效电阻的不一致,从而将导致各并联开关管的静态电流不均衡。部分IGBT长期工作在较高电流下,会产生过度积热,最终导致器件损坏,而部分开关管的损坏将进一步导致其余开关管的整体损坏。因此,IGBT的并联应用亟需解决静态不均流问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题,本专利技术提供一种IGBT并联静态均流电路,能够实现静态均流,准确可靠进行均流调节,开关频率稳定,使用寿命长尤其适用于需要IGBT并联使用且长期导通的电力电子设备。本专利技术是通过以下技术方案来实现:一种IGBT并联静态均 ...
【技术保护点】
一种IGBT并联静态均流电路,其特征在于,包括全局控制电路,至少并联两个的IGBT,以及分别与IGBT一一对应设置的本地反馈控制电路;IGBT的发射极连接对应本地反馈控制电路的输入端,栅极连接对应本地反馈控制电路的输出端;本地反馈控制电路分别与全局控制电路连接;所述的本地反馈控制电路根据参考信号以及采集到的反馈信号调节向对应的IGBT发送的驱动信号的幅值大小;参考信号由全局驱动延时控制模块发出;所述的全局控制电路根据各IGBT电流计算本地反馈控制电路参考信号。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT并联静态均流电路,其特征在于,包括全局控制电路,至少并联两个的IGBT,以及分别与IGBT一一对应设置的本地反馈控制电路;IGBT的发射极连接对应本地反馈控制电路的输入端,栅极连接对应本地反馈控制电路的输出端;本地反馈控制电路分别与全局控制电路连接;所述的本地反馈控制电路根据参考信号以及采集到的反馈信号调节向对应的IGBT发送的驱动信号的幅值大小;参考信号由全局驱动延时控制模块发出;所述的全局控制电路根据各IGBT电流计算本地反馈控制电路参考信号。2.根据权利要求1所述的一种IGBT并联静态均流电路,其特征在于,所述本地反馈控制电路包括依次连接在对应IGBT射极电感后的积分电路、放大电路、反馈与参考信号比较电路、调节器以及主驱动电路;主驱动电路的输出端连接对应IGBT的栅极。3.根据权利要求2所述的一种IGBT并联静态均流电路,其特征在于,所述积分电路包括第一运算放大器、连接到第一运算放大器负输入端的入端电阻R、跨接在第一运算放大器负输入端与输出端的电容器C以及连接第一运算放大器正输入端与参考电位的电阻R0。4.根据权利要求2所述的一种IGBT并联静态均流电路,其特征在于,所述放大电路包括第二运算放大器、连接到第二运算放大器负输入端的入端电阻R1、跨接在第二运算放大器负输入端与输出端的电阻R2以及连接第二运算放大器正输入端与参考电位的电阻R1...
【专利技术属性】
技术研发人员:卓放,陈颖,张帆,潘文婕,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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