玻璃层叠体制造技术

本发明专利技术提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。所述玻璃层叠体依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，有机硅树脂层中的有机硅树脂具有T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A‑1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B‑1)的摩尔比((A‑1)：(B‑1))为80～20：20～80，所述玻璃层叠体满足规定的剥离强度关系。T3：R‑SiO3/2(式中，R表示苯基或甲基。)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及玻璃层叠体，尤其涉及具备特定的有机硅树脂层的玻璃层叠体。
技术介绍
近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等设备(电子设备)正在进行薄型化、轻量化，这些设备中使用的玻璃基板也正在进行薄板化。因薄板化而玻璃基板的强度不足时，在设备的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。最近，为了应对上述问题，提出了如下的方法：准备层叠有薄板玻璃基板和加强板的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的薄板玻璃基板上形成显示装置等电子设备用构件，然后，从薄板玻璃基板将支撑板分离(例如，参照专利文献1)。加强板具有支撑板和固定在该支撑板上的有机硅树脂层，有机硅树脂层和薄板玻璃基板可剥离地密合。玻璃层叠体的有机硅树脂层与薄板玻璃基板的界面发生剥离而从薄板玻璃基板分离的加强板可以与新的薄板玻璃基板层叠，作为玻璃层叠体再利用。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2007/018028号
技术实现思路
专利技术要解决的问题关于专利文献1记载的玻璃层叠体，近年来开始要求更高的耐热性。随
着在玻璃层叠体的玻璃基板上形成的电子设备用构件的高功能化、复杂化，形成电子设备用构件时的温度变得更高的同时，暴露在该高温下的时间也需要较长的情况很多。专利文献1中记载的玻璃层叠体能够耐受大气中300℃、1小时的处理。但是，根据本专利技术人等的研究，对专利文献1中记载的玻璃层叠体进行了450℃、1小时的处理的情况下，欲将玻璃基板和支撑基板分离时，存在如下的情况：玻璃基板不从有机硅树脂层表面剥离，欲强行剥离时，玻璃基板的一部分被破坏，其结果，导致电子设备的生产率降低。另外，专利文献1中记载的玻璃层叠体中的有机硅树脂层在450℃下在短时间内发生分解，产生大量的排气。这样的排气的产生会污染形成于玻璃基板上的电子设备用构件，其结果，会导致电子设备的生产率降低。本专利技术是鉴于上述课题而做出的专利技术，其目的在于，提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述问题进行了潜心研究，从而完成了本专利技术。即，本专利技术为一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，有机硅树脂层中的有机硅树脂具有后述的T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为80/20～20/80，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度与有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度不同。本专利技术中，优选的是，有机硅树脂还具有后述的Q表示的有机硅氧烷基单元。本专利技术中，优选的是，有机硅树脂为固化性有机聚硅氧烷的固化物，该固化性有机聚硅氧烷为以如下的比例包含后述的T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的有机聚硅氧烷：以单元的个数的比例(摩尔量)计，T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80(其中，满足T1+T2+T3＝100的关系)。本专利技术中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷的数均分子量为500～2000。本专利技术中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷的质均分子量/数均分子量为1.00～2.00。本专利技术中，优选的是，利用动态光散射法测得的固化性有机聚硅氧烷的粒径为0.5～100nm。本专利技术中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷为通过使苯基三氯硅烷及甲基三氯硅烷水解而得到的有机聚硅氧烷。本专利技术中，优选的是，有机硅树脂层的厚度为0.1～30μm。本专利技术中，优选的是，支撑基材为玻璃板。本专利技术中，优选的是，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度低。以下，也将该实施方式的本专利技术称为第1实施方式。另外，本专利技术中，优选的是，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度高。以下，也将该实施方式的本专利技术称为第2实施方式。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。附图说明图1是本专利技术的玻璃层叠体的第1实施方式的截面示意图。图2是按照工序顺序表示本专利技术的带构件玻璃基板的制造方法的一个实施方式的截面示意图。图3是本专利技术的玻璃层叠体的第2实施方式的截面示意图。具体实施方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明，但本专利技术并不限定于以下的实施方式，可以在不脱离本专利技术的范围的情况下对以下的实施方式进行各种变形及置换。作为本专利技术的玻璃层叠体的特征点，可以列举出：有机硅树脂层中的有机硅树脂包含规定量的后述的T3表示的有机硅氧烷基单元，并且，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为规定的范围。更具体而言，有机硅树脂通过包含规定量的T3表示的有机硅氧烷基单元，有机硅树脂层的耐热性提高。另外，本专利技术人等对高温加热处理之后的玻璃层叠体中玻璃基板和支撑基板不易分离的理由进行了研究，结果发现是由于有机硅树脂层表面上包含的官能团产生的影响。例如，在有机硅树脂层表面包含Si-Me基时，该基团在250℃以上的高温加热处理之后比较容易变成Si-OH基。因此，有机硅树脂层中包含的Si-Me基的量过多时，在高温加热处理之后，在有机硅树脂层表面出现较多的Si-OH基，与邻接的基板(例如玻璃基板)的结合力增加，其结果，有机硅树脂层和与该有机硅树脂层邻接的基板不易发生剥离。另一方面，Si-Ph基比较难以变换为Si-OH基。但是，Si-Ph基过多时，由于取代基的位阻，固化性有机聚硅氧烷难以充分交联固化，有机硅树脂层的交联度降低。因此，有机硅树脂层的机械强度降低、或者在有机硅树脂层的表面残留来源于有机聚硅氧烷的未反应Si-OH基，其结果，玻璃基板的剥离性变差。本发
明人基于上述见解，通过调节上述摩尔比((A-1)/(B-1))而发现了即使在高温加热处理之后玻璃基板也容易剥离的有机硅树脂层的组成。本专利技术的特征还在于，玻璃层叠体中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度与有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度不同。例如，在第1实施方式中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度低，有机硅树脂层和玻璃基板的层剥离，分离为有机硅树脂层与支撑基材的层叠体、和玻璃基板。另外，在第2实施方式中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度高，有机硅树脂层和支撑基材的层剥离，分离为玻璃基板与有机硅树脂层的层叠体、和支撑基材。以下，分为第1实施方式及第2实施方式进行说明。＜第1实施方式＞图1为本专利技术的玻璃层叠体的第1实施方式的截面示意图。如图1所示，玻璃层叠体10为具有支撑基材12的层和玻璃基板16的层和存在于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。有机硅树脂层14的一面与支撑基材12的层相接的同时，其另一面与玻璃基板16的第1主面16a相接。由支撑基材12的层及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，所述有机硅树脂层中的有机硅树脂具有下述T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，下述T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，下述T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A‑1)与下述T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B‑1)的摩尔比((A‑1)/(B‑1))为80/20～20/80，所述有机硅树脂层相对于所述玻璃基板的层的界面的剥离强度与所述有机硅树脂层相对于所述支撑基材的层的界面的剥离强度不同，T3：R‑SiO3/2式中，R表示苯基或甲基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.07 JP 2014-0226971.一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，所述有机硅树脂层中的有机硅树脂具有下述T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，下述T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，下述T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与下述T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为80/20～20/80，所述有机硅树脂层相对于所述玻璃基板的层的界面的剥离强度与所述有机硅树脂层相对于所述支撑基材的层的界面的剥离强度不同，T3：R-SiO3/2式中，R表示苯基或甲基。2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂还具有下述Q表示的有机硅氧烷基单元，Q：SiO4/2。3.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂为固化性有机聚硅氧烷的固化物，所述固化性有机聚硅氧烷为以如下的比例包含下述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的有机聚硅氧烷：以所述单元的个数的比例(摩尔量)计，T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80，其中，满足T1+T2+T3＝100的关系，T1：R-Si(-OX)2O1\...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本今日子，佐佐木崇，下坂鹰典，闵庚薫，内田大辅，宫嶋达也，石川有希，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP