【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及嵌段共聚物及其应用。
技术介绍
嵌段共聚物具有这样的分子结构：其中具有化学上彼此不同结构的聚合物亚单元通过共价键连接。嵌段共聚物能够通过相分离形成周期性排列的结构，例如球形、柱形或层状。通过嵌段共聚物的自组装而形成的结构的区域尺寸可在宽的范围内调节，并可制备多种形状的结构。因此，其可用于通过光刻的图案形成方法、多种磁记录介质或下一代纳米装置(例如金属点、量子点或纳米线)、高密度磁储存介质等。
技术实现思路
技术目的本申请提供了嵌段共聚物、包含所述嵌段共聚物的聚合物层、用于形成所述聚合物层的方法和图案形成方法。技术方案嵌段共聚物可包含第一嵌段和不同于第一嵌段的第二嵌段。如下所述，第一嵌段或第二嵌段可包含侧链。下文中，在第一嵌段和第二嵌段中的一个嵌段包含侧链的情况下，包含侧链的嵌段可称作第一嵌段。嵌段共聚物可为仅包含上述第一嵌段和第二嵌段的二嵌段共聚物，或者可为包含除第一嵌段和第二嵌段之外的另外的嵌段的嵌段共聚物。嵌段共聚物可为相分离的，因为其包含经由共价键彼此连接的两个或更多个聚合物链。在本申请中，由于嵌段共聚物满足如下所述的至少一个参数，相分离可以非常有效...
【技术保护点】
一种嵌段共聚物，包含第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段与所述第二嵌段的表面能之差的绝对值为2.5mN/m至7mN/m。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.06 KR 10-2013-0159994;2014.09.30 KR 10-2011.一种嵌段共聚物，包含第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段，其中所述第一嵌段与所述第二嵌段的表面能之差的绝对值为2.5mN/m至7mN/m。2.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段。3.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段的表面能为20mN/m至35mN/m。4.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段与所述第二嵌段的密度之差的绝对值为0.3g/cm3或更大。5.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段或所述第二嵌段包含芳族结构。6.根据权利要求5所述的嵌段共聚物，其中具有8或更多个成链原子的直链与所述芳族结构连接。7.根据权利要求6所述的嵌段共聚物，其中所述直链经由氧原子或氮原子与所述芳族结构连接。8.根据权利要求5所述的嵌段共聚物，其中所述芳族结构包含至少一个卤原子。9.根据权利要求8所述的嵌段共聚物，其中所述卤原子为氟原子。10.根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中所述第一嵌段包含不含卤原子的芳族结构并且其中所述第二嵌段包含含有卤原子的芳族结构。11.根据权利要求10所述的嵌段共聚物，其中具有8或更多个成链原子的直链与所述第一嵌段的芳族结构连接。12.根据权利要求11所述的嵌段共聚物，其中所述直链经由氧原子或氮原子与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李政圭，姜妍朱，金廷根，吴诚浚，李济权，尹圣琇，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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