本发明专利技术公开了一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，包括并联连接的合闸电阻回路和灭弧室主回路，其中，合闸电路包括多个电阻片串并联组成的电阻堆，该电阻堆的一端通过第一合闸电阻法兰与出线导体连接，该电阻堆的另外一端通过第二合闸电阻法兰连接有合闸电阻触头，所述灭弧室主回路通过主回路导体与出线导体连接。当断路器机构操作合闸时，合闸电阻触头先合闸，与合闸电阻触头连接的合闸电阻回路接通，将合闸电阻提前接入线路系统中，线路上的过电压能量大部分消耗在合闸电阻片上，然后灭弧室触头合闸，灭弧室主回路接通，将合闸电阻回路短路，合闸电阻退出运行。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高压开关输电设备
，特别是涉及一种SF6罐式断路器合闸电阻的布置与灭弧室的连接结构。
技术介绍
合闸电阻是吸收高压断路器在电力系统中关合时所产生的操作过电压能量的装置，根据电力系统的要求，一般363kV及以上电压等级的SF6断路器均带有合闸电阻，特别是超高电压等级以上，需用的电阻片数量很大，现有技术中，电阻堆通常悬挂固定在灭弧室法兰上，这种布置电阻堆的重量则会全部加在灭弧室框架与灭弧室绝缘支撑上，电阻片数量很多时，电阻片串联长度很长，悬挂方式电阻片受力不好，电阻片相互挤压会导致电阻片被挤碎，而且对框架与绝缘支撑的强度要求太高，灭弧室整体强度可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术为了克服现有技术的缺点，提供了一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，可以避免合闸电阻片串联长度很长时，合闸电阻片相互挤压导致的电阻片被挤碎，以及可以缓冲掉机构操作时电阻触头对电阻片的直接冲击力，从而避免电阻片受冲击破碎，且对灭弧室框架与绝缘支撑的强度要求大大降低。一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，包括合闸电阻回路和灭弧室主回路，其中，合闸电路包括多个电阻片串并联在组成的电阻堆，该电阻堆的一端通过第一合闸电阻法兰与出线导体连接，该电阻堆的另外一端通过第二合闸电阻法兰连接合闸电阻触头，所述灭弧室主回路通过主回路导体与出线导体连接。所述连接结构进一步包括有合闸电阻支撑结构，包括分别与第一合闸电阻法兰和第二合闸电阻法兰连接的合闸电阻支撑。所述的合闸电阻回路进一步包括合闸电阻触头、软连接与合闸电阻，合闸电阻触头通过软连接与第二合闸电阻法兰连接。所述灭弧室主回路导体直接与出线导体连接或者灭弧室主回路导体通过第一合闸电阻法兰与出线导体连接。当灭弧室主回路导体直接与出线导体连接时，该灭弧室主回路导体通过软连接与第一合闸电阻法兰连接。一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，由多个合闸电阻片串并联形成的合闸电阻堆采用独立绝缘支撑结构，并通过两侧的合闸电阻法兰与独立的绝缘支撑结构固定，再由独立的绝缘支撑筒支撑在金属外壳上；灭弧室的主回路导体一侧连接灭弧室静侧法兰，另一侧与合闸电阻法兰连接，再通过出线导体引出至断路器外部，实现整个灭弧室的导电回路。合闸电阻触头通过合闸电阻触头座支撑固定连接在灭弧室静侧法兰，该合闸电阻触头通过软连接与一侧的合闸电阻法兰连接。灭弧室主回路结构是由灭弧室动静触头，到灭弧室静侧法兰，再由主回路导体将灭弧室静侧法兰与合闸电阻法兰连接，再通过出线导体与金属壳体外部相连，形成与合闸电阻回路并联的电回路。合闸电阻回路结构是电阻断口通过软连接与一侧的合闸电阻法兰连接，再经过合闸电阻堆到另一侧的合闸电阻法兰，再通过出线导体与金属外壳外部相连；合闸电阻支撑结构是合闸电阻堆装配在两端的合闸电阻法兰上，这两个合闸电阻法兰再由两个绝缘支撑分别支撑在金属外壳上。与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术连接结构包括串并联连接的合
闸电阻回路和灭弧室主回路，其中，合闸电路包括多个电阻片串并联组成的电阻堆，该电阻堆的一端通过第一合闸电阻法兰与出线导体连接，该电阻堆的另外一端通过第二合闸电阻法兰连接有合闸电阻触头，所述灭弧室主回路通过主回路导体与出线导体连接。这样，当断路器机构操作合闸时，合闸电阻触头先于灭弧室触头合闸，与合闸电阻触头连接的合闸电阻回路接通，将合闸电阻提前接入线路系统中，线路上的过电压能量消耗在合闸电阻片上，然后灭弧室触头合闸，灭弧室主回路接通，将合闸电阻回路短路，合闸电阻退出运行。这种结构可以避免合闸电阻片串联长度很长时，合闸电阻片相互挤压导致的电阻片被挤碎，以及可以缓冲掉机构操作时电阻触头对电阻片的直接冲击力，从而避免电阻片受冲击破碎，且对灭弧室框架与绝缘支撑的强度要求低。【附图说明】图1是本专利技术的实施例1结构示意图。图2是本专利技术的实施例2结构示意图。图3是6-软连接的结构示意图。图中序号：1-出线导体，2-第一合闸电阻法兰，3-电阻片，4-第二合闸电阻法兰，5-合闸电阻绝缘支撑，6-软连接，7-合闸电阻触头座，8-合闸电阻触头支撑，9-灭弧室静侧法兰，10-合闸电阻触头，11-断口绝缘支撑，12-灭弧室框架，13-主回路导体。下面结合附图对本专利技术进一步说明。【具体实施方式】本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：在SF6罐式断路器中，合闸电阻片3串并联后形成的合闸电阻堆采用独立绝缘支撑结构，通过合闸电阻堆装配在两侧的合闸电阻法兰上，再由固定在合闸电阻法兰上的两个绝缘支撑支撑在金属外壳上，合闸电阻堆与电阻断口触头的电连接采用软连接6连接，灭弧室的主回路导体13一侧连接灭弧室静侧法兰9，另一侧
或者直接与出线导体1连接，或者先与合闸电阻堆一侧的合闸电阻法兰连接，再通过出线导体1引出至断路器外部，实现了整个灭弧室的导电回路。当断路器机构操作时，冲击力由合闸电阻触头10传递到软连接6，软连接6缓冲掉冲击力，从而使冲击力不会传到合闸电阻片3，避免了冲击力对合闸电阻片3的影响。另外合闸电阻堆有独立的绝缘支撑结构，因此，合闸电阻堆的重量完全由两个绝缘支撑筒承受，而灭弧室框架12不用承受合闸电阻堆的重量，强度要求降低，提高了可靠性。因此，本专利技术的SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构具体包括电阻回路结构，电阻支撑结构和灭弧室主回路结构。所述的合闸电阻回路包括出线导体1、合闸电阻法兰、合闸电阻片3、软连接6、合闸电阻触头支撑8、合闸电阻触头座7，以及合闸电阻触头10。合闸电阻断口通过软连接6与一侧的合闸电阻法兰连接，再经过合闸电阻堆到另外一侧的合闸电阻法兰，再通过出线导体与金属外壳外界相连。所述的合闸电阻支撑是装配在合闸电阻堆两端合闸电阻法兰的合闸电阻绝缘支撑5，该合闸电阻绝缘支撑支撑在金属外壳上。所述的灭弧室主回路是由灭弧室动静触头，到灭弧室静侧法兰9，再由主回路导体13将灭弧室静侧法兰9与一侧的合闸电阻法兰连接，再通过出线导体1与金属壳体外部相连，形成与合闸电阻回路并联的电回路。请特别参阅图3所示，所述的软连接6包括第一压板16、第二压板18，第一连接头15、第二连接头19、导电软带17，以及螺钉14。其中，第一和第二连接头15、19与导电软带17均是多层铜箔制成且三者为一体结构，当该软连接连接部件A和部件B时，第一连接头15通过第一压板16和螺钉与部件A固定连接，第二连接头19通过第二压板18和螺钉与部件B固定连接。实施例1图1所示为本专利技术的实施例1，包括出线导体1，第一合闸电阻法兰2，合闸电阻片3，第二合闸电阻法兰4，合闸电阻绝缘支撑5，软连接6，合闸电阻触头座7，合闸电阻触头支撑8，灭弧室静侧法兰9，合闸电阻触头10，断口绝缘支撑11，灭弧室框架12，灭弧室的主回路导体13。合闸电阻回路包括出线导体1、第一和第二合闸电阻法兰2、4、合闸电阻片3、软连接6、合闸电阻触头支撑8、合闸电阻触头座7，以及合闸电阻触头10。合闸电阻片3串并联连接后形成合闸电阻堆，第一和第二合闸电阻法兰2、4分别设置在合闸电阻堆的两侧且电连接，每个合闸电阻法兰均包括竖直部和水平部，其中，第一合闸电阻法兰2的竖直部直接与出线导体1连接，第二合闸电阻法兰4的竖直部通过软连接6连接在合闸电阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：包括并联连接的合闸电阻回路和灭弧室主回路，其中，合闸电路包括多个电阻片串并联组成的电阻堆(3)，该电阻堆的一端通过第一合闸电阻法兰(2)与出线导体(1)连接，该电阻堆的另外一端通过第二合闸电阻法兰(4)连接合闸电阻触头(10)，所述灭弧室主回路通过主回路导体(13)与出线导体(1)连接。
【技术特征摘要】
1.一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：包括并联连接的合闸电阻回路和灭弧室主回路，其中，合闸电路包括多个电阻片串并联组成的电阻堆(3)，该电阻堆的一端通过第一合闸电阻法兰(2)与出线导体(1)连接，该电阻堆的另外一端通过第二合闸电阻法兰(4)连接合闸电阻触头(10)，所述灭弧室主回路通过主回路导体(13)与出线导体(1)连接。2.根据权利要求1所述的一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：所述连接结构进一步包括有合闸电阻支撑结构，包括分别与第一合闸电阻法兰和第二合闸电阻法兰连接的合闸电阻支撑。3.根据权利要求1所述的一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：所述的合闸电阻回路进一步包括合闸电阻触头(10)、软连接(6)与合闸电阻堆(3)，该合闸电阻触头(10)通过软连接(6)与第二合闸电阻法兰(4)连接。4.根据权利要求3所述的一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：所述合闸电阻触头(10)进一步通过合闸电阻触头支撑(8)连接在灭弧室静侧法兰(9)上。5.根据权利要求1所述的一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：所述灭弧室主回路导体(13)直接与出线导体(1)连接或者灭弧室主回路导体(13)通过第一合闸电阻法兰与出线导体(1)连接。6.根据权利要求5所述的一种SF6断路器合闸电阻与灭弧室的连接结构，其特征在于：当灭弧室主回路导体(13)...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈杳伟，杨夙峰，史俊，
申请(专利权)人：中国西电电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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