一种低强度激光治疗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种低强度激光治疗装置。包括控制盒和治疗，治疗头上设置有激光管，激光管为超脉冲半导体激光管，治疗头上还设置有超脉冲半导体激光管、红外ＬＥＤ、红光ＬＥＤ和永磁体，所述控制盒内设置有超脉冲半导体激光管、红外ＬＥＤ和红光ＬＥＤ的控制机构。由于将超脉冲半导体激光与多种辐射光源集合在一起，形成特殊光束进行治疗，充分利用各种辐射源的不同生物效益，组织穿透深度更深，可以大幅度提高光子能量的渗透吸收率，从而提高治疗的效率和质量，更进一步减少了副作用。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种低强度激光治疗装置。现有技术疼痛已经成为危害人类健康的主要“杀手”之一，世界卫生组织早在2000年就提出“慢性疼痛是一类疾病”的论断。据有关资料显示，在中国约有近三成人为不同程度的慢性疼痛所困扰。低强度激光治疗(Low level laser therapy)用于治疗疼痛等疾病越来越多地得到人们的关注，作为一种安全无创的治疗手段，低强度激光以低强度的电磁辐射对细胞内和细胞间的生物过程产生有益的作用，能够改善细胞的功能，强化免疫系统，促进镇痛因子的分泌，缓解和消除疼痛的症状。但剂量低，起不到治疗作用，剂量高，又会损伤皮肤。
技术实现思路
本技术提供一种新型低强度激光治疗装置，以解决现有低强度激光治疗装置治疗剂量低，起不到治疗作用，剂量高，又会损伤皮肤的技术问题。为了解决以上技术问题，本技术采取的技术方案是：一种低强度激光治疗装置，包括控制盒和治疗头，治疗头上设置有激光管，其特征是，所述激光管为超脉冲半导体激光管，所述治疗头上还设置有红外LED、红光LED和永磁体，所述控制盒内设置有超脉冲半导体激光管、红外LED和红光LED的控制机构。所述超脉冲半导体激光管、红外LED、红光LED和永磁体均设置有一个或多个。所述永磁体设置在治疗头外圈成环形或放射状排列，所述红外LED和红光LED设置在治疗头内圈成环形交错排列，所述超脉冲半导体激光管设置在靠近治疗头中心位置环形排列。所述超脉冲半导体激光管波长为600-1000nm，脉冲频率为1Hz～50kHz，脉冲功率为5-50W；所述红外LED波长大于700，频率为1Hz～5kHz，功率-->大于50mW；所述红光LED，波长为630-760，频率为1Hz～5kHz，功率大于50mW；所述永磁体的磁场强度大于10mT。在采用了上述技术方案后，由于将超脉冲半导体激光与多种辐射光源集合在一起，形成特殊光束进行治疗，充分利用各种辐射源的不同生物效益，组织穿透深度更深，可以大幅度提高光子能量的渗透吸收率，从而提高治疗的效率和质量，更进一步提高了疗效，减少了皮肤损伤。附图说明图1是本技术治疗头的面部结构示意图。具体实施方式如图1所示，一种低强度激光治疗装置，包括控制盒和治疗头1，治疗头1上设置有激光管，激光管为超脉冲半导体激光管2，治疗头上还设置有红外LED3、红光LED4和永磁体5，控制盒内设置有超脉冲半导体激光管、红外LED和红光LED的控制机构，超脉冲半导体激光管2、红外LED3、红光LED4和永磁体5均设置有一个或多个，永磁体5设置在治疗头1外圈成环形或放射状排列，永磁体的磁场强度大于10mT。红外LED3和红光LED4设置在治疗头1内圈成环形交错排列，红外LED3波长大于700，频率为1Hz～5kHz，功率大于50mW；红光LED4波长为630-760，频率为1Hz～5kHz，功率大于50mW超脉冲半导体激光管设置在靠近治疗头1中心位置环形排列。超脉冲半导体激光管2波长为600-1000nm，脉冲频率为1Hz～50kHz，脉冲功率为5-50W。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低强度激光治疗装置，包括控制盒和治疗头，治疗头上设置有激光管，其特征是，所述激光管为超脉冲半导体激光管，所述治疗头上还设置有红外ＬＥＤ、红光ＬＥＤ和永磁体，所述控制盒内设置有超脉冲半导体激光管、红外ＬＥＤ和红光ＬＥＤ的控制机构。

【技术特征摘要】
1、一种低强度激光治疗装置，包括控制盒和治疗头，治疗头上设置有激光管，其特征是，所述激光管为超脉冲半导体激光管，所述治疗头上还设置有红外LED、红光LED和永磁体，所述控制盒内设置有超脉冲半导体激光管、红外LED和红光LED的控制机构。2、如权利要求1所述的低强度激光治疗装置，其特征是，所述超脉冲半导体激光管、红外LED、红光LED和永磁体均在治疗头上设置有一个或多个。3、如权利要求2所述的低强度激光治疗装置，其特征是，所述永磁体设置在治疗头外圈成环形或放射状...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓峰，刘丹宁，孟庆文，乔宝龙，王涣之，栾博，
申请(专利权)人：深圳市一体医疗科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]