本发明专利技术提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的喷墨打印到像素内部的墨水易攀爬到像素界定层导致浪费墨水且成膜均一性差的问题。本发明专利技术的有机电致发光显示基板的像素界定结构包括亲水材料层、多孔介质材料层、疏水材料层，其中，亲水材料层与有机电致发光显示基板的衬底相接触，至少部分所述疏水材料层的疏水材料渗透到多孔介质材料层内部。喷墨打印时，墨水打印到像素区域中，由于像素界定结构中具有疏水材料层，其疏液性能好，墨水不会扩展攀爬或残留到侧面的像素界定结构上；其中可以通过控制疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部的深度以控制墨水攀爬的高度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
，具体涉及一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
如图1、2所示，有机电致发光(OLED)显示基板包括像素区域1，以及像素区域1周边的非像素区域2，其中，每个像素区域1包括依次设置在衬底100上的阳极、多层发光功能层、阴极。发光功能层主要有真空蒸镀、溶液制程两种形成方式。真空蒸镀适用于形成由有机小分子构成的发光功能层，其成膜均匀好、技术相对成熟、但是设备投资大、材料利用率低、大尺寸产品掩膜版的对位精度低。溶液制程，包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等，其适用于形成由聚合物材料或可溶性小分子构成的发光功能层，其特点是设备成本低，在大规模、大尺寸生产上优势突出。其中，在利用喷墨打印的方式在所述阳极上形成发光功能层时，由于墨水具有流动性，为了减少墨水溢到相邻像素区域1中，一般在非像素区域2设置像素界定层3，以形成多个包围每个像素区域1的空间，喷墨打印的发光功能层墨水通过喷墨打印的方式喷涂在上述空间内，即喷涂在所述阳极表面。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：实际喷墨打印过程中，使用的墨水数量远远大于理论计算结果，其原因是喷墨打印到像素内部的墨水有很大一部分攀爬到像素界定层3上面，一般攀爬高度大于800nm，不仅浪费材料也使像素区域1内部成膜均一性较差，使得像素区域1的发光面积缩小。
技术实现思路
本专利技术针对现有的喷墨打印到像素内部的墨水易攀爬到像素界定层导致浪费墨水且成膜均一性差的问题，提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种有机电致发光显示基板，包括衬底，以及衬底上的像素界定结构，所述像素界定结构包括亲水材料层、疏水材料层，以及所述亲水材料层与所述疏水材料层之间的多孔介质材料层，其中，所述亲水材料层与所述衬底相接触，至少部分所述疏水材料层的疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部。优选的是，所述多孔介质材料层厚度为500-1500nm。优选的是，所述疏水材料层渗透到所述多孔介质材料层内部的深度为300-1200nm，且所述疏水材料层渗透到所述多孔介质材料层内部的深度小于多孔介质材料层厚度。优选的是，所述亲水材料层厚度为50-300nm。优选的是，所述疏水材料层未渗透至多孔介质材料层内的厚度为0-100nm。优选的是，所述多孔介质材料层的孔径为50-200nm。优选的是，所述亲水材料层由SiO2构成。优选的是，所述多孔介质材料层由Al2O3构成。优选的是，所述疏水材料层由疏水材料固化后形成，所述疏水材料包括聚乙烯亚胺、硬脂酸和二环己基碳化二亚胺的混合溶液。优选的是，所述聚乙烯亚胺与硬脂酸的官能团摩尔比为2：1；所述硬脂酸与二环己基碳化二亚胺的摩尔比小于10：1。本专利技术还提供一种有机电致发光显示基板的制备方法，包括在衬底上形成像素界定结构的步骤，具体的，所述在衬底上形成像素界定结构的步骤包括：在衬底上形成亲水材料层并对所述亲水材料层进行图案化的步骤；在完成上述步骤的衬底上形成多孔介质材料层并对所述多孔
介质材料层进行图案化的步骤；将疏水材料加入到多孔介质材料层表面，待至少部分疏水材料层的疏水材料渗透至多孔介质材料层后将疏水材料固化形成疏水材料层的步骤。优选的是，所述形成亲水材料层和/或多孔介质材料层是采用等离子气相沉积法形成。优选的是，所述沉积速率为0.1-100nm/s。优选的是，所述固化温度为100-300℃。优选的是，所述方法在形成像素界定结构的步骤之后还包括喷墨打印形成发光功能层的步骤。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的有机电致发光显示基板。本专利技术的有机电致发光显示基板的像素界定结构中，包括亲水材料层、多孔介质材料层、疏水材料层，其中，亲水材料层与有机电致发光显示基板的衬底相接触，至少部分所述疏水材料层的疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部。利用喷墨打印的方式进行发光功能层的打印，墨水打印到像素区域中后，干燥成膜时，由于像素界定结构中具有疏水材料层，其疏液性能好，墨水不会扩展攀爬或残留到侧面的像素界定结构上；其中可以通过控制疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部的深度以控制墨水攀爬的高度。本专利技术的有机电致发光显示基板适用于各种显示装置。附图说明图1为现有的有机电致发光显示基板结构的俯视示意图；图2为现有的有机电致发光显示基板结构的主视示意图；图3为本专利技术的实施例1的有机电致发光显示基板的示意图；图4为本专利技术的实施例2的有机电致发光显示基板的示意图；图5为本专利技术的实施例3的有机电致发光显示基板的制备流程图；其中，附图标记为：100、衬底；1、像素区域；2、非像素区域；3、像素界定层；30、像素界定结构；31、亲水材料层；32、多孔介质材料层；33、疏水材料层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种有机电致发光显示基板，如图3所示，包括衬底100，以及衬底100上的像素界定结构30，像素界定结构330包括亲水材料层31、疏水材料层33，以及亲水材料层31与疏水材料层33之间的多孔介质材料层32，其中，亲水材料层31与衬底100相接触，至少部分疏水材料层33的疏水材料渗透到多孔介质材料层32内部。本实施例中由于有机电致发光显示基板的像素界定结构30具有疏水材料层33，像素界定结构30的疏液性能好，利用喷墨打印的方式进行发光功能层的打印时，墨水打印到像素区域中后干燥成膜，墨水不会扩展攀爬或残留到侧面的像素界定结构30上；其中可以通过控制疏水材料渗透到多孔介质材料层32内部的深度以控制墨水攀爬的高度。本专利技术的有机电致发光显示基板适用于各种显示装置。实施例2：本实施例提供一种有机电致发光显示基板，如图4所示，包括像素区域1，以及像素区域1周边的非像素区域21，其中，每个像素区域1包括依次设置在衬底100上的阳极、多层发光功能层、阴极。非像素区域21设置像素界定结构30，像素界定结构30包括亲水材料层31、疏水材料层33，以及亲水材料层31与疏水材料层33之间的多孔介质材料层32，其中，亲水材料层31与
衬底100相接触，至少部分疏水材料层33的疏水材料渗透到多孔介质材料层32内部。本实施例中由于有机电致发光显示基板的像素界定结构30具有疏水材料层33，像素界定结构30的疏液性能好，利用喷墨打印的方式进行发光功能层的打印时，墨水打印到像素区域1中后干燥成膜，墨水不会扩展攀爬或残留到侧面的像素界定结构30上；其中可以通过控制疏水材料渗透到多孔介质材料层32内部的深度以控制墨水攀爬的高度。本专利技术的有机电致发光显示基板适用于各种显示装置。需要说明的是，通常发光功能层包括空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、发光材料层(Emitting Material Layer，EML)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。可以理解的是，为了达到不同颜色、不同亮度的发光要求，可以改变上述发光功能层的数量或打印次序等。优选本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光显示基板，包括衬底，以及衬底上的像素界定结构，其特征在于，所述像素界定结构包括亲水材料层、疏水材料层，以及所述亲水材料层与所述疏水材料层之间的多孔介质材料层，其中，所述亲水材料层与所述衬底相接触，至少部分所述疏水材料层的疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部。
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示基板，包括衬底，以及衬底上的像素界定结构，其特征在于，所述像素界定结构包括亲水材料层、疏水材料层，以及所述亲水材料层与所述疏水材料层之间的多孔介质材料层，其中，所述亲水材料层与所述衬底相接触，至少部分所述疏水材料层的疏水材料渗透到所述多孔介质材料层内部。2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述多孔介质材料层厚度为500-1500nm。3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述疏水材料层渗透到所述多孔介质材料层内部的深度为300-1200nm，且所述疏水材料层渗透到所述多孔介质材料层内部的深度小于多孔介质材料层厚度。4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述亲水材料层厚度为50-300nm。5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述疏水材料层未渗透至多孔介质材料层内的厚度为0-100nm。6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述多孔介质材料层的孔径为50-200nm。7.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述亲水材料层由SiO2构成。8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在
\t于，所述多孔介质材料层由Al2O3构成。9.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述疏水材料层由疏水材料固化后形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，代青，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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