调光驱动电路及LED灯具制造技术

本实用新型专利技术涉及调光领域，提供了一种调光驱动电路和LED灯具，解决LED灯具的调光电路结构复杂，方案成本昂贵的问题。包括调电流控制电路、调色温控制电路、发光组件电路；所述调电流控制电路的输出端与所述发光组件电路的正极连接，所述调色温控制电路的输出端与所述发光组件电路负极相连；所述调电流控制电路包括电流主控芯片、取样电阻、第一电阻、LC谐振电路；所述电流主控芯片内嵌有高压MOS管以及固化了调电流策略的MCU。本实用新型专利技术适用于需要调光的灯具。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及调光领域，特别涉及调光驱动电路及LED灯具。
技术介绍
目前市面上的灯具出现的调光调色方案主要有可控硅调光、PWM调光两种方式。其中：可控硅调光方式，其主要是通过调节输入电压的相位，改变输出电流。市面上的灯具多为单一可控硅调光方式，其匹配灯具的效果太差或无法调色温等；PWM调光方式，为脉冲调光，虽然其调光效果好，但其电路特点由于电路复杂，实现成本高昂，而且开关控制复杂(需要借助控制终端)，导致产品无法大批量上市应用。由于诸如上述及其他原因，导致现有很多调光调色技术方案无法大量应用于现有LED产品以及实现快速市场推广目的。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供一种调光驱动电路和LED灯具，解决LED灯具的调光电路结构复杂，方案成本昂贵的问题。为解决上述问题，本技术采用的技术方案是：调光驱动电路，包括调电流控制电路、调色温控制电路、发光组件电路；所述调电流控制电路的输出端与所述发光组件电路的正极连接，所述调色温控制电路的输出端与所述发光组件电路负极相连；所述调电流控制电路包括电流主控芯片、取样电阻、第一电阻、LC谐振电路；所述电流主控芯片内嵌有高压MOS管以及固化了调电流策略的MCU；所述调电流控制电路(A3)的电路连接方式为：电流主控芯片的取样脚通过所述取样电阻与所述LC谐振电路的输入端连接，电流主控芯片的控制脚通过所述第一电阻与所述LC谐振电路的输入端连接，LC谐振电路的输出端接所述发光组件电路。具体的，所述LC谐振电路包括电感、第三极性电容、二极管、第二电阻；其中：电感的一端和二极管的负极连接，电感的另一端与第三极性电容的正极、第二电阻的一端连接；第三极性电容的负极与二极管的正极、第二电阻的另一端连接并接地。进一步的，所述调色温控制电路包括调色温主控芯片，所述调色温主控芯片内嵌有高压MOS管以及固化了调色温策略的MCU。进一步的，所述调色温控制电路还包括使所述调色温主控芯片实现自动恢复重启功能的检测电路，所述检测电路包括并联在一起的第一电容和第二电容，并联的一端接调色温主控芯片的VDD脚，并联的另一端接调色温主控芯片的GND脚。进一步的，还包括浪涌抑制及整流滤波电路和EMI滤波电路，所述浪涌抑制及整流滤波电路的输出端与所述EMI滤波电路的输入端连接，所述EMI滤波电路的输出端与所述调电流控制电路的控制端和所述调色温控制电路的输入端连接。进一步的，所述EMI滤波电路为π型滤波电路。进一步的，所述发光组件电路为两路不同色温LED发光组件电路。LED灯具，包括上述的调光驱动电路。本技术的有益效果是：由于电流主控芯片内嵌有高压MOS管，因此本技术中电流主控芯片采用源极驱动控制方式，工作电流较低，调电流控制电路无须额外增加绕组进行检测和供电，仍能使系统达到较好的线性调整率和负载调整率；同时，电流主控芯片的调电流策略只需在生产的时候只写入MCU中，后续控制不再需要额外控制终端，因此比PWM调光方式更简单实用，能大批量上市应用。并且，电流主控芯片精准控制输出电流大小是通过控制LC谐振电路中电感峰值电流的方式来控制调光总输出电流大小，取样电阻检测到的电压值经芯片取样脚进行电压探测，与芯片内部峰值阀值电压进行比对，进而通知芯片是否进行内部锁定关断处理，确保了输出电流稳定，因此调光效果比可控硅调光方式更好。附图说明图1为实施例1之调光驱动电路的调电流控制电路、调色温控制电路、发光组件电路部分结构示意图。图2为实施例1之调光驱动电路的实施例结构示意图；图3为实施例2之LED灯具结构示意图。图中标号：浪涌抑制及整流滤波电路A1，EMI滤波电路A2，调电流控制电路A3，调色温控制电路A4，发光组件电路A5，压敏电阻MOV1，整流桥堆电路DB1，第一至第三极性电容Ce1-Ce3，第一至第二电容C1-C2，第一至第二电感L1-L2，第一至第二取样电阻RS1-RS2，第一至第二电阻R1-R2,二极管D，电流主控芯片的取样脚CS，电流主控芯片的控制脚SET，调光控制芯片U1，调色温控制芯片U2，灯头1、绝缘导热外壳2、导热固定粘接胶3、调光驱动电路的驱动部分4、散热器5、绝缘导热胶或导热片6、调光驱动电路的发光部分7、透光罩8。具体实施方式下面结合附图和实施方式对本技术作进一步的说明。参见图2，实施例1调光驱动电路包括浪涌抑制及整流滤波电路A1、EMI滤波电路A2、调电流控制电路A3、调色温控制电路A4和两路不同色温的LED发光组件电路A5；浪涌抑制及整流滤波电路A1的输出端与EMI滤波电路A2的输入端连接，EMI滤波电路A2的输出端与
调电流控制电路A3的控制端和调色温控制电路A4输入端连接，调电流控制电路A3的输出端与两路不同色温LED发光组件电路A5的正极连接，调色温控制电路A4的输出端与两路不同色温LED发光组件电路A5负极相连。其中，浪涌抑制及整流滤波电路A1包括压敏电阻MOV1，整流桥堆电路DB1，压敏电阻MOV1的一端与交流电路的L端连接，压敏电阻MOV1的另一端与交流电路的N端连接，整流桥堆电路DB1的输入端和压敏电阻MOV1的两端连接，整流桥堆电路DB1的输出端和与EMI滤波电路A2的输入端连接。通过压敏电阻MOV1，整流桥堆电路DB1组成的浪涌抑制及整流滤波电路A1，有效吸收/释放线路感应雷的高压脉冲能量防止其损害后端元件。其中，EMI滤波电路A2由第一电感L1，第一极性电容Ce1，第二极性电容Ce2组成π型滤波电路。通过π型滤波电路，对本电路产生的电磁干扰及电网中的电磁干扰进行抑制。其中，如图1所示，调电流控制电路A3包括电流主控芯片U1(PT6988)，内部嵌入MCU并固化调电流策略以满足用户电流调节需求,电流主控芯片的取样脚CS连接用于检测的第一取样电阻RS1、第二取样电阻RS2；调电流控制电路A3的输出部分由第二电感L2,第一电阻R1,第三极性电容Ce3，二极管D及第二电阻R2共同组成。由于电流主控芯片PT6988其工作在第二电感L2之临界导通模式下，因此确保通过第二电感L2的电流不随输出电压的变化而变化，确保输出电流稳定；同时由于主控芯片PT6988内嵌入高压500V的MOS功率管，并采用源极驱动控制方式，工作电流较低，无须额外增加绕组进行检测和供电，仍能使系统达到较好的线性调整率和负载调整率；同时，主控芯片PT6988精准控制输出电流大小是通过控制第二电感L2峰值电流的方式来控制调光总输出电流大小，即通过第一取样电阻RS1、第二取样电阻RS2检测到的电压值经电流主控芯片的取样脚CS进行电压探测与芯片内部峰值阀值电压进行比对，进而通知芯片是否进行内部锁定关断处理，确保输出电流稳定。其中，如图1所示，调色温控制电路A4主要包括LED调色温主控芯片(PT6920)U2，其内部集成功率MOS管，同时内部嵌入微型MCU实现ON/OFF调色温程序功能集成，内部有过、欠压保护、过温保护机制以及保护后自动恢复重启机制，通过其VDD脚与外围的第一电容C1、第二电容C2连接形成检测电路以实现自动恢复重启功能。主控PT6920调色温芯片内部集成MCU，同在MCU中固化控制策略/程序如下,实现调色温模式。一种策略实现方式：第一次开关调色温主控芯片PT6本文档来自技高网...

【技术保护点】
调光驱动电路，包括调电流控制电路(A3)、调色温控制电路(A4)、发光组件电路(A5)；所述调电流控制电路(3)的输出端与所述发光组件电路(A5)的正极连接，所述调色温控制电路(A4)的输出端与所述发光组件电路(A5)负极相连；其特征在于，所述调电流控制电路(A3)包括电流主控芯片(U1)、取样电阻(RS1、RS2)、第一电阻(R1)、LC谐振电路；所述电流主控芯片(U1)内嵌有高压MOS管以及固化了调电流策略的MCU；所述调电流控制电路(A3)的电路连接方式为：电流主控芯片的取样脚(CS)通过所述取样电阻(RS1、RS2)与所述LC谐振电路的输入端连接，电流主控芯片的控制脚(SET)通过所述第一电阻(R1)与所述LC谐振电路的输入端连接，LC谐振电路的输出端接所述发光组件电路(A5)。

【技术特征摘要】
1.调光驱动电路，包括调电流控制电路(A3)、调色温控制电路(A4)、发光组件电路(A5)；所述调电流控制电路(3)的输出端与所述发光组件电路(A5)的正极连接，所述调色温控制电路(A4)的输出端与所述发光组件电路(A5)负极相连；其特征在于，所述调电流控制电路(A3)包括电流主控芯片(U1)、取样电阻(RS1、RS2)、第一电阻(R1)、LC谐振电路；所述电流主控芯片(U1)内嵌有高压MOS管以及固化了调电流策略的MCU；所述调电流控制电路(A3)的电路连接方式为：电流主控芯片的取样脚(CS)通过所述取样电阻(RS1、RS2)与所述LC谐振电路的输入端连接，电流主控芯片的控制脚(SET)通过所述第一电阻(R1)与所述LC谐振电路的输入端连接，LC谐振电路的输出端接所述发光组件电路(A5)。2.根据权利要求1所述的调光驱动电路，其特征在于，所述LC谐振电路包括第二电感(L2)、第三极性电容(Ce3)、二极管(D)、第二电阻(R2)；其中：第二电感(L2)的一端和二极管(D)的负极连接，第二电感(L2)的另一端与第三极性电容(Ce3)的正极、第二电阻(R2)的一端连接；第三极性电容(Ce3)的负极与二极管(D)的正极、第二电阻(R2)的另一端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯志刚，张耐久，张高林，李生玉，陈勇华，
申请(专利权)人：四川长虹电子部品有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51