电磁继电器的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电磁继电器领域，特别涉及电磁继电器的驱动电路，本实用新型专利技术电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器、第一电容、第一电阻、第二电阻、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管，所述电磁继电器的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二电阻的一端并连接第一N沟道MOS管的栅极，第一N沟道MOS管的漏极连接电磁继电器的控制回路的另一端并与第一电阻的一端相连，第一N沟道MOS管的源极、第二电阻的另一端、第一电阻的另一端和第二N沟道MOS管的漏极连接在一起，第二N沟道MOS管的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二N沟道MOS管的源极接地，解决了电磁继电器导通保持功耗高的问题，主要用于电磁继电器驱动。

【技术实现步骤摘要】
电磁继电器的驱动电路
本技术涉及电磁继电器领域，特别涉及电磁继电器的驱动电路。
技术介绍
在电磁继电器的驱动控制电路设计中，通常采用三极管或MOS对继电器进行直接驱动，以控制继电器的通断，但直接控制的驱动电路无法很好地利用电磁继电器的大电流导通，低电流维持的特性，极大地增加了电磁继电器的导通功耗。随着产品小型化、集成化的发展，电磁继电器的导通功耗影响了产品电源供电部分的设计。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题：提供电磁继电器的驱动电路解决电磁继电器导通保持功耗高的问题。本技术解决上述技术问题采用的技术方案：电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器、第一电容、第一电阻、第二电阻、第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管，所述电磁继电器的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二电阻的一端并连接第一N沟道MOS管的栅极，第一N沟道MOS管的漏极连接电磁继电器的控制回路的另一端并与第一电阻的一端相连，第一N沟道MOS管的源极、第二电阻的另一端、第一电阻的另一端和第二N沟道MOS管的漏极连接在一起，第二N沟道MOS管的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二N沟道MOS管的源极接地。电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器U1、第一电容、第一电阻、第二电阻、第一P沟道MOS管和第二P沟道MOS管，所述电磁继电器U1的控制回路的一端接地并连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二电阻的一端并连接第一P沟道MOS管的栅极，第一P沟道MOS管的漏极连接电磁继电器的控制回路的另一端并与第一电阻的一端相连，第一P沟道MOS管的源极、第二电阻的另一端、第一电阻的另一端和第二P沟道MOS管的漏极连接在一起，第二P沟道MOS管的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二P沟道MOS管的源极接电源VCC。电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器、第一电容、第一电阻、第二电阻、第一NPN三极管和第二NPN三极管，所述电磁继电器的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二电阻的一端并连接第一NPN三极管的基极，第一NPN三极管的集电极连接电磁继电器的控制回路的另一端并与第一电阻的一端相连，第一NPN三极管的发射极、第二电阻的另一端、第一电阻的另一端和第二NPN三极管的集电极连接在一起，第二NPN三极管的基极连接电磁继电器的控制信号，第二NPN三极管的发射极接地。电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器、第一电容、第一电阻、第二电阻、第一PNP三极管和第二PNP三极管，所述电磁继电器的控制回路的一端接地并连接第一电容的一端，第一电容的另一端连接第二电阻的一端并连接第一PNP三极管的基极，第一PNP三极管的集电极连接电磁继电器的控制回路的另一端并与第一电阻的一端相连，第一PNP三极管的发射极、第二电阻的另一端、第一电阻的另一端和第二PNP三极管的集电极连接在一起，第二PNP三极管的基极连接电磁继电器的控制信号，第二PNP三极管的发射极接电源VCC。本技术的有益效果：本技术电磁继电器的驱动电路通过切换电磁继电器导通保持电流回路降低了电磁继电器导通保持功率，解决了电磁继电器导通保持功耗高的问题。附图说明图1是本技术电磁继电器的驱动电路采用N沟道MOS管的电路图。图2是本技术电磁继电器的驱动电路采用P沟道MOS管的电路图。图3是本技术电磁继电器的驱动电路采用NPN三极管的电路图。图4是本技术电磁继电器的驱动电路采用PNP三极管的电路图。图5是本技术电磁继电器的驱动电路采用N沟道MOS管的关断状态电路通断示意图。图6是本技术电磁继电器的驱动电路采用N沟道MOS管的导通时的电路通断示意图。图7是本技术电磁继电器的驱动电路采用N沟道MOS管的导通保持时的电路通断示意图。具体实施方式本技术提供电磁继电器的驱动电路解决电磁继电器导通保持功耗高的问题，电磁继电器驱动电路有四种实现方式，第一种是采用N沟道MOS管，第二种是采用P沟道MOS管，第三种是采用NPN三极管，第四种是采用PNP三极管。第一种采用N沟道MOS管，如附图1所示，电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器U1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一N沟道MOS管Q1和第二N沟道MOS管Q2，所述电磁继电器U1的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端连接第二电阻R2的一端并连接第一N沟道MOS管Q1的栅极，第一N沟道MOS管Q1的漏极连接电磁继电器U1的控制回路的另一端并与第一电阻R1的一端相连，第一N沟道MOS管Q1的源极、第二电阻R2的另一端、第一电阻R1的另一端和第二N沟道MOS管Q2的漏极连接在一起，第二N沟道MOS管Q2的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二N沟道MOS管Q2的源极接地。工作原理分析如下：当电磁继电器控制信号为低电平时，第二N沟道MOS管Q2截止，第一N沟道MOS管Q1截止，此时电磁继电器U1断开，此时电路通断示意图如附图5所示；当电磁继电器控制信号为高电平时，第二N沟道MOS管Q2导通，4点电压快速降低到0电位，由于电容C1的存在，3点电压不能突变，为逐渐降低到0的过程，故3、4之间将存在电压差，存在的电压差会使第一N沟道MOS管Q1导通，此时电磁继电器导通，主电流回路为VCC→1→2→Q1→4→Q2→GND，此时电路通断示意图如附图6所示，功率P1＝VCC×VCC÷R内，其中VCC为电源VCC的电压，R内为电磁继电器U1的线圈内阻；当电容C1放电完成后，3、4两点不存在电压差，第一N沟道MOS管Q1关断，主电流回路为VCC→1→2→R1→4→Q2→GND，此时电路通断示意图如附图7所示，功率P2＝VCC×VCC÷(R1+R内)，其中VCC为电源VCC的电压，R1为第一电阻R1的阻值，R内为电磁继电器的线圈内阻，P1>P2，由此可得，本电路降低了电磁继电器导通保持的功率。第二种采用P沟道MOS管，如附图2所示，电磁继电器的驱动电路包括电磁继电器U1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一P沟道MOS管Q3和第二P沟道MOS管Q4，所述电磁继电器U1的控制回路的一端接地并连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端连接第二电阻R2的一端并连接第一P沟道MOS管Q3的栅极，第一P沟道MOS管Q3的漏极连接电磁继电器U1的控制回路的另一端并与第一电阻R1的一端相连，第一P沟道MOS管Q3的源极、第二电阻R2的另一端、第一电阻R1的另一端和第二P沟道MOS管Q4的漏极连接在一起，第二P沟道MOS管Q4的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二P沟道MOS管Q4的源极接电源VCC。工作原理分析如下：当电磁继电器控制信号为高电平时，第二P沟道MOS管Q4截止，第一P沟道MOS管Q3截止，此时电磁继电器U1断开；当电磁继电器控制信号为低电平时，第二P沟道MOS管Q4导通，第一P沟道MOS管Q3的源极电压为VCC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电磁继电器的驱动电路，其特征在于，包括电磁继电器(U1)、第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一N沟道MOS管(Q1)和第二N沟道MOS管(Q2)，所述电磁继电器(U1)的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端连接第二电阻(R2)的一端并连接第一N沟道MOS管(Q1)的栅极，第一N沟道MOS管(Q1)的漏极连接电磁继电器(U1)的控制回路的另一端并与第一电阻(R1)的一端相连，第一N沟道MOS管(Q1)的源极、第二电阻(R2)的另一端、第一电阻(R1)的另一端和第二N沟道MOS管(Q2)的漏极连接在一起，第二N沟道MOS管(Q2)的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二N沟道MOS管(Q2)的源极接地。/n

【技术特征摘要】
1.电磁继电器的驱动电路，其特征在于，包括电磁继电器(U1)、第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一N沟道MOS管(Q1)和第二N沟道MOS管(Q2)，所述电磁继电器(U1)的控制回路的一端连接电源VCC并连接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端连接第二电阻(R2)的一端并连接第一N沟道MOS管(Q1)的栅极，第一N沟道MOS管(Q1)的漏极连接电磁继电器(U1)的控制回路的另一端并与第一电阻(R1)的一端相连，第一N沟道MOS管(Q1)的源极、第二电阻(R2)的另一端、第一电阻(R1)的另一端和第二N沟道MOS管(Q2)的漏极连接在一起，第二N沟道MOS管(Q2)的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二N沟道MOS管(Q2)的源极接地。


2.电磁继电器的驱动电路，其特征在于，包括电磁继电器(U1)、第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一P沟道MOS管(Q3)和第二P沟道MOS管(Q4)，所述电磁继电器(U1)的控制回路的一端接地并连接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端连接第二电阻(R2)的一端并连接第一P沟道MOS管(Q3)的栅极，第一P沟道MOS管(Q3)的漏极连接电磁继电器(U1)的控制回路的另一端并与第一电阻(R1)的一端相连，第一P沟道MOS管(Q3)的源极、第二电阻(R2)的另一端、第一电阻(R1)的另一端和第二P沟道MOS管(Q4)的漏极连接在一起，第二P沟道MOS管(Q4)的栅极连接电磁继电器的控制信号，第二P沟道MOS管(Q4)的源极接电源VCC。

【专利技术属性】
技术研发人员：余海东，邢义斌，
申请(专利权)人：四川长虹电子部品有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51