一种电源热插拔冗余电路制造技术

技术编号:13647696 阅读:86 留言:0更新日期:2016-09-04 17:10
本申请公开一种电源热插拔冗余电路,其压降特别小,只是mV级的电压,不会对后面的电路造成电压不足的情况,通过大电流时功耗非常小,发热量很小,节省了面积和散热片,为整个模块以及电源板减小了功耗。其包括:第一供电单元,第二供电单元,双路热插拔控制器,双路理想二极管控制器;第一供电单元包括第一、第二NMOS管,第一检流电阻,第二供电单元包括第三、第四NMOS管,第二检流电阻。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于工业过程测量和控制系统功能安全产品中电源设计的
,尤其涉及一种电源热插拔冗余电路,其主要用于电源热插拔电路设计中。
技术介绍
在多种应用中,为了保证模块的插入和拔出对其他的模块没有影响,引入了热插拔电路。为了保证现场的板卡不间断性工作,一般有几套电源给现场的板卡供电,常用的5V电源需要由两路或三路5V电路通过冗余来获得。在以往的设计中,常用的电源冗余一般采用肖特基二极管冗余,这样做主要有以下缺点:1,二极管正向压降约为0.5V,对于5V系统来说是比较大的,如果输入是正常5V,进入有些芯片内的实际电压值是5-0.5=4.5V,有些芯片很可能不能正常工作。2,如果通过的电流比较大时,根据P=UI,二极管本身消耗的功率比较大,会造成过多的功率消耗,浪费国家的能源。3,二极管上消耗的功率主要转变成热量,发热量比较大,更严重的情况要加散热片,面积会加大,会影响PCB板的面积大小和厚度。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种电源热插拔冗余电路,其压降特别小,只是mV级的电压,不会对后面的电路造成电
压不足的情况,通过大电流时功耗非常小,发热量很小,节省了面积和散热片,为整个模块以及电源板减小了功耗。解决上述问题的技术方案是:这种电源热插拔冗余电路,其包括:第一供电单元,第二供电单元,双路热插拔控制器,双路理想二极管控制器;第一供电单元包括第一、第二NMOS管,第一检流电阻,第二供电单元包括第三、第四NMOS管,第二检流电阻;第一路5V输入电压依次经过第一检流电阻、第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第二NMOS管的漏极,第二路5V输入电压依次经过第二检流电阻、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极,第一、二路5V输入电压、第一、二检流电阻的输出端分别进入双路热插拔控制器,双路热插拔控制器的输出端分别连接第一NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极,第一NMOS管的源极、第三NMOS管的源极分别连接双路理想二极管控制器的输入端,双路理想二极管控制器的输出端分别连接第二NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极。本技术采用凌特公司的LTC4222为双路热插拔控制器,有欠压、过压、过流监控,当输入端5V电压不在正常范围或者电流过流时,会断开连接的NMOS管,使5V与后面的电路断开,保护后面的电路,双路理想二极管控制器LTC4353控制两个NMOS管,采用NMOS管代替肖特基二极管,因此压降特别小,只是mV级的电压,不会对后面的电路造成电压不足的情况,通过大电流时功耗非常小,发热量很小,节省了面积和散热片,为整个模块以及电源板减小了功耗。附图说明图1是本技术的电源热插拔冗余电路的电路方框图。图2是本技术的电源热插拔冗余电路的原理图。具体实施方式如图1所示,这种电源热插拔冗余电路,其包括:第一供电单元,第二供电单元,双路热插拔控制器,双路理想二极管控制器;第一供电单元包括第一、第二NMOS管,第一检流电阻,第二供电单元包括第三、第四NMOS管,第二检流电阻;第一路5V输入电压依次经过第一检流电阻、第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第二NMOS管的漏极,第二路5V输入电压依次经过第二检流电阻、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极,第一、二路5V输入电压、第一、二检流电阻的输出端分别进入双路热插拔控制器,双路热插拔控制器的输出端分别连接第一NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极,第一NMOS管的源极、第三NMOS管的源极分别连接双路理想二极管控制器的输入端,双路理想二极管控制器的输出端分别连接第二NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极。本技术采用凌特公司的LTC4222为双路热插拔控制器,有欠压、过压、过流监控,当输入端5V电压不在正常范围或者电流过流时,会断开连接的NMOS管,使5V与后面的电路断开,保护后面的电路,双路理想二极管控制器LTC4353控制两个NMOS管,采用NMOS管代替肖特基二极管,因此压降特别小,只是mV级的电压,不会对后面的电路造成电压不足的情况,通过大电流时功耗非常小,发热量很小,节省了面积和散热片,为整个模块以及电源板减小了功耗。另外,所述双路热插拔控制器是LTC4222双路热插拔控制器。另外,所述双路理想二极管控制器是LTC4353双低压冗余二极管控制器。另外,所述第一、第二、第三、第四NMOS管是型号为SI4126DY的NMOS管。以下更加详细地说明本技术。如图2所示,双路热插拔控制器LTC4222(U4)具有热插拔保护的功能,
同时具有输入过压欠压过流等保护措施,第一路过压检测是通过LTC4222的第32脚的电压,电压值由电阻R1、R2、R3分压得到,当在LTC4222的第32脚检测到的电压超过1.235V时,就认为是过压状态,就会在LTC4222的第28脚产生一个高电平信号,关断NMOS开关SI4126DY(U1),第一路欠压检测是通过第31脚的电压,电压值由电阻R1、R2、R3分压得到,当在LTC4222的第31脚检测到的电压低于1.235V时,就认为是欠压状态,就会在LTC4222的第28脚产生一个高电平信号,关断NMOS开关SI4126DY(U1),第一路过流检测是通过LTC4222的第30脚和第29脚之间的电压差,也就是电阻R4上的电压差,当电压差到达50mV时,会认为是过流状态,就会在LTC4222的第28脚产生一个高电平信号,将关断NMOS开关SI4126DY(U1)。保证后面的电路安全断电。第二路过压检测是通过LTC4222的第9脚的电压,电压值由电阻R11、R12、R13分压得到,当在LTC4222的第9脚检测到的电压超过1.235V时,就认为是过压状态,就会在LTC4222的第13脚产生一个高电平信号,关断NMOS开关SI4126DY(U6),第二路欠压检测是通过第10脚的电压,电压值由电阻R11、R12、R13分压得到,当在LTC4222的第10脚检测到的电压低于1.235V时,就认为是欠压状态,就会在LTC4222的第13脚产生一个高电平信号,关断NMOS开关SI4126DY(U6),第二路过流检测是通过LTC4222的第11脚和第12脚之间的电压差,也就是电阻R18上的电压差,当电压差到达50mV时,会认为是过流状态,就会在LTC4222的第13脚产生一个高电平信号,将关断NMOS开关SI4126DY(U6),保证后面的电路安全断电。第一路电压反馈控制,经过SI4126DY(U1)的5V输出端经过电阻R7、R8分压接到LTC4222的第26脚,当第26脚的电压降到1.235V以下时,认为5V电源不正常。第二路电压反馈控制,经过SI4126DY(U6)的5V输出端经过电阻R14、R15分压接到LTC4222的第15脚,当第15脚的电压降到1.235V以下时,认为5V电源不正常。双路理想二极管控制器LTC4353(U4)通过控制两个NMOS管SI4126DY(U2、U5),完成电源的冗余,SI4126DY直流导通电阻本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电源热插拔冗余电路,其特征在于:其包括:第一供电单元,第二供电单元,双路热插拔控制器,双路理想二极管控制器;第一供电单元包括第一、第二NMOS管,第一检流电阻,第二供电单元包括第三、第四NMOS管,第二检流电阻;第一路5V输入电压依次经过第一检流电阻、第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第二NMOS管的漏极,第二路5V输入电压依次经过第二检流电阻、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极,第一、二路5V输入电压、第一、二检流电阻的输出端分别进入双路热插拔控制器,双路热插拔控制器的输出端分别连接第一NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极,第一NMOS管的源极、第三NMOS管的源极分别连接双路理想二极管控制器的输入端,双路理想二极管控制器的输出端分别连接第二NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种电源热插拔冗余电路,其特征在于:其包括:第一供电单元,第二供电单元,双路热插拔控制器,双路理想二极管控制器;第一供电单元包括第一、第二NMOS管,第一检流电阻,第二供电单元包括第三、第四NMOS管,第二检流电阻;第一路5V输入电压依次经过第一检流电阻、第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第二NMOS管的漏极,第二路5V输入电压依次经过第二检流电阻、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极,第一、二路5V输入电压、第一、二检流电阻的输出端分别进入双路热插拔控制器,双路热插拔控制器的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员:俞凌卢铭丁鹏
申请(专利权)人:北京安控科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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