一种负压低侧冗余控制电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源控制
，尤其是涉及一种负压低侧冗余控制电路。
技术介绍
现有技术中，在冗余电路中，经常需要用到负电压电路，传统的二极管冗余电路线路简单，但是功耗大，发热严重，需加装散热片，占用体积大，压降大。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的目的是提供一种负压低侧冗余控制电路，其采用负压低侧或FET控制器驱动MOS管，能够有效地降低电路的功耗和减小输出压差。为实现上述专利技术目的，本技术采用如下技术方案：一种负压低侧冗余控制电路，其包括控制芯片、双向TVS管、第一MOS管、第二MOS管，控制芯片为低侧或FET控制器，双向TVS管接在负压输入端口与地GND之间，控制芯片的INN引脚与INP/VSS引脚之间接有第三稳压管，第一MOS管、第二MOS管的栅极与控制芯片的GATE引脚相连，第一MOS管、第二MOS管的源极相连，第一MOS管的漏极与负压输入端口相连，第二MOS管的漏极与负压输出端口相连。所述的负压低侧冗余控制电路，其输入电压范围为－6V～－100V的直流电压。所述的负压低侧冗余控制电路，其控制芯片采用型号为LM5051的芯片。由于采用如上所述的技术方案，本技术具有如下优越性：该负压低侧冗余控制电路，其结构简单，设计合理，所用元器件较少，制作成本低，大大降低了压降损耗，输入电压范围非常宽，具有非常快速的反向电流关断能力，响应速度达50ns，并且有防反接功能，非常适合应用于负压冗余电路中，具有MOS短路诊断模式。附图说明图1是本技术负压低侧冗余控制电路的原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术的技术方案作进一步详细说明。如图1所示，该负压低...
【技术保护点】
一种负压低侧冗余控制电路，其特征是：其包括控制芯片、双向TVS管、第一MOS管、第二MOS管，控制芯片为低侧或FET控制器，双向TVS管接在负压输入端口与地GND之间，控制芯片的INN引脚与INP/VSS引脚之间接有第三稳压管，第一MOS管、第二MOS管的栅极与控制芯片的GATE引脚相连，第一MOS管、第二MOS管的源极相连，第一MOS管的漏极与负压输入端口相连，第二MOS管的漏极与负压输出端口相连。
【技术特征摘要】
1.一种负压低侧冗余控制电路，其特征是：其包括控制芯片、双向TVS管、第一MOS管、第二MOS管，控制芯片为低侧或FET控制器，双向TVS管接在负压输入端口与地GND之间，控制芯片的INN引脚与INP/VSS引脚之间接有第三稳压管，第一MOS管、第二MOS管的栅极与控制芯片的GATE引脚相连，第一MO...
【专利技术属性】
技术研发人员：王玲琴，李跃闯，
申请(专利权)人：洛阳隆盛科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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