【技术实现步骤摘要】
本申请是2010年10月19日提交的申请号为201010515815.5,专利技术名称为“光学膜和包括光学膜的发光器件”的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2009年10月19日提交的韩国专利申请No.10-2009-0099292、No.10-2009-0099293以及No.10-2009-0099294和于2010年4月10提交的No.10-2010-0033023的优先权,通过引用,将其整体地合并在此。
本实施例涉及发光器件。
技术介绍
发光二极管(在下文中,被称为LED)是用于将电能转换为光的半导体元件。与诸如荧光灯和白炽灯等等的现有的光源相比较,LED具有低功率消耗、半永久性寿命、快速响应速度、安全、以及环保的优点。为此,许多的研究被专注于利用LED来置换现有光源。LED现在被日益用作用于例如,被用于室内和室外的各种灯、液晶显示装置、电光标志、以及街灯等等的照明装置的光源。
技术实现思路
一个实施例是一种光学膜。所述光学膜包括:基膜,该基膜包括具有光透射率和耐热性的材料;基质层(matrix layer),该基质层被布置在基膜上并且包括荧光材料;以及保护层,该保护层被布置在基质层上并且包括具有粘合特性的材料。另一实施例是一种光学膜。所述光学膜包括:基膜,该基膜具有在大约10μm和大约500μm之间的厚度;基质层,该基质层被布置在基膜上并且包括荧光材料,并且具有在大约20μm和大约500μm之间的厚度;以及保护层,该保护层被布置在基质层上,具有大约80%的光透射率或/和在大约2,000cp和大约10,000cp的粘度。又一实施例是一种 ...
【技术保护点】
一种光学膜,包括:基膜,所述基膜包括具有光透射率的材料,其中所述基膜具有在20μm和30μm之间的厚度;基质层,所述基质层被布置在所述基膜上,包括荧光材料且具有在30μm和50μm之间的总厚度,其中所述基质层是单个层;以及保护层,所述保护层被布置在所述基质层上,并且包括具有粘合特性的材料。
【技术特征摘要】
2009.10.19 KR 10-2009-0099292;2009.10.19 KR 10-2001.一种光学膜,包括:基膜,所述基膜包括具有光透射率的材料,其中所述基膜具有在20μm和30μm之间的厚度;基质层,所述基质层被布置在所述基膜上,包括荧光材料且具有在30μm和50μm之间的总厚度,其中所述基质层是单个层;以及保护层,所述保护层被布置在所述基质层上,并且包括具有粘合特性的材料。2.根据权利要求1所述的光学膜,进一步包括保护膜,所述保护膜被布置在所述保护层上,其中,所述保护膜由与所述基膜相同的材料制成。3.根据权利要求1所述的光学膜,其中,所述保护层包括树脂材料和/或硅材料中的至少一个。4.根据权利要求1所述的光学膜,其中,所述保护层具有大于80%的光透射率或/和在2,000cp和10,000cp之间的粘度,并且包括具有粘合强度的有机硅树脂。5.根据权利要求1所述的光学膜,其中,所述保护层是粘性层。6.根据权利要求5所述的光学膜,其中,所述粘性层的光透射率至少是90%。7.根据权利要求5所述的光学膜,其中,所述粘性层包括甲苯。8.根据权利要求2所述的光学膜,进一步包括:粘合性构件,所述粘合性构件被直接布置在所述保护膜上;以及离型膜,所述离型膜被直接布置在所述粘合性构件上。9.根据权利要求8所述的光学膜,其中,所述粘合性构件包括第一粘合性层、第二粘合性层以及主体层,所述主体层被布置在所述第一粘合性层和第二粘合性层之间,其中所述第二粘合性层被布置在所述主体层和所述保护膜之间,并且其中所述第一粘合性层被布置在所述主体层和所述离型膜之间。10.根据权利要求1到9中的任何一项所述的光学膜,其中,所述基质层包括有机硅树脂。11.根据权利要求1到9中的任何一项所述的光学膜,其中,所述荧光材料包括硅酸盐基荧光材料、硫化物基荧光材料、YAG基荧光材料、和/或TAG基荧光材料中的至少一个。12.一种发光器件,包括:发光芯片;和光学膜,所述光学膜包括由从所述发光芯片发射的光激励的至少一种荧光材料,其中,经过所述光学膜的光具有在85和100之间的显色性指数(CRI),其中所述光学膜包括:基膜,所述基膜具有在20μm和30μm之间的厚度;和基质层,所述基质层被布置在所述基膜上,包括荧光材料并且具有在30μm和50μm之间的厚度,其中所述基质层是单个层。13.根据权利要求12所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:安永主,朴钟燦,金永进,韩安娜,
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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