接近传感器帽制造技术

一种形成接近传感器帽的方法，包括将透镜放置在粘附层上；每个透镜包括面向粘附层的第一侧和背离粘附层的第二侧。然后形成包封层；包封层具有与粘附层相接触的第一侧和与每个所述透镜的第二侧相接触的第二侧。包封层和透镜被与粘附层分离，翻转，并且放置在另一粘附层之上。放置包括透镜的包封层以使得每个透镜的第一侧背离粘附层。在包封层上形成帽脚；每个帽脚与包封层的第二侧相接触并且从包封层的第二侧延伸。将包封层与粘附层分离。

【技术实现步骤摘要】

本申请总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及半导体接近传感器器件。
技术介绍
图1A是常规的接近传感器100的俯视平面图。接近传感器100包括具有形成于其中的第一孔洞104和第二孔洞106的帽102。图1B是接近传感器100沿着图1A所示的线1B-1B的截面视图。接近传感器100包括在印刷电路板衬底112上布置的发光器件108和半导体裸片110。半导体裸片110的上表面包括传感器区域114。如图1B所示，帽102包括第一帽部件102a、第二帽部件102b、和第三帽部件102c。帽部件102a至102c极其小，通常具有15微米和150微米之间的尺寸。帽102也包括成对的透镜116。透镜116之一利用粘合材料118a被固定到第一帽部件102a并且利用粘合材料118b被固定到第二帽部件102b。另一透镜116利用粘合材料118c被固定到第二帽部件102b并且利用粘合材料118d被固定到第三帽部件102c。第一帽部件102a使用粘合材料120a被固定到印刷电路板衬底112。第二帽部件102b使用粘合材料120b被固定到半导体裸片110。第三帽部件102c使用粘合材料120c被固定到印刷电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成接近传感器帽的方法，所述方法包括：将多个透镜放置在第一粘附层上，每个所述透镜包括面对所述第一粘附层的第一侧和背离所述第一粘附层的第二侧；形成具有与所述第一粘附层相接触的第一侧和与背离所述第一粘附层的每个所述透镜的所述第二侧相接触的第二侧的包封层；将所述包封层和所述透镜从所述第一粘附层分离；将所述包封层放置在第二粘附层上，所述包封层包括所述透镜，其中每个所述透镜的所述第一侧背离所述第二粘附层；在所述包封层上形成多个帽脚，每个所述帽脚与所述包封层的所述第二侧相接触并且从所述包封层的所述第二侧延伸；以及将所述包封层与所述第二粘附层分离。

【技术特征摘要】
1.一种形成接近传感器帽的方法，所述方法包括：将多个透镜放置在第一粘附层上，每个所述透镜包括面对所述第一粘附层的第一侧和背离所述第一粘附层的第二侧；形成具有与所述第一粘附层相接触的第一侧和与背离所述第一粘附层的每个所述透镜的所述第二侧相接触的第二侧的包封层；将所述包封层和所述透镜从所述第一粘附层分离；将所述包封层放置在第二粘附层上，所述包封层包括所述透镜，其中每个所述透镜的所述第一侧背离所述第二粘附层；在所述包封层上形成多个帽脚，每个所述帽脚与所述包封层的所述第二侧相接触并且从所述包封层的所述第二侧延伸；以及将所述包封层与所述第二粘附层分离。2.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述透镜包括布置在每个所述透镜的所述第一侧和所述第二侧之间的第三侧，并且形成所述包封层包括在每个所述透镜的所述第二侧和所述第三侧上形成所述包封层。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将至少一个掩膜放置在所述第一粘附层之上，所述至少一个掩膜在形成所述包封层之前被放置在每个所述透镜的所述第二侧上；以及在形成所述包封层之后从每个所述透镜的所述第二侧去除所述至少一个掩膜。4.根据权利要求3所述的方法，其中在将所述包封层放置在所述第二粘附层上之前从每个所述透镜的所述第二侧去除所述至少一个掩膜。5.根据权利要求1所述的方法，其中在每个所述透镜的所述第二侧与所述第二粘附层之间形成多个空间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个帽脚包括阻挡构
\t件和两个侧壁，每个所述侧壁的高度大于所述阻挡构件的高度。7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在将所述包封层放置在所述第二粘附层上之前，翻转包括所述透镜的所述包封层。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述帽脚之前将至少一个掩膜放置在每个所述透镜的所述第一侧上；以及在形成所述帽脚之后从每个所述透镜的所述第一侧去除所述至少一个掩膜。9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述至少一个掩膜放置在每个所述透镜的所述第一侧上包括将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾竟恩，J·泰赛尔，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG