一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极，主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端，电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极，MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端，MOSFET M3的源极和MOSFET M4的源极分别连接到电源V1的负极，电源V1的负极接地。本实用新型专利技术的基于软开关的非隔离降压拓扑结构，在保持原buck拓扑的基础上通过软开关降低能量消耗、降低电磁干扰，利用增加开关频率实现电源的小型化，提高功率密度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，具体涉及一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构。
技术介绍
目前，常用的非隔离降压电源多采用buck拓扑，如图1所示，由输入电源(V1)，输入电容(C1)，输入开关管(M1)、同步开关管(M2)、电感(L1)、输出电容(C2)，负载(R1)组成。电路中，输入开关管(M1)为MOSFET，由于MOSFET内部结电容的存在，当M1导通时它的VDS电压为输入电压，导通后结电容被短路，能量消耗在M1中，引起能量消耗。而且这种能量消耗会随着开关频率的增加而增高。也是由于这个原因的存在，电源的开关频率被限制在200kHZ内。因为开关频率直接影响电感与电容的大小，较低的开关频率使电感电容的设计值增大，从而需要大体积的电感与电容。另外，由于M1导通瞬间di/dt非常高，这将导致电源的EMI(电磁干扰)非常严重。
技术实现思路
为了克服现有非隔离降压电源存在的问题，本技术提出一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，在保持原buck拓扑的基础上通过软开关降低能量消耗、降低电磁干扰，利用增加开关频率实现电源的小型化，提高功率密度。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种基于软开关的非隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，其特征在于：包括电源V1，电容C1和C2，负载R1，MOSFET M1、M2、M3、和M4，变压器K1以及变压器K1的主绕组L1、从绕组L2，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSFET M2的源极连接到电源V1的负极，主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端，电容C2的另一端和电阻R1的另一端分别连接到电源V1的负极，MOSFET M3的漏极和MOSFET M的漏极分别连接到从绕组L2的两端，...

【技术特征摘要】
1.一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，其特征在于：包括电源V1，电容C1和C2，负载R1，MOSFET M1、M2、M3、和M4，变压器K1以及变压器K1的主绕组L1、从绕组L2，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSFETM2的源极连接到电源V1的负极，主绕组L1的另一端分别并接电容C2的一端和电阻R1的一端，电容C2的另一端和电阻R1的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：石青，
申请(专利权)人：北京普泰日盛新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11