升压及降压变换软开关拓扑电路制造技术

升压及降压变换软开关拓扑电路，谐振电容Ｃ↓［ｒ］和续流二极管ＶＤ↓［ｆ］并联在辅开关ＶＭ↓［ａ］两端，谐振电感Ｌ↓［ｒ］同主开关ＶＭ↓［ｍ］组成串联支路与谐振电容井联，主、辅二极管ＶＤ↓［ｍ］和ＶＤ↓［ａ］阴极或阳极相连。电路的控制逻辑是：开通主开关δ１时间再开通辅开关，两者同时导通Ｔ１时间后关断主开关，经过δ２时间又关断辅开关，两者同时关断Ｔ２时间再从头开始。由于是软开关，实现了零电流、零电压开通和零电压关断，因而能降低开关损耗和ＥＭＩ噪音，获得较高的变流效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静止型电力变流电路，尤其涉及用于直流升压和降压变换的半导体软开关拓扑电路。现有用于电力静止变流的技术，例如常规的升压变换(Boost)电路，如附图说明图1所示，包括电压源Ui、储能电感Lm、MOSFET(电力场效应晶体管)开关器件VS、快恢复二极管VD、输出滤波电容Co和负载电阻RL。在图2上绘出了该电路的工作时序。例如，在t＝t0时刻，开关器件VS导通，二极管VD硬关断。由于二极管VD的载流子存储效应，造成它有很大的反向恢复电流。在t＝t1时刻，二极管VD的电流IVD反向恢复达到最大值IR，通过开关器件VS的电流Id-a＝Ii+IR。正是这个很大的反向恢复电流，使得二极管VD的关断损耗和开关器件VS的开通损耗都很大，以致电路效率低下，只能达到η＝95.5％左右，EMI(电磁干扰)噪音也很大。图2上t＝t2时刻，开关器件VS关断，储能电感Lm的电流通过二极管VD向输出滤波电容CO充电，磁场储能转变为电场储能。目前单相整流电源的PFC(功率因数校正)技术大多采用这种升压型电路。本专利技术的目的在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种能降低电路开关损耗、抑制开关器件V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压变换软开关拓扑电路，包括电压源（Ｕ↓［ｉ］，３０１或５０１）、储能电感（Ｌ↓［ｍ］，３０２或５０２）、辅开关（ＶＭ↓［ａ］，３０６或５０６）、主二极管（ＶＤ↓［ｍ］，３０７或５０７）、滤波电容（Ｃ↓［ｏ］，３０９或５０９）和负载电阻（Ｒ↓［Ｌ］，３１０或５１０），其特征在于： 还包括谐振电感（Ｌ↓［ｒ］，３０５或５０５）、谐振电容（Ｃ↓［ｒ］，３０４或５０４）、续流二极管（ＶＤ↓［ｆ］，３００或５００）、辅二极管（ＶＤ↓［ａ］，３０８或５０８）和主开关（ＶＭ↓［ｍ］，３０３或５０３）；所述谐振电容（Ｃ↓［ｒ］）和续流二极管（ＶＤ↓［ｆ］）均并联在辅开关（ＶＭ↓［ａ］）两端，续流二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：章进法，赵林冲，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]