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本实用新型涉及一种基于软开关的非隔离降压拓扑结构，所述电源V1的正极分别并接电容C1的一端和MOSFET M1的漏极，电容C1的另一端连接到电源V1的负极，MOSFET M1的源极分别并接MOSFET M2的漏极和主绕组L1的一端，MOSF...
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