用于字线应用的钨制造技术

本发明专利技术涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。

【技术实现步骤摘要】
201610085046

【技术保护点】
一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：脉冲发送还原剂，其中所述还原剂是含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的；和脉冲发送氯化钨前体，其中所述氯化钨前体通过所述还原剂或其产物还原以在所述衬底上形成含有B、Si和Ge中的一种或更多种的多组分含钨膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·达内克，汉娜·班诺乐克，拉什纳·胡马雍，高举文，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US