一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li3BGeO5制造技术

本发明专利技术公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BGeO5及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、B2O3和GeO2的原始粉末按Li3BGeO5的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在950～1000℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明专利技术制备的陶瓷在1000℃以下烧结良好，介电常数达到5.7～6.3，其品质因数Qf值高达71000‑99000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
201610485121

【技术保护点】
一种高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：Li3BGeO5；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、B2O3和GeO2的原始粉末按Li3BGeO5的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在950～1000℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段炼，李纯纯，苏和平，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45