用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法技术

一种用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法，包括：对SOI片进行清洗；淀积二氧化硅层；形成两个压阻以及电学连接线；光刻和刻蚀，形成窗口；刻蚀出局域修饰区，在双端固支梁的表面生长金属薄膜；生长掩膜层；在窗口内掩膜层的表面刻蚀；刻蚀，得到双端固支梁的悬空结构；刻蚀，去除双端固支梁上的掩膜层；选用一封装盖片，将封装盖片扣置键合在双端固支梁器件的上面，形成反应液体的微流道以及反应腔；对双端固支梁局域修饰区硅表面采用硅烷化处理。本发明专利技术可以提高双端固支梁器件的成品率以及质量灵敏度，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
201610206744

【技术保护点】
一种用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法，该方法包括：步骤1：对SOI片进行清洗，该SOI片包括体硅、埋氧层和顶层硅；步骤2：在SOI片的顶层硅上淀积二氧化硅层，作为离子注入的掩膜层；步骤3：在顶层硅上形成两个压阻以及电学连接线；步骤4：在SOI片的顶层硅上对应的两个压阻以及电学连接线的部分，在二氧化硅层进行光刻和刻蚀，形成窗口，刻蚀的深度至埋氧层的表面形成双端固支梁，刻蚀时保留两个压阻以及电学连接线，该双端固支梁的长度大于两个压阻之间的距离；步骤5：在双端固支梁上的二氧化硅层的中间刻蚀出局域修饰区，刻蚀深度到达双端固支梁内；或者刻蚀深度到达双端固支梁的表面，再在双端固支梁的表面生长金属薄膜；步骤6：在电学连接线的端部生长金属薄膜，形成欧姆接触金属电极；步骤7：在双端固支梁及窗口的表面生长一层掩膜层；步骤8：在窗口内掩膜层的表面刻蚀，刻蚀深度到达体硅的表面，形成开口；步骤9：从开口处采用各向同性刻蚀方法得到双端固支梁的悬空结构，形成谐振腔；或者在SOI体硅的背面生长掩膜层，再通过湿法腐蚀SOI的体硅至埋氧层的下表面的方法得到双端固支梁的悬空结构，形成谐振腔；步骤10：采用湿法腐蚀或是干法刻蚀的方法去除双端固支梁下表面的埋氧层，并去除双端固支梁上的掩膜层，最后得到微型双端固支梁结构；步骤11：选用一封装盖片，在封装盖片上制作出与双端固支梁固定边框相对应的微流道，以及进出样口；步骤12：将具有微流道和进出样口的封装盖片扣置键合在双端固支梁器件的上面，形成反应液体的微流道以及反应腔；步骤13：对双端固支梁局域修饰区硅表面采用硅烷化处理，并偶联氨基或醛基进行功能化修饰，具有金属薄膜表面的双端固支梁采用Au‑S键方法偶联氨基或醛基进行生物功能化修饰，没有金薄膜表面的双端固支梁采用微喷墨打印方法实现局域修饰，在阵列中不同梁上局域修饰不同的功能层，并将没有进行生物功能化修饰的双端固支梁作为参考梁。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶晶，杨晋玲，朱银芳，张金英，杨富华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11