一种发光二极管外延片测试系统技术方案

技术编号:13523261 阅读:44 留言:0更新日期:2016-08-14 15:28
一种发光二极管外延片测试系统,用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测,检测所述晶片的外延生长状况,所述测试系统包括收光装置、测试装置和基板。所述收光装置包括支架、收光组件和光纤,所述收光组件和光纤位于晶片发光面上方。

【技术实现步骤摘要】
201620202728

【技术保护点】
一种发光二极管外延片测试系统,用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测,检测所述晶片的外延生长状况,定义晶片出光面为上表面,所述测试系统包括:基板,用于承载晶片;收光装置,至少由支架、收光组件和光纤组成,所述收光组件和光纤位于所述晶片上表面上方,固定在所述支架上,所述收光组件具备测量晶片发光亮度的功能,所述光纤具备测量晶片发光波长的功能;测试装置,至少由电源、电笔和处理器组成,所述电源为所述电笔供电,所述电笔与所述处理器连接,所述处理器具备记录、储存和传输信息的功能,所述电笔与所述晶片电性接触,处理器、电笔、晶片构成电流回路,所述电流回路向所述处理器传递电性信息;所述收光组件和所述光纤分别与所述处理器连接,向所述处理器传递光学信息。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:潘伟蔡园园杨碧兰周启伦蔡如腾
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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