一种微纳米管状结构的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种微纳米管状结构的加工方法，属于三维微纳米结构与器件技术领域，其步骤包括：在基底上制备过渡层；在所述过渡层上制备纳米薄膜；将所述纳米薄膜与所述基底分离，得到分离后的纳米薄膜；将所述分离后的纳米薄膜转移到支架衬底上；将所述纳米薄膜进行平面内微纳米结构的加工，得到微纳米图形结构；将所述微纳米图形结构进行离子束辐照变形，得到微纳米管状结构的成品。本发明专利技术提供的一种微纳米管状结构的加工方法，能够高可控性、高精度、大面积、高效地制备微纳米管状结构的材料。

【技术实现步骤摘要】
201610173915

【技术保护点】
一种微纳米管状结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s101、在基底上制备过渡层；s102、在所述过渡层上制备纳米薄膜；s103、将所述纳米薄膜与所述基底分离，得到分离后的纳米薄膜；s104、将所述分离后的纳米薄膜转移到支架衬底上；s105、将所述纳米薄膜进行平面内微纳米结构的加工，得到微纳米图形结构；s106、将所述微纳米图形结构进行离子束辐照变形，得到微纳米管状结构的成品。

【技术特征摘要】
1.一种微纳米管状结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s101、在基底上制备过渡层；s102、在所述过渡层上制备纳米薄膜；s103、将所述纳米薄膜与所述基底分离，得到分离后的纳米薄膜；s104、将所述分离后的纳米薄膜转移到支架衬底上；s105、将所述纳米薄膜进行平面内微纳米结构的加工，得到微纳米图形结构；s106、将所述微纳米图形结构进行离子束辐照变形，得到微纳米管状结构的成品。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述步骤s101中过渡层的材料是与基底以及所要生长的纳米薄膜不发生反应的光刻胶、聚合物、表面活性剂、家用洗洁精中的一种或几种。3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述步骤s102中纳米薄膜的材料是半导体、金属或绝缘介质中的一种或几种；可选地，所制备的纳米薄膜是单层或多层结构。4.根据权利要求1-3中任一项所述的加工方法，其特征在于，所述步骤s103是将有过渡层的基底上生长的纳米薄膜放入能溶解所述过渡层的溶液中，使所述过渡层溶解，从而将所述过渡层上的所述纳米薄膜与所述基底分离，并使所述纳米薄膜漂浮或悬浮在溶液中。5.根据权利要求4所述的加工方法，其特征在于，所述步骤s104是将支架衬底放入到步骤s103处理完毕的具有漂浮纳米薄膜的溶液中，移动所述支架衬底，使所述纳米薄膜附着在所述支架衬底上表面，并从溶液中将附有纳米薄膜的支架衬底取出，得到悬空...

【专利技术属性】
技术研发人员：李无瑕，金凌，刘哲，李俊杰，顾长志，金爱子，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11