一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用。它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极；所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯；其的制备方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积带有图案的源漏电极；2)在沉积有源漏电极的衬底上旋涂聚合物半导体，得到聚合物半导体层；3)在所述半导体层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，得到绝缘层；4)在所述绝缘层上沉积栅极电极，即得到双极性聚合物场效应晶体管。本发明专利技术双极性聚合物场效应晶体管应用于有机电子学和集成电路加工中。本发明专利技术双极性聚合物场效应晶体管的电子和空穴的迁移率都得到了提高，且其制备方法简单易行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于有机电子 学领域。
技术介绍
有机/聚合物场效应晶体管由于其在柔性电子纸，智能卡片和平板显示等方面的 巨大应用前景，倍受国内外广大科研工作者的关注。从1980年起，有机/聚合物半导体材料 作为有机/聚合物场效应晶体管的重要组成部分，一直是大家研究的重点。随着给体-受体 共辄聚合物的快速发展，其空穴迀移率已经达到了前所未有的水平。然而，目前绝大多数的 有机聚合物半导体材料只展示出单极性，只有很少一部分能被测试到双极性;双极性半导 体聚合物材料的研究将是迫切需要的，因为其在逻辑电路能耗方面非常小。 另外，器件制备工艺的发展也带动着有机/聚合物场效应晶体管改善其性能，甚至 展现出很好的双极性。考虑到聚合物半导体材料的溶解性好，可以大面积溶液法加工制备， 其在高性能场效应晶体管器件和电路方面起了非常关键性的作用。众所周知，绝缘层和半 导体层间的界面是有机/聚合物场效应晶体管器件性能的关键所在;科研工作者大多数都 是从半导体材料角度去改善界面（H. Yan，Z · H · Chen，Y · Zheng，C · Newman，J · R · Quinn， F.D本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极性聚合物场效应晶体管，其特征在于：它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极；所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于贵，毛祖攀，郭云龙，陈华杰，张卫锋，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11