一种离子磁谱仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种离子磁谱仪，包括：离子入射系统I、主体部分II、接受系统III和壳体1；离子入射系统对粒子束进行筛选，选出离子；主体部分设置在离子入射系统的离子出射口处，用于产生电磁场；接受系统，可调节的设置在主体部分的离子出射口处，用于接受探测离子。壳体设置在离子入射系统和主体部分周边外侧，支撑固定所述离子入射系统和主体部分并且对散射出的高能粒子具有屏蔽作用。本实用新型专利技术提出的离子磁谱仪，能够应用于不同的等离子体环境测量，对离子种类，能量和产额的测量。

【技术实现步骤摘要】
201620139090

【技术保护点】
一种离子磁谱仪，其特征在于，包括：离子入射系统，对粒子束进行筛选，选出离子；主体部分，设置在所述离子入射系统的离子出射口处，用于产生电磁场；接受系统，可调节的设置在所述主体部分的离子出射口处，用于接收探测离子；壳体，设置在所述离子入射系统和主体部分周边外侧，支撑固定所述离子入射系统和主体部分。

【技术特征摘要】
1.一种离子磁谱仪，其特征在于，包括：
离子入射系统，对粒子束进行筛选，选出离子；
主体部分，设置在所述离子入射系统的离子出射口处，用于产生电磁场；
接受系统，可调节的设置在所述主体部分的离子出射口处，用于接收探测离子；
壳体，设置在所述离子入射系统和主体部分周边外侧，支撑固定所述离子入射系统和主体部分。
2.根据权利要求1所述的离子磁谱仪，其特征在于，所述离子入射系统包括：
辅助光阑，设置在粒子束入口处；
成形光阑，设置在沿离子传输的方向上所述辅助光阑的下游；
屏蔽筒，设置在所述辅助光阑和成形光阑之间。
3.根据权利要求2所述的离子磁谱仪，其特征在于，所述离子入射系统还包括第一电极，设置在所述辅助光阑上，用于排除电子。
4.根据权利要求2所述的离子磁谱仪，其特征在于，所述入射系统还包括栅网，安装在所述辅助光阑入射口上。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳秋盈，
申请(专利权)人：北京佳诺贝科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11