低重量X射线屏蔽件的照相平板检测器及制造方法技术

技术编号:13427706 阅读:104 留言:0更新日期:2016-07-29 17:13
本发明专利技术提供辐射照相平板检测器和制造所述平板检测器的方法,所述平板检测器具有以指定顺序的层构造:a)闪烁体或光导层(1),b)成像阵列(2),c)第一基材(3),d)包括第二基材(4)和在所述第二基材的一侧上的X‑射线吸收层(5)的X‑射线屏蔽件,其特征在于所述吸收层包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及诊断成像,且更具体地讲,涉及具有X-射线屏蔽件的辐射照相X-射线检测器,所述X-射线屏蔽件保护检测器电子件且降低或消除在受试者暴露于X-射线源期间反向散射的X-射线的影响。
技术介绍
X-射线成像是捕获患者或动物的医学图像以及检查例如行李、封装及其他包裹的密封容器的内含物的非侵入性技术。为了捕获这些图像,X-射线束照射目标物。随后,X-射线随着其穿过目标物而衰减。衰减的程度由于目标物的内部组成和/或厚度的变化而跨目标物改变。衰减的X-射线束撞击在设计用来将衰减的射束转化成目标物的内部结构的有用阴影图像的X-射线检测器上。辐射照相平板检测器(RFPDs)日益用以在待分析的患者的身体部分的检查程序期间捕获目标物的图像。这些检测器可将X-射线直接转化成电荷(直接转化直接辐射照相法-DCDR)或以间接方式转化成电荷(间接转化直接辐射照相法-ICDR)。在直接转化直接辐射照相法中,RFPDs将X-射线直接转化成电荷。X-射线与光导层例如非晶硒(a-Se)直接相互作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
辐射照相平板检测器,其包括以指定顺序的层构造:a) 闪烁体或光导层(1);b) 单个成像阵列(2);c) 第一基材(3);d) X‑射线屏蔽件,包括第二基材(4)和在所述第二基材的一侧上的X‑射线吸收层(5),其特征在于所述吸收层(5)包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或多种非金属元素的化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.17 EP 13197734.01.辐射照相平板检测器,其包括以指定顺序的层构造:
a)闪烁体或光导层(1);
b)单个成像阵列(2);
c)第一基材(3);
d)X-射线屏蔽件,包括第二基材(4)和在所述第二基材的一侧上的X-射线吸收层(5),
其特征在于所述吸收层(5)包含基料和具有原子序数为20或更大的金属元素和一种或
多种非金属元素的化合物。
2.权利要求1的辐射照相平板检测器,其中所述第二基材(4)基本上由选自铝、聚对苯
二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚醚砜、碳纤维增强塑料、玻璃、三乙酸
纤维素及其组合或其层合物的材料组成。
3.前述权利要求中任一项的辐射照相平板检测器,其中所述第二基材为挠性片材。
4.前述权利要求中任一项的辐射照相平板检测器,其中所述层构造以如下指定顺序:
a)闪烁体或光导层(1);
b)成像阵列(2);
c)第一基材(3);
d)第二基材(4);
e)X-射线吸收层(5)。
5.前述权利要求中任一项的辐射照相平板检测器,其中所述化合物选自CsI、Gd2O2S、
BaFBr、CaWO4、BaTiO3、Gd2O3、BaCl2、BaF2、BaO、Ce2O3、CeO2、CsNO3、GdF2、PdI2、TeO2、SnI2、SnO、
BaSO4、BaCO3、BaI、BaFX、RFXn、RFyOz、RFy(SO4)z、RFySz、RFy(WO4)z、CsBr、CsCl、CsF、CsNO3、
Cs2SO4、卤化锇、氧化锇、硫化锇、卤化...

【专利技术属性】
技术研发人员:P勒布兰斯D范登布劳克JP塔杭S埃伦
申请(专利权)人:爱克发医疗保健公司
类型:发明
国别省市:比利时;BE

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