【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,由该组合物形成的膜,以及使用该组合物形成图案的方法。更具体地,本专利技术涉及在例如IC等半导体制造工艺、液晶电路板制造工艺、热敏头等或其他光加工光刻工艺中使用的组合物,并涉及由该组合物形成的膜以及使用该组合物形成图案的方法。特别地,本专利技术涉及适合使用以波长为300nm或更短的远紫外线作为光源的投影曝光装置进行曝光的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物,并涉及由该组合物形成的膜以及使用该组合物形成图案的方法。
技术介绍
迄今为止,在半导体制造工艺等中,传统实践是使用抗蚀剂组合物。这样的组合物的一个实例是化学放大型抗蚀剂组合物。所述化学放大型抗蚀剂组合物通常包含当与酸作用时分解从而增加其在碱性显影剂中的溶解度的树脂,以及当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物。为了应付例如半导体的微型化,对于这种树脂和化合物已经进行了多种开发(参见例如专利参考文献I和2)。然而,对于这种组合物,仍然有进一步改善的余地。特别地,在最近几年,需要其能同时实现在更高尺寸具有优异的粗糙度特性和优异的图案形状。日本专利申请公开公告号(在 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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